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金キャリア濃度

金キャリア濃度は全部で 53 項標準に関連している。

金キャリア濃度 国際標準分類において、これらの分類：金属材料試験、絶縁流体、半導体材料、航空宇宙用の流体システムおよびコンポーネント、空気の質、液体貯蔵装置、危険物保護、半導体ディスクリートデバイス、分析化学、航空宇宙システムおよび操作装置、金属鉱石。

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 金キャリア濃度

GB/T 14146-2021 シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度の試験容量-電圧法

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 金キャリア濃度

GB/T 8757-2006 ガリウムヒ素中のキャリア濃度のプラズマ共鳴測定法
GB/T 36705-2018 ラマン分光法による窒化ガリウム基板のキャリア濃度の検査
GB/T 14146-1993 シリコンエピタキシャル層キャリア濃度測定とプローブ容量電圧法
GB/T 11068-2006 ガリウムヒ素エピタキシャル層キャリア濃度容量電圧測定法
GB/T 14146-2009 シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度の測定水銀プローブ容量電圧法
GB 11068-1989 ガリウムヒ素エピタキシャル層キャリア濃度容量電圧測定法
GB/T 14863-2013 ゲートダイオードと非ゲートダイオードの電圧と容量の関係を使用して、シリコンエピタキシャル層の正味キャリア濃度を決定する方法
GB/T 14863-1993 ゲートダイオードおよび非ゲートダイオードの電圧と容量の関係を使用してシリコンエピタキシャル層の正味キャリア濃度を決定する標準的な方法

Professional Standard - Electron, 金キャリア濃度

SJ 2757-1987 高濃度ドープ半導体のキャリア濃度の赤外線反射試験方法
SJ 3248-1989 高濃度ドープガリウムヒ素およびインジウムリンのキャリア濃度の赤外線反射試験方法
SJ 3244.1-1989 ガリウムヒ素およびインジウムリン材料のホール移動度およびキャリア濃度の測定方法
SJ 3244.4-1989 ガリウムヒ素およびインジウムリン材料のキャリア濃度プロファイル分布の試験方法電気化学的電圧容量法

Group Standards of the People's Republic of China, 金キャリア濃度

T/IAWBS 003-2017 炭化珪素エピタキシャル層のキャリア濃度の測定_水銀プローブ静電容量-電圧法

British Standards Institution (BSI), 金キャリア濃度

PD IEC TS 62607-5-3:2020 ナノ加工における重要な制御特性薄膜有機/ナノエレクトロニクスデバイスのキャリア濃度の測定
BS EN 13205-4:2014 職場での暴露浮遊粒子濃度測定用サンプラーの性能評価濃度比較に基づく実験室での性能試験
BS EN 13205-1:2014 職場での暴露浮遊粒子濃度測定用サンプラーの性能評価一般要件
BS EN 13205-6:2014 職場での暴露浮遊粒子濃度測定用サンプラーの性能評価輸送および取り扱い試験
BS EN 62416:2010 半導体デバイス、金属酸化膜半導体 (MOS) トランジスタのホットキャリア試験
BS PD CEN/TR 13205-3:2014 職場での暴露浮遊粒子濃度測定用サンプラーの性能評価サンプリング効率データの分析
BS EN 13205-2:2014 職場での曝露浮遊粒子濃度測定用のサンプラーの性能評価サンプリング効率の測定に基づく実験室の性能試験

AT-ON, 金キャリア濃度

ONORM M 5861-1-1993 流体粒子濃度測定マニュアル。重量法。一般的な要件
ONORM M 5861-2-1994 流体粒子濃度測定マニュアル。重量法。測定技術に関する特別な要件

CH-SNV, 金キャリア濃度

VSM 23745.2-1967 乳化性の金属加工油です。水素イオン濃度。 pH値

International Electrotechnical Commission (IEC), 金キャリア濃度

IEC TS 62607-5-3:2020 ナノ加工の臨界制御特性パート 5-3: 薄膜有機/ナノ電子デバイスにおける電荷キャリア濃度の測定
IEC TS 62607-6-16:2022 ナノ加工臨界制御特性第6-16部二次元材料キャリア濃度電界効果トランジスタ法

American Society for Testing and Materials (ASTM), 金キャリア濃度

ASTM F398-92(1997) プラズモン共鳴の最小波数または波長を測定することにより、半導体内の多数キャリア濃度を決定するための標準的な試験方法
ASTM F862-93(1998) 航空宇宙用作動油の塩化物イオン濃度と pH の試験方法
ASTM F862-93(2002) 航空宇宙用作動油の塩化物イオン濃度と pH の試験方法
ASTM F862-11 航空宇宙用油圧作動油の塩化物イオン濃度と pH の標準操作手順
ASTM D6056-96 透過型電子顕微鏡による職場環境における浮遊単結晶セラミックフィラメントの濃度を測定するための標準試験方法
ASTM D6056-96(2001) 透過型電子顕微鏡による職場環境における浮遊単結晶セラミックフィラメントの濃度を測定するための標準試験方法
ASTM D6059-96(2001) 走査型電子顕微鏡による職場環境における浮遊単結晶セラミックフィラメントの濃度を測定するための標準試験方法
ASTM D6059-96 走査型電子顕微鏡による職場環境における浮遊単結晶セラミックフィラメントの濃度を測定するための標準試験方法
ASTM D6056-96(2006) 透過型電子顕微鏡による職場環境における浮遊単結晶セラミックフィラメントの濃度を測定するための標準試験方法
ASTM D6059-96(2006) 走査型電子顕微鏡による職場環境における浮遊単結晶セラミックフィラメントの濃度を測定するための標準試験方法
ASTM D6281-06 透過型電子顕微鏡による直接転写法による周囲および室内空気中の浮遊アスベスト濃度を測定するための標準試験方法
ASTM D6281-04 透過型電子顕微鏡による直接転写法による周囲および室内空気中の浮遊アスベスト濃度を測定するための標準試験方法
ASTM D6281-09 透過型電子顕微鏡による直接転写法による周囲および室内空気中の浮遊アスベスト濃度を測定するための標準試験方法

International Organization for Standardization (ISO), 金キャリア濃度

ISO 9096:1992 固定汚染源からの排出浮遊粉塵粒子流量と濃度の測定人工重力法
ISO/WD TR 23683:2023 表面化学分析走査型プローブ顕微鏡電気走査型プローブ顕微鏡を使用した半導体デバイスのキャリア濃度の実験的定量化に関するガイド
ISO 14952-3:2003 航空宇宙システム流体システムの表面清浄度パート 3: 不揮発性残留物および粒子濃度を測定するための分析方法。

Association Francaise de Normalisation, 金キャリア濃度

NF X43-283-4*NF EN 13205-4:2014 職場暴露における浮遊粒子濃度測定用サンプラーの性能評価第 4 部：濃度比較に基づく実験室性能試験
NF F37-026:1968 鉄道車両直径50mmと80mmの「濃度95%以上の硝酸」を自動流両面積み下ろしタンク車
NF X43-283-1*NF EN 13205-1:2014 職場暴露における浮遊粒子濃度を測定するためのサンプラーの性能評価パート 1: 一般要件
NF X43-283-6*NF EN 13205-6:2014 職場暴露による浮遊粒子濃度測定用サンプラーの性能評価第 6 部：輸送および取扱い試験

German Institute for Standardization, 金キャリア濃度

DIN EN 13205-4:2014 職場暴露浮遊粒子濃度測定用サンプラーの性能評価パート 4: 濃度比較に基づく実験室性能試験、ドイツ語版 EN 13205-4-2014

工业和信息化部, 金キャリア濃度

YS/T 679-2018 外部半導体における少数キャリア拡散長を測定するための表面光起電力法

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 金キャリア濃度

KS E ISO 15249:2011 硫化亜鉛濃縮物金含有量の測定酸溶解/溶液抽出/フレーム原子吸光光度法
KS E ISO 12740:2011 硫化鉛精鉱銀と金の含有量の測定鉛沈殿法およびグレーパンアッセイを使用したフレームアッセイおよびフレーム原子吸光分光光度法
KS E ISO 15248:2007 硫化亜鉛濃縮物銀と金の含有量の測定鉛沈殿法およびグレーパンアッセイを使用したフレームアッセイおよびフレーム原子吸光分光光度法

PL-PKN, 金キャリア濃度

PN C04570-09-1987 水と廃水。金属含有量の原子吸光試験。水中のクロムの定量とキレート化による予備濃縮抽出

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 金キャリア濃度

YS/T 679-2008 外部半導体における少数キャリア拡散長の定常状態表面光起電力測定法