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酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

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酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？ 国際標準分類において、これらの分類：電気、磁気、電気および磁気測定、 導体材料、 半導体ディスクリートデバイス、 金属材料試験、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 バルブ、 フィルター、 ゴムやプラスチックの原料、 航空宇宙製造用の材料、 無線通信、 電子機器、 水質、 光ファイバー通信、 データストレージデバイス。

Association Francaise de Normalisation, 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• NF C31-888-10:2003 超電導 その10：臨界温度測定 抵抗法によるニオブチタン、ニオブ錫、ビスマス系酸化物複合超電導体の臨界温度測定
• NF C31-888-3:2006 超電導 パート 3: 臨界電流の測定 Bi-2212 および Bi-2223 酸化銀被覆超電導体の DC 臨界電流。
• NF EN 61788-3:2007 超電導 - パート 3: 臨界電流の測定 - Ag および/または Ag 合金シースを備えた超電導酸化物 Bi-2212 および Bi-2223 の連続臨界電流

Defense Logistics Agency, 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• DLA SMD-5962-96736-1996 相補型金属酸化物半導体、シリコンモノリシック回路 デジタル超小型回路 8ビット双方向相補型金属酸化物半導体またはトランジスタインターフェースコンバータ
• DLA SMD-5962-94745-1995 シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路デジタル相補型金属酸化膜半導体
• DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 128K X 8-BITデジタル相補型金属酸化物半導体シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89726 REV D-2006 シリコンモノリシック、I/O拡張マイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-81006 REV J-2005 シリコンモノリシックドライバー搭載ハイレベルアナログスイッチ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94734-1995 16 MEG X 1 DRAM デジタル相補型金属酸化物半導体シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95715-1996 デジタル相補型金属酸化物半導体クロックドライバーシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89609 REV A-2006 電子制御発振器を備えたシリコンモノリシックフェーズロックループ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 静的ノイズ ランダム デジタル メモリ ハイブリッド 相補型金属酸化物半導体 マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95654 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体デジタル四重極2入力専用シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 シリコンモノリシック、8ビットTTL/BTL登録トランシーバー、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90864 REV A-1993 シリコンモノリシック高速相補型金属酸化膜半導体多機能エッジデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 非シリコンモノリシック回路を備えた相補型金属酸化物半導体デジタルデュアル4入力リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 非シリコンモノリシック回路を備えた相補型金属酸化物半導体デジタル四重極2入力リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体デジタル四重極2入力専用シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94730 REV D-2002 デジタル相補型金属酸化膜半導体プログラマブルロジックアレイシリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94733-1995 デジタル相補型金属酸化膜半導体 1200 構成ロジック アレイ シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95717-1995 デジタル相補型金属酸化膜半導体八角形バス受信機シリコンモノリシック回路線形超小型回路
• DLA SMD-5962-96895-1997 デュアル相補型金属酸化膜半導体、光銅プロパゲータインターフェイスシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96896-1997 デュアル相補型金属酸化膜半導体、光銅受信機インターフェース シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95610 REV A-1996 デジタル相補型金属酸化物半導体プログラマブルロジックセルディスプレイシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95611 REV A-1996 デジタル相補型金属酸化物半導体プログラマブルロジックセルディスプレイシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95612 REV A-1996 デジタル相補型金属酸化物半導体プログラマブルロジックセルディスプレイシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-04212-2004 シリコンモノリシックスリーステート出力 D タイプラッチ 16 ビット酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96528 REV B-2005 放射線ハードデジタル相補型金属酸化膜半導体トリプル 3 入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96656 REV C-2003 耐放射線相補型金属酸化膜半導体 4 ビット クラス D レジスタ シリコン モノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-83013 REV D-1995 シリコンモノリシック中央処理装置、8ビットマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90901-1992 シリコンモノリシック八進名前付きトランシーバー、相補型金属酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95714 REV A-1996 デジタル相補型金属酸化膜半導体 デジタル 8 ビット バス トランシーバー シリコン モノリシック回路 リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 シリコンモノリシック、登録済み 8K X 8 ビットプログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 デュアルチャネルフォトカプラ金属酸化物半導体電界効果トランジスタ電源用のリニアハイブリッドマイクロ回路
• DLA SMD-5962-04213-2004 シリコンモノリシックスリーステート出力 D型双安定トリガ回路 16ビット酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96576 REV A-2005 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体カウンタージェネレータシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96626 REV B-1997 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 事前構成可能なスプリッター シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95713 REV B-2007 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体プログラマブルタイマーシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77020 REV E-2005 シリコンモノリシックゲート6インバータ/6バッファ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 スリーステート出力6ビットバッファ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックチップ
• DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 スリーステート出力6ビットバッファ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックチップ
• DLA SMD-5962-04210-2004 先進酸化物半導体向けシリコンモノリシックトライステート出力 16 ビットバッファ/ドライバデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 シリコンモノリシックエラー検出および訂正用のユニット相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90590 REV B-2002 オープンチャネル入力を備えたシリコンモノリシック、6 ビットインバータ、改良された酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96694 REV A-1996 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体 1K x 4 スタティック ランダム アクセス メモリ超小型回路
• DLA SMD-5962-96695 REV A-1996 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体 1K x 4 スタティック ランダム アクセス メモリ超小型回路
• DLA SMD-5962-90525 REV C-2008 ユニバーサル非同期送受信機を備えた相補型金属酸化物半導体で作られたシングルシリコンデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94760 REV A-2002 デジタル相補型金属酸化物半導体 帯電消去可能プログラマブル ロジック デバイス シリコン モノリシック回路 線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-94762 REV A-2002 デジタル相補型金属酸化物半導体 帯電消去可能プログラマブル ロジック デバイス シリコン モノリシック回路 線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-94763 REV A-2002 デジタル相補型金属酸化物半導体 帯電消去可能プログラマブル ロジック デバイス シリコン モノリシック回路 線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95587 REV A-2002 デジタル相補型金属酸化膜半導体、チャージエリミナブルプログラマブルロジックデバイス、シリコンモノリシック回路線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95588 REV A-2002 デジタル相補型金属酸化膜半導体、チャージエリミナブルプログラマブルロジックデバイス、シリコンモノリシック回路線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95624 REV C-2006 混合デジタル 512K
• DLA SMD-5962-94754 REV E-2004 デジタルワンタイムプログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化物半導体シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95570 REV B-1995 32 ビット埋め込まれた縮小命令セット コンピュータ相補型金属酸化膜半導体シリコン モノリシック回路線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96538 REV C-2007 耐放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体クワドルプル2入力専用シリコンモノリシック回路リニアマイクロサーキット
• DLA SMD-5962-96584 REV A-2006 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、4 ビットバイナリ完全加速シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96601 REV A-1997 耐放射線性相補型金属酸化物半導体 4 ビット双方向変換レジスタシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96675 REV B-2000 耐放射線強化相補型金属酸化物半導体 8 ビット設計可能なラッチ デバイス、シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 リセットボタン搭載シリコンモノリシックJKフリップフロップ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-04211-2004 Advanced Oxide Semiconductor のシリコン モノリシック トライステート出力 16 ビット バス トランシーバ デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89710 REV C-2004 シリコンモノリシック、ラッチ付き 8 チャネルおよび 16 チャネルのアナログマルチプレクサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92180 REV A-2006 シリコンモノリシック、スリーステート出力を備えたD型ラッチ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89463 REV D-2005 シリコンモノリシック浮動小数点コプロセッサ高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93239 REV B-2005 シリコンモノリシック、4ビットIDバスを備えたスキャンチャネルコネクタ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93253 REV C-2002 シリコンモノリシック、トライステート出力を備えたクアッドバッファ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA DSCC-DWG-85006 REV E-2008 1.0アンペア、60ボルトDC、相補型金属酸化膜半導体入力を備えた光学的に絶縁された密閉型ソリッドステートリレー
• DLA SMD-5962-95628-1998 デジタル相補型金属酸化膜半導体 512 x 36 x 2 クロック FIFO シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96530 REV B-2005 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体六角形非反転バッファシリコンモノリシック回路線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96580 REV B-2006 耐放射線性デジタル相補型金属酸化物半導体、4重SRラッチデバイス、シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96608 REV C-2003 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 事前プログラム可能なアップおよびダウンカウンター シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96657 REV A-1997 放射線耐性 相補型金属酸化物半導体 事前調整可能なアップ/ダウンカウンター シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95716-1995 デジタル相補型金属酸化膜半導体八角形閉塞デバイスバスドライバーシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 スリーステート出力8ビット反転バッファ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックデバイス
• DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 シリコンモノリシック、スリーステート出力8ビットバスレシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 シリコンモノリシック、スリーステート出力8ビットバスレシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-92155 REV A-2006 シリコンモノリシック登録 32K x 8 ビットプログラム、相補型金属酸化物半導体、メインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89989-1990 シリコンモノリシック、スリーステート出力、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を備えた 8 ビットバストランシーバー
• DLA SMD-5962-95718 REV B-2007 デジタル相補型金属酸化物半導体ラッチングインピーダンス優先ミッドセグメントコントローラーシリコンモノリシック回路線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95621 REV C-2003 デジタル反射型相補型金属酸化物半導体、事前調整可能なアップおよびダウンカウンターシリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84089 REV D-2002 リセットボタン付きシリコンモノリシックD型フリップフロップマルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 スリーステート出力を備えたシリコンモノリシック8段シフトレジスタ/ラッチ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 セットリセットボタン搭載シリコンモノリシックデュアルJKフリップフロップ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94588-1995 シリコンモノリシック、プログラマブル信号を備えた 32K x 9 FIFO、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94663 REV G-2003 デジタル超小型回路 連続マイクロコード マルチモード スマート端末およびトランシーバー シリコン相補型金属酸化膜半導体
• DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 スリーステート出力を備えたシリコンモノリシック 8 ビット双方向トランシーバー、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90524 REV A-2005 シリコンモノリシック、スリーステート出力、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を備えた 8 入力マルチプレクサ
• DLA SMD-5962-88702 REV A-2003 デジタルマイクロ回路を容易にする相補型金属酸化物半導体によってクロックされるシリコンモノリシックオクタルDタイプフリップフロップ
• DLA SMD-5962-90849-1991 リセット付きシリコンモノリシックデュアル JK フリップフロップ、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 シリコンモノリシック8ビット許容マグニチュードコンパレータ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95625 REV A-1996 デジタル相補型金属酸化膜半導体、16 MEG ユーザー設定可能、電気的に消去可能な読み取り専用メモリ、シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96600 REV A-1998 耐放射線相補型金属酸化膜半導体 8 ステップのプリセット可能な同期カウンター シリコンモノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96670 REV B-2000 放射線耐性相補型金属酸化物半導体、二進化十進比乗算器シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96866-1996 相補型金属酸化物半導体、八角形透明クラス D スリーステート出力ラッチ、シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 シリコンモノリシック、2K
• DLA SMD-5962-05214 REV A-2007 プログラマブルパルス位相差ビートバッファを備えたシリコンモノリシック放射線耐性酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 スリーステート出力8ビットD型透明ラッチ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックデバイス
• DLA SMD-5962-84094 REV B-1988 同期クリア、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシック同期バイナリディケードカウンタ
• DLA SMD-5962-89682 REV A-1999 シリコンモノリシック、スリーステート出力、修飾酸化物半導体、デジタルマイクロ回路を備えた 8 ビット トランシーバー/レジスタ
• DLA SMD-5962-89732-1989 トライステート出力を備えたシリコンモノリシック8ビットバッファ/ラインドライバ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90597-1991 シリコンモノリシック、10デコード出力ディケイドカウンター/ドライバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-92345 REV B-2001 シリコンモノリシック、12ビット直列入力多重化デジタルアナログコンバータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95626 REV E-2004 デジタル反射型相補型金属酸化物半導体、8K X 8-BIT消去可能な読み取り専用メモリシリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95655 REV C-2000 相補型金属酸化物半導体 デジタル スリーステート出力 オクタル透明ラッチ デバイス シリコン モノリシック回路 リニア マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体 デジタル トリプル トリプル入力 非トランジスタ互換入力 シリコン モノリシック回路 リニア マイクロ回路
• DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 非トランジスタ互換入力を備えた相補型金属酸化膜半導体デジタルデュアル 4 入力シリコンモノリシックリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90692 REV C-1996 モノリシック電気的にプログラム可能な読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシック16ビットマイクロプロセッサ
• DLA SMD-5962-96556 REV D-2004 耐放射線性デジタル相補型金属酸化物半導体、8 ビット連続並列スイッチング レジスタ、シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96558 REV C-2004 耐放射線性デジタル相補型金属酸化物半導体、8 ビット連続並列スイッチング レジスタ、シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96559 REV B-2001 耐放射線性デジタル相補型金属酸化物半導体、8 ビット連続並列スイッチング レジスタ、シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96560 REV B-2001 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、4ビット上下バイナリ同期カウンタ、シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96578 REV B-2005 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体、八角形D双安定マルチバイブレータ、シリコンモノリシック線形マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96582 REV B-2006 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、9 ビットパリティジェネレーターまたはモニター、シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA DSCC-VID-V62/03612 REV B-2008 つのインターフェイスを備えたケーブル トランシーバー/アービターを備えた相補型金属酸化膜半導体で構成される単一シリコン デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 シリコンモノリシック2K
• DLA SMD-5962-84073 REV G-2006 リセットボタン付きシリコンモノリシック6ビットD型フリップフロップマルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84075 REV E-2002 シリコンモノリシックチップには、同期リセット付きの4ビット同期バイナリカウンタと高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路が搭載されています。
• DLA SMD-5962-84095 REV C-2002 シリコンモノリシック、8ビットパラレル入力およびシリーズ出力シフトレジスタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89575 REV C-2007 シリコンモノリシック、1K×16ランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路を搭載したフォーチュンターミナル
• DLA SMD-5962-91606 REV A-2006 トライステート出力を備えたシリコンモノリシック 10 ビット D バッファ、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86825 REV B-2003 スリーステート出力を備えたシリコンモノリシッククワッド D 型ストップピン、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック アレイ相補型金属酸化膜半導体デジタル ストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック デバイス相補型金属酸化膜半導体デジタル ストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89476-1992 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブル ロジック デバイス相補型金属酸化膜半導体デジタル ストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94698-1996 デジタル先進バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、18ビット無線トランシーバーおよびレジスタ自律ナビゲーションシステム、変換出力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95617 REV B-2006 相補型金属酸化膜半導体 256K X 1-BIT 連続構成プログラマブル読み取り専用メモリ シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94707 REV A-2001 2K
• DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 耐放射線ハードデジタル相補型金属酸化膜半導体トリプル 3 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96572 REV D-2007 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、八角形スリーステート出力バスレシーバー、シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95708 REV D-1999 デジタル放射線 ハード相補型金属酸化物半導体 2K X 8ビット プログラマブル読み取り専用メモリ シリコン モノリシック回路 リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路と互換性のある入力、反転トライステート出力と行ドライブラインまたは金属酸化膜半導体ドライバを備えたオクタルバッファ、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94671 REV A-2007 デジタル先進バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、18ビット無線トランシーバー自律自動ナビゲーションシステム、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 スリーステート出力8ビットD型フリップフロップマルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックチップ
• DLA SMD-5962-91555 REV B-2006 トライステート入力、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシックオクタルトランシーバー
• DLA SMD-5962-89603 REV A-2005 シリコンモノリシック、スリーステート出力レジスタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を備えた 8 入力バイナリカウンタ
• DLA SMD-5962-87692 REV B-1999 スリーステート出力、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシック 8 入力マルチプレクサ
• DLA SMD-5962-90651 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL対応入力、トライステート出力搭載クワッドバッファ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86813 REV B-2003 トライステート出力を備えたシリコンモノリシックオクタルDストップピン、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95656 REV C-2000 相補型金属酸化物半導体 デジタル スリーステート出力 オクタル双安定マルチバイブレータ シリコン モノリシック回路 リニア マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96542 REV F-2004 耐放射線性デジタル相補型金属酸化物半導体、非シュミット トリガー付き 4 倍 2 入力、シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 耐放射線ハードデジタル相補型金属酸化膜半導体、カウンタジェネレータトランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96630 REV C-2003 耐放射線 相補型金属酸化膜半導体 バイナリエンコードされた 10 進数から 10 進数へのデコーダ シリコンモノリシック回路 デジタル超小型回路
• DLA SMD-5962-96873 REV A-2006 耐放射線性相補型金属酸化物半導体、8K X 8-BIT プログラマブル読み取り専用メモリ、シリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96891 REV D-2006 耐放射線性相補型金属酸化物半導体 32K X 8-BIT プログラマブル読み取り専用メモリ、シリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、タイミングおよび待機状態生成回路、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 相補型金属酸化物半導体、16ビット25オーム直列抵抗バスレシーバ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96540 REV E-2005 耐放射線性デジタル相補型金属酸化物半導体、構成可能なクワッド JK 双安定マルチバイブレーター、シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84128 REV C-2005 シリコンモノリシックに実装された 8 入力デジタルセレクター/マルチプレクサーにより、主要な高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路が実現
• DLA SMD-5962-89576 REV C-2007 シリコンモノリシック、1K x 16ランダムアクセスメモリを搭載したターミナルインターフェース、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87693 REV A-2005 トライステート出力を備えたシリコンモノリシックデュアル 4 入力マルチプレクサ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89771 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL互換入力、バイブレータ付き14レベルバイナリカウンタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88611 REV A-1991 シリコン モノリシック KX 4 スタティック アクセス メモリ 個別の入出力 相補型金属酸化物半導体 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90686-1999 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、オープンチャネル出力付き 6 ビットインバーター、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95813 REV F-2008 二極二重接続アナログスイッチを備えた放射線耐性のある相補型金属酸化物半導体構造で構成されるリニアシングルシリコンマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 高度な相補型金属酸化膜半導体、スリーステート出力 16 ビット透明ラッチ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 高度な相補型金属酸化膜半導体、スリーステート出力 16 ビット透明ラッチ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 相補型金属酸化膜半導体 デジタル スリーステート出力 オクタル ラッチング トランジスタ 互換入力 シリコン モノリシック回路 リニア マイクロ回路
• DLA SMD-5962-92206-1994 シリコンモノリシック、TTL 互換の入出力制限電圧スイング、8 入力マルチプレクサ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92212 REV A-1996 シリコンモノリシック、TTL 互換の入出力制限電圧スイング、デュアルデュアルポートレジスタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96544 REV C-2004 耐放射線性デジタル相補型金属酸化物半導体、3 ～ 8 ライン デコーダまたは信号スプリッタ、シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、4重SRラッチデバイス、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 耐放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体 4 ビットバイナリ完全加速トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96604 REV A-1998 耐放射線相補型金属酸化物半導体 10 ラインから 4 ラインのバイナリ コード化 10 進デコーダ シリコン モノリシック回路 デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96707 REV B-2000 耐放射線性相補型金属酸化膜半導体、非反転八角形双方向スリーステート出力バストランシーバー、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96761-1996 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、1～8行クロックドライバ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95806 REV A-1998 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、2進化10進同期技術カウンターシリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95807 REV B-2004 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、同期事前調整可能な 4 ビット バイナリカウンタ シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95808 REV A-1998 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、同期バイナリエンコード 10 進アップダウン カウンタ、シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90831 REV A-2007 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 8K X 8 ビット診断プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89593 REV D-1995 シリコンモノリシック、周辺サポート統合システム、酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載した32ビットメモリチケットアクセスコントローラ
• DLA SMD-5962-91604 REV A-2006 トライステート出力を備えたシリコンモノリシッククアッドカラム 2 入力マルチプレクサ、高度な相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89678 REV A-2001 シリコンモノリシック、メモリ付きクアドルプル 8 ビット多重化 D/A コンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92176 REV B-2006 シリコンモノリシック、順方向トライステート出力を備えた 8 ビットバッファ/ラインドライバ、変性酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92178 REV A-2006 シリコンモノリシック、8ビット双方向トランシーバー、スリーステート出力を備えたD型ラッチ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92179 REV A-2006 スリーステート出力を備えたシリコンモノリシック8ビットD型双安定マルチバイブレータ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92183 REV C-2003 シリコンモノリシック、TTL対応入力、シュミットトリガ搭載6ビットインバータ、改良型酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92200 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 10 ビット透明ラッチ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90613-1990 シリコンモノリシック、アドレスラッチを備えた3-8ラインデコーダ/スプリッタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90665 REV A-2005 シリコンモノリシック、アドレスラッチを備えた3-8ラインデコーダ/スプリッタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92233 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換の入出力制限電圧スイング、有効な 8 番目のデコーダ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-92236 REV B-1996 シリコンモノリシック、TTL 互換の入出力制限電圧スイング、トライステート出力付き D タイプレジスタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96562 REV A-2001 耐放射線デジタル相補型金属酸化物半導体、同期 4 ビット上位および下位 2 進化 10 進カウンタ、シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96564 REV B-2002 耐放射線デジタル相補型金属酸化物半導体、同期 4 ビット上位および下位 2 進化 10 進カウンタ、シリコン モノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96551 REV C-2004 耐放射線デジタル相補型金属酸化物半導体、デュアル 4 行から 1 行のデータ セレクターまたはマルチプレクサー、シリコン モノリシック リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96570 REV B-2001 耐放射線デジタル相補型金属酸化物半導体、八角形バッファおよびライン スリーステート ライン ドライバ、シリコン モノリシック リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96571 REV C-2007 耐放射線デジタル相補型金属酸化物半導体、八角形バッファおよびライン スリーステート ライン ドライバ、シリコン モノリシック リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96666 REV B-2000 耐放射線相補型金属酸化物半導体、2進化10進数から7セグメントへのデコーダドライバ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、クワッドバス スリーステート出力バッファ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 相補型金属酸化物半導体、八角形透明クラス D スリーステート出力ラッチ デバイス、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87550 REV E-2005 シリコンモノリスオクタルバッファまたはトライステート出力を備えた行ドライブライン、高度な相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87552 REV J-2007 シリコンモノリスオクタルバッファまたはトライステート出力を備えた行ドライブライン、高度な相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87629 REV D-2003 トライステート出力、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシック非反転オクタルバスレシーバー
• DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 シリコンモノリシック、TTL互換入力、セットリセットボタン付きデュアルJKフリップフロップ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87695 REV A-2005 シリコンモノリスオクタルバッファまたはトライステート出力を備えた行ドライブライン、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89741-1990 シリコンモノリシック、TTL互換入力、I/Pラッチ付き8ビットシフトレジスタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92316 REV D-2006 シリコンモノリシック、独立した I/O アドレスを備えた 1M X 1 スタティック ランダム アクセス メモリ、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-90908 REV A-2003 シリコンモノリシック相補型金属酸化膜半導体 8 ビットデジタル/アナログコンバータ、出力アンプ、リニアマイクロ回路付き
• DLA SMD-5962-93252-1995 シリコンモノリシック、複数のクロック入力を備えた 1 ～ 8 最小歪みクロックドライバー、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90564 REV D-2006 16キロバイトの取り外し可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、モノリシック酸化物半導体デジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシック8ビットマイクロコントローラ
• DLA SMD-5962-05212 REV B-2007 直列出力抵抗を備えたシリコンモノリシックトライステート出力、バス状態を維持する16ビット双安定トリガ回路、低電圧酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-89599 REV A-2003 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 8 入力マルチプレクサ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91726-1994 シリコンモノリシックトライステート出力、オクタルバッファ付きスキャンテストセット、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き反転 8 ビットバストランシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89790-1992 シリコンモノリシック、独立した I/O アドレッシング 4K × 4 スタティック ランダム アクセス メモリ、酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 8 ビットバストランシーバー、高速酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86812 REV C-2004 逆トライステート出力を備えたシリコンモノリシック六角形バッファまたはドライバ高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92234-1993 シリコンモノリシック、TTL 互換の入出力制限電圧スイング、モノリシック対応 8 ビット ID コンパレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-92244 REV C-1996 シリコンモノリシック、TTL 互換入力および出力制限電圧スイング、トライステート出力付き 8 ビットデュアルポートトランシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96747-1997 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、8 ビット双方向データバススキャンパスセレクタトランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95793 REV C-2004 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、八角形 D クラス スリーステート出力ポジティブ トリガー定常状態マルチバイブレーター シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-92263 REV A-1996 シリコンモノリシック、TTL 互換入力および出力制限電圧スイング、トライステート出力付き 16 ビットラッチトランシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-05210 REV B-2007 直列出力抵抗を備えたシリコンモノリシックトライステート出力、バス状態維持16ビットバスバッファ、低電圧酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-05211 REV B-2007 直列出力抵抗を備えたシリコンモノリシックトライステート出力、バス状態維持16ビットDタイプラッチ、低電圧酸化物半導体デジタルマイクロ回路を装備
• DLA SMD-5962-05213 REV B-2007 直列出力抵抗を備えたシリコンモノリシックトライステート出力、バス状態維持16ビットバストランシーバー、低電圧酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-87694 REV E-2005 スリーステート出力、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシックオクタル D タイプ双安定マルチバイブレータトリガー回路
• DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 シリコンモノリシック入力互換の 3 ～ 8 アレイデコーダ、トランジスタトランジスタロジック、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-86852 REV A-2003 シリコンモノリシック正方形デュアル入力またはトランジスタトランジスタ論理回路デジタル入力ゲート、デジタルマイクロ回路を備えた高速相補型金属酸化膜半導体
• DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、8進数の見やすいストップピン、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96557 REV C-2004 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、8 ビット連続並列スイッチング レジスタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96561 REV B-2001 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、4 ビットの上位および下位バイナリ同期カウンタ、トランジスタ互換の入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96568 REV B-2005 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、反転八角形バッファまたはスリーステート出力ラインドライバー、シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96569 REV C-2007 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、反転八角形バッファまたはスリーステート出力ラインドライバー、シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96574 REV B-2005 放射線耐性のあるデジタル相補型金属酸化物半導体、デュアル 4 行から 1 行のデータ セレクターまたはスリーステート マルチプレクサー、シリコン モノリシック回路ラインのマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96575 REV B-2005 放射線耐性のあるデジタル相補型金属酸化物半導体、デュアル 4 行から 1 行のデータ セレクターまたはスリーステート マルチプレクサー、シリコン モノリシック回路ラインのマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96583 REV B-2006 耐放射線性デジタル相補型金属酸化膜半導体、9 ビット パリティ ジェネレーターまたはモニター、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96678 REV C-2000 放射線耐性のある相補型金属酸化物半導体、8 つの部分からなる静的双方向並列行入力または出力バス レジスタ、シリコン モノリシック回路デジタル マイクロ回路
• DLA SMD-5962-96718 REV C-2000 耐放射線性相補型金属酸化物半導体非反転八角形双方向スリーステート出力バス、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96719 REV E-2005 耐放射線性相補型金属酸化物半導体非反転八角形双方向スリーステート出力バス、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、8 ビットから 9 ビットのスリーステート出力バス トランシーバー、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、3.3 ボルト八角形バス レシーバーおよびレジスタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 シリコンモノリシック、逆トライステート出力、TTL互換入力16ビットラッチトランシーバー、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-84190 REV E-2005 32 キロビット UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、N チャネル デジタルマイクロ回路を搭載した 8 ビット金属酸化物半導体マイクロプロセッサ
• DLA SMD-5962-85125 REV C-2006 トライステート出力を備えたシリコンモノリシック 8 入力データセレクターおよびマルチプレクサー、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91553 REV A-2006 シリコンモノリシックオクタルバスレシーバーとトライステート出力付き自動レコーダー、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89700 REV A-2005 シリコンモノリシック、TTL互換入力、リセットボタン付き再トリガ可能単安定マルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89705 REV A-2005 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付きデュアル 2 入力マルチプレクサ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89743 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL互換入力、リセットボタン付き6ビットDタイプ双安定マルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-91746-1994 シリコンモノリシック反転トライステート出力、オクタルバッファ付きスキャンテストセット、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89766 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート入力付きフォワード 8 ビットバッファ/ラインドライバ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 シリコンモノリシック、TTL互換入力、トライステート入力付き反転8ビットバッファ/ラインドライバ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89847 REV C-2002 シリコンモノリシック、TTL互換入力、トライステート出力付き8ビットバッファ/ラインドライバ、改良酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89935 REV B-2007 シリコンモノリシック、独立した I/O アドレスを備えた 64K X 4 スタティック ランダム アクセス メモリ、高速酸化物半導体デジタル メモリ マイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-92188 REV B-2007 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 8 ビット トランシーバー D タイプ ラッチ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92196 REV A-2007 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 8 ビット双方向トランシーバー/ラッチ、改良酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL互換入力、トライステート出力を備えた8ビットバッファおよびラインドライバ、酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90696-1993 追加の入出力を備えたシリコンモノリシック 256 X4 スタティック ランダム アクセス メモリ、相補型金属酸化膜半導体デジタル メイン メモリ マイクロ回路
• DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 UV消去可能な同期プログラマブルロジックデバイス、デジタルメインメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93115 REV A-1993 シリコンモノリシック、TTL互換入力、スリーステート出力を備えた順方向連続制御可能なアクセスネットワーク、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93116 REV A-1993 シリコンモノリシック、TTL互換入力、スリーステート出力を備えた順方向連続制御可能なアクセスネットワーク、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86828 REV C-2004 シリコンモノリシックヘキサゴナル D タイプバッファおよび反転トライステート出力付きドライバ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 シリコンモノリシック、トライステート出力、TTL互換入力8ビットバッファ/ドライバ、改質酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• GB/T 30537-2014 超電導バルク高温超電導体の測定 大粒酸化物超電導体の捕捉磁束密度
• GB/T 34698-2017 ゴム配合剤中の沈降性含水シリカの水可溶分の測定 導電率法
• GB/T 18502-2018 臨界電流測定 銀および/または銀合金クラッド Bi-2212 および Bi-2223 酸化物超電導体の DC 臨界電流

U.S. Military Regulations and Norms, 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• ARMY MIL-M-63324 A VALID NOTICE 1-1988 ゲートレス専用相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63324 A (1)-1982 ゲートレス専用相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63324 A-1981 ゲートレス専用相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63324 A NOTICE 2-1997 ゲートレス専用相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-I-48331 A NOTICE 2-1997 相補型金属酸化物半導体で作られたデジタル集積回路、タイムベースおよび特殊機能を備えた鉄製シリコン整流器発電機
• ARMY MIL-I-48331 A VALID NOTICE 1-1988 相補型金属酸化物半導体で作られたデジタル集積回路、タイムベースおよび特殊機能を備えた鉄製シリコン整流器発電機
• ARMY MIL-I-48331 A (2)-1982 相補型金属酸化物半導体で作られたデジタル集積回路、タイムベースおよび特殊機能を備えた鉄製シリコン整流器発電機
• ARMY MIL-I-48331 A-1979 相補型金属酸化物半導体で作られたデジタル集積回路、タイムベースおよび特殊機能を備えた鉄製シリコン整流器発電機

British Standards Institution (BSI), 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• BS IEC 60747-8-4:2004 半導体ディスクリートデバイス、パワースイッチング機器用金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
• BS EN 61788-10:2003 超電導、臨界温度測定、抵抗法によるNb-Ti、Nb3Sn、ビスマス基酸化物複合超電導体の臨界温度測定
• BS EN 61788-10:2002 超電導、臨界温度測定、抵抗法によるNb-Ti、Nb3Sn、ビスマス基酸化物複合超電導体の臨界温度測定

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• JIS H 7305:2003 超電導 パート 3: 臨界電流の測定 銀でコーティングされたビスマス 2212 およびビスマス 2223 酸化物超電導体の臨界直流電流。
• JIS H 7305:2010 超電導 パート 3: 臨界電流の測定 銀および/または銀合金でコーティングされたビスマス 2212 およびビスマス 2223 酸化物超電導体の臨界直流電流
• JIS H 7309:2006 超電導 その10：臨界温度測定 抵抗法によるNb-Ti、Nb3Sn、ビスマス系酸化物複合超電導体の臨界温度測定

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• GB/T 18502-2001 銀または銀合金で被覆された酸化ビスマス超電導体の DC 臨界電流の測定

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• KS C IEC 61788-3:2016 超電導パート 3: 臨界電流の測定 Bi-2212 および Bi-2223 酸化物超電導体の直流臨界電流
• KS C IEC 61788-3-2016(2021) 超電導 - パート 3: 臨界電流測定 - 銀被覆 Bi-2212 および Bi-2223 酸化物超電導体の DC 臨界電流
• KS C IEC 61788-10:2003 超電導 その10：臨界温度測定 抵抗法によるNb-Ti、Nb3Sn、ビスマス系酸化物複合超電導体の臨界温度測定
• KS C IEC 61788-10:2017 超電導その10：臨界温度測定 Nb-Ti、Nb3Sn、ビスマス系酸化物複合超電導体の抵抗法による臨界温度の測定
• KS C IEC 61788-10-2017(2022) 超電導 - その10: 臨界温度測定 - 抵抗法を用いたNb-Ti、Nb3Sn、Bi系酸化物複合超電導体の臨界温度の測定

KR-KS, 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• KS C IEC 61788-3-2016 超電導パート 3: 臨界電流の測定 Bi-2212 および Bi-2223 酸化物超電導体の直流臨界電流
• KS C IEC 61788-10-2017 超電導その10：抵抗法によるNb-Ti、Nb3Sn、Bi系酸化物複合超電導体の臨界温度測定

International Electrotechnical Commission (IEC), 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• IEC 61788-3:2000 超電導体パート 3: 臨界電流の測定 銀外皮膜ビスマス 2212 およびビスマス 2223 酸化物超電導体の臨界 DC 電流
• IEC 61788-3:2006 超電導 パート 3: 臨界電流の測定 銀および/または銀合金で外装されたビスマス 2212 およびビスマス 2223 酸化物超電導体の臨界直流電流

Danish Standards Foundation, 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• DS/EN 61788-3:2006 超電導パート 3: 臨界電流の測定 Ag および/または Ag 合金で包まれた Bi-2212 および Bi-2223 酸化物超電導体の DC 臨界電流

ES-UNE, 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• UNE-EN 61788-3:2006 超電導パート 3: 臨界電流の測定 Ag および/または Ag 合金シース Bi-2212 および Bi-2223 酸化物超電導体の DC 臨界電流

Lithuanian Standards Office , 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• LST EN 61788-3-2006 超電導パート 3: 臨界電流測定 Ag および/または Ag 合金シース Bi-2212 および Bi-2223 酸化物超電導体の DC 臨界電流 (IEC 61788-3:2006)

American Society for Testing and Materials (ASTM), 酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？

• ASTM D5173-97(2007) 化学酸化、紫外線酸化、その両方の組み合わせ、気相非分散性赤外線 (NDIR) または電解伝導率および高温燃焼法による、水中の炭素化合物の瞬時モニタリングのための標準試験方法
• ASTM F616M-96 MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) のリーク電流を測定するための標準的な試験方法 (メートル単位)
• ASTM F616M-96(2003) MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) のリーク電流を測定するための標準的な試験方法 (メートル単位)
• ASTM F996-98 サブスレッショルドアンペアボルト特性を使用して、酸化ホールおよび界面状態による電離放射線誘起金属酸化物半導体電界効果トランジスタのしきい値電圧シフト成分を決定するための標準的な試験方法
• ASTM F996-98(2003) サブスレッショルドアンペアボルト特性を使用して、酸化ホールおよび界面状態による電離放射線誘起金属酸化物半導体電界効果トランジスタのしきい値電圧シフト成分を決定するための標準的な試験方法
• ASTM F996-10 サブスレッショルドアンペア電圧特性を使用して、酸化ホールと界面状態による金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの電離放射線誘発しきい値電圧シフトを分離するための標準的なテスト方法
• ASTM F996-11 亜臨界ボルタンメトリー特性を使用して、酸化ホールおよび界面特性に起因する電離放射線誘起金属酸化物半導体電界応答トランジスタにおける臨界電圧シフトの成分を決定するための標準的な試験方法

その他：   酸化ニオブは電気を通すのでしょうか？.