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UVガイド

UVガイドは全部で 109 項標準に関連している。

UVガイド 国際標準分類において、これらの分類：繊維製品、航空宇宙用電気機器およびシステム、送配電網、教育する、分析化学、農林、半導体ディスクリートデバイス、光学および光学測定、グラフィックシンボル、集積回路、マイクロエレクトロニクス、セラミックス、オプトエレクトロニクス、レーザー装置、化学製品、水質、パイプ部品とパイプ。

Group Standards of the People's Republic of China, UVガイド

T/GDTEX 15-2020 抗菌性と耐紫外線性の一方向水分ガイド生地
T/SHRH 044-2022 化粧品の修復・鎮静効果の評価～紫外線誘発性皮膚紅斑反応モデルに基づく試験方法～

Society of Automotive Engineers (SAE), UVガイド

SAE AIR5468-2000 航空機ワイヤーのマーキング用 UV レーザー

Professional Standard - Electricity, UVガイド

DL/T 345-2019 ライブ機器向けUV診断技術適用ガイドライン
DL/T 345-2010 ライブ機器向けUV診断技術適用ガイドライン

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, UVガイド

GJB 6727-2009 ミサイル尾炎紫外線放射シミュレータ一般仕様

Professional Standard - Electron, UVガイド

SJ/T 11818.2-2022 半導体 UV 発光ダイオードパート 2: チップ仕様
SJ/T 11818.3-2022 半導体 UV 発光ダイオードパート 3: デバイス仕様
SJ/T 11818.1-2022 半導体 UV 発光ダイオードパート 1: 試験方法
SJ/T 2658.3-2015 半導体赤外発光ダイオードの測定方法第3部逆電圧・逆電流
SJ/T 2658.2-2015 半導体赤外発光ダイオードの測定方法その2：順電圧
SJ 2658.2-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法順電圧降下試験方法
SJ 2658.3-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法逆電圧試験方法
SJ 2658.8-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法正常放射輝度の試験方法
SJ 2658.5-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法順直列抵抗の試験方法

American Society for Testing and Materials (ASTM), UVガイド

ASTM F1562-95(2005) 外国語によるユーザー主導の指示に関する標準ガイドライン
ASTM F1562-95(1999) 外国語によるユーザー主導の指示に関する標準ガイドライン
ASTM D8234-19 導電率のタンデム抑制と紫外線検出を備えたイオンクロマトグラフィーによる、高イオン水中の陰イオンを測定するための標準的な試験方法
ASTM D5904-02(2017) 紫外線過硫酸塩酸化および膜導電率による、水中の総炭素、無機および有機炭素の標準試験方法。
ASTM D5997-15 紫外線、過硫酸塩酸化、膜導電率検出法を使用して、水中の総炭素および無機炭素をオンラインモニタリングするための標準的な試験方法
ASTM F2019-20 UV 光硬化を使用して既存のパイプや導管を修理するための、現場硬化型ガラス繊維強化プラスチック (GRP-CIPP) の引き出し設置の標準的な手法。
ASTM D5997-96(2005) 紫外線、過硫酸塩の酸化、膜の導電率検出による水中の総炭素および無機炭素のオンラインモニタリングのための標準的な試験方法
ASTM D5997-96(2009) 紫外線、過硫酸塩の酸化、膜の導電率検出による水中の総炭素および無機炭素のオンラインモニタリングのための標準的な試験方法
ASTM D6317-98 紫外線、過硫酸塩酸化、膜導電率検出による水中の総炭素、有機炭素、無機炭素の低レベル測定のための標準的な試験方法
ASTM D6317-98(2004) 紫外線、過硫酸塩酸化、膜導電率検出による水中の総炭素、有機炭素、無機炭素の低レベル測定のための標準的な試験方法
ASTM D5997-96(2000) 紫外線、過硫酸塩の酸化、薄膜導電率検出を使用して、水中の総炭素と無機炭素をオンラインでモニタリングするための標準的な試験方法
ASTM D6317-98(2009) 紫外線過硫酸塩酸化および膜導電率検出による水中の総炭素、無機および有機炭素の低レベル測定のための標準試験方法
ASTM D5173-97(2007) 化学酸化、紫外線酸化、その両方の組み合わせ、気相非分散性赤外線 (NDIR) または電解伝導率および高温燃焼法による、水中の炭素化合物の瞬時モニタリングのための標準試験方法
ASTM D5904-96 紫外線、過硫酸塩酸化物、およびフィルムの導電率検出法を使用して、水中の総炭素、有機炭素、および無機炭素を測定するための標準的な試験方法
ASTM D5904-02 紫外線、過硫酸塩酸化物、および薄膜導電率検出を使用した、水中の全炭素、有機炭素、および無機炭素を測定するための標準試験方法
ASTM F2019-22 紫外線硬化を使用したガラス強化プラスチック現場硬化型 (GRP-CIPP) の引き込み設置による既存のパイプと導管の修理の標準的な手法
ASTM D5904-02(2009) 紫外線、過硫酸塩酸化物、および薄膜導電率検出を使用した、水中の全炭素、有機炭素、および無機炭素を測定するための標準試験方法
ASTM D6317-15 紫外線、過硫酸塩の酸化、膜導電率検出を使用して、水中の総炭素、無機炭素、および有機炭素を低レベルで測定するための標準的な試験方法

Association Francaise de Normalisation, UVガイド

NF ISO 10677:2011 テクニカルセラミックス半導体光触媒材料試験用UV光源
NF L52-252-307*NF EN 4057-307:2007 航空宇宙シリーズのワイヤおよびケーブルタイの試験方法パート 307: 紫外線に対する耐性
NF ISO 6547:2006 油圧トランスミッション。シリンダー。ピストンガイドリングはハウジングを密閉します。寸法と公差
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）を用いた半導体光触媒材料の検査用紫外線光源
NF ISO 10766:2014 油圧トランスミッション。シリンダー。ピストンおよびピストンロッド用の長方形断面ガイドのハウジング寸法
NF EN 2714-008:2007 航空宇宙シリーズ - 電気ケーブル、単導体および多導体ユニバーサル - 動作温度 -55oC ～ 260oC - パート 008: シールド (編組) およびジャケット、UV レーザーマーキング可能 - 製品規格
NF EN 2266-007:2006 航空宇宙シリーズ - 一般電気ケーブル - 動作温度 -55oC ～ 200oC - パート 007: UV レーザーマーキングジャケット付き多導体 - 製品規格
XP PR EN 2712-007:1996 航空宇宙シリーズ - 一般用途向けの単心ケーブルおよび多心ケーブル - 動作温度 - 55 ℃ ～ 150 ℃ - パート 007: 外装 (ラッピング) と被覆、UV レーザーマーキング...
NF EN 2713-011:2006 航空宇宙シリーズ - 一般用途向けの単心および多心ケーブル - 動作温度 -55oC ～ 200oC - パート 011: 銀メッキ銅、シールド (ラップおよびジャケット)、UV レーザーマーキング可能 - 標準...
NF EN 2713-007:2006 航空宇宙シリーズ - 一般用途向けの単心および多心ケーブル - 動作温度 -55oC ～ 200oC - パート 007: シールド (カバー) およびジャケット、UV レーザーマーキング可能 - 製品規格
NF EN 2713-008:2007 航空宇宙シリーズ - 一般用途向けの単心ケーブルおよび多心ケーブル - 動作温度 -55 ℃ ～ 200 ℃ - パート 008: シールド (編組) およびジャケット、UV レーザーマーキング可能 - 製品規格
NF EN 2714-007:2006 航空宇宙シリーズ - 一般用途向けの単心ケーブルおよび多心ケーブル - 動作温度 - 55 oC ～ 260 oC - パート 007: シールド (ラッピング) およびジャケット、UV レーザーマーキング可能 - 製品規格
NF EN 2714-013:2017 航空宇宙シリーズ - 一般用途向けの電気、単導体および多導体ケーブル - 動作温度 - 55 oC ～ 260 oC - パート 013: DR シリーズ、シールド (ラップ) およびジャケット付き、UV レーザーマーキング可能 - プロフェッショナル標準...
NF EN 2714-012:2006 航空宇宙シリーズ - 一般用途向けの単心および多心電気ケーブル - 動作温度 - 55 oC ～ 260 oC - パート 012: DM シリーズ、遮蔽 (編組) およびジャケット付き、UV レーザーマーキング可能 - 製造規格
NF EN 2714-011:2006 航空宇宙シリーズ - 一般用途向けの電気、単導体および多導体ケーブル - 動作温度 - 55 oC ～ 260 oC - パート 011: DM シリーズ、シールド (カバー) およびジャケット、UV レーザーマーキング可能 - 処理標準

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), UVガイド

KS D 2717-2008(2018) 紫外可視近赤外吸収分光法を用いた単層カーボンナノチューブすすの金属／半導体比の評価
KS C IEC 60748-2-9:2002 半導体デバイス、集積回路、パート 2: デジタル集積回路、セクション 9: MOS 紫外線消去可能プログラマブル読み取り専用メモリブランク詳細仕様
KS C IEC 60748-2-9-2002(2017) 半導体デバイス集積回路第 2 部: デジタル集積回路セクション 9: MOS 紫外線消去可能、電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリブランク詳細仕様
KS C IEC 60748-2-9-2002(2022) 半導体デバイス集積回路第 2 部: デジタル集積回路セクション 9: MOS 紫外線消去可能、電気的にプログラム可能な読み出し専用メモリブランク詳細仕様

Professional Standard - Agriculture, UVガイド

NY/T 1860.5-2016 農薬の物理的および化学的性質を決定するための試験ガイドラインパート 5: 紫外線/可視光吸収
NY/T 1860.5-2010 農薬の物理的および化学的特性を測定するためのテストガイドパート 5: 紫外線/可視光吸収

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, UVガイド

GB/T 37141.1-2022 高地における電気機器の UV 画像検査に関するガイドラインパート 1: 変電所
GB/T 17574.9-2006 半導体デバイス、集積回路、パート 2-9: デジタル集積回路、紫外線消去可能な電気的にプログラム可能な MOS 読み取り専用メモリの詳細仕様は空白。

British Standards Institution (BSI), UVガイド

BS EN 4057-307:2007 航空宇宙シリーズのワイヤおよびケーブルタイの試験方法パート 307: 紫外線に対する耐性
BS EN 4057-307:2006 航空宇宙シリーズ、ワイヤーおよびケーブルタイ、試験方法、パート 307: 紫外線に対する耐性
BS ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス）、半導体光触媒材料試験用紫外光源
BS IEC 60747-14-11:2021 半導体デバイス半導体センサー表面弾性波による紫外線、照度、温度測定用集積センサーの試験方法
19/30390371 DC BS IEC 60747-14-11 半導体デバイスパート 14-11 半導体センサー表面弾性波に基づく紫外線、照明、温度測定用の統合センサーの試験方法
18/30362458 DC BS IEC 60747-14-11 半導体デバイスパート 14-11 半導体センサー表面弾性波に基づく紫外線、照明、温度測定用の統合センサーの試験方法

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, UVガイド

GB/T 37141.2-2018 高地における電気機器の UV 画像検査に関するガイドラインパート 2: 送電線
GB/T 37131-2018 ナノテクノロジー半導体ナノ粉末材料の紫外可視拡散反射率スペクトルの試験方法
GB/T 23809.2-2020 緊急誘導システム設置の原則と要件その２：建物の外

German Institute for Standardization, UVガイド

DIN EN 4057-307:2008 航空宇宙シリーズ、ワイヤーおよびケーブルタイ、試験方法、パート 307: 紫外線に対する耐性
DIN EN 4681-003:2023 航空宇宙シリーズケーブル、汎用、アルミニウムまたは銅被覆アルミニウム導体付きパート 003: AD シリーズ、シングル、UV レーザー印刷可能な製品規格、英語版 prEN 4681-003:2023

European Committee for Standardization (CEN), UVガイド

EN 4057-307:2006 航空宇宙シリーズ、ワイヤーおよびケーブルタイの試験方法、パート 307: 紫外線に対する耐性

Defense Logistics Agency, UVガイド

DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 UV消去可能なプログラマブルロジックデバイス相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-88549 REV A-1992 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 UV消去可能なプログラマブルロジックデバイスデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 シリコンモノリシック、UV消去可能なプログラマブルロジック設定、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-90989 REV A-2006 シリコンモノリシック相補型金属酸化膜半導体 UV プログラマブルロジックアレイ、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-91772-1993 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体、UV消去可能なロジックアレイ、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-93248-1993 シリコンモノリシック、電圧UV消去可能なプログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-88548 REV A-1992 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 UV消去可能なプログラマブルロジックデバイスデジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-88678 REV B-2005 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-88724 REV D-2007 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化物半導体UV消去可能なデジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-88726 REV E-2007 シリコンモノリシックプログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化物半導体UV消去可能なデジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-85102 REV E-2005 シリコンモノリシック 8KX8 UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-91584-1992 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブルロジックアレイ、相補型金属酸化物半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-92062 REV B-2007 シリコンモノリシック UV ワイパブルプログラマブルロジックデバイス、相補型金属酸化膜半導体、デジタルマスターメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-89468 REV C-2007 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブルロジックアレイ相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-89469 REV B-1994 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブルロジックデバイス相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-89476-1992 シリコンモノリシック UV 消去可能プログラマブルロジックデバイス相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-93245-1993 シリコンモノリシック、拡張電圧 UV 消去可能プログラマブルロジックアレイ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 シリコンモノリシック、32K
DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 シリコンモノリシック、4K
DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 シリコンモノリシック 144 ビット (32KX8) UV 消去可能プログラム 262 相補型金属酸化膜半導体、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-87648 REV E-2006 シリコンモノリシック 64K
DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 シリコンモノリシック、128K
DLA SMD-5962-89815 REV B-2007 シリコンモノリシック、2K
DLA SMD-5962-93122-1993 シリコンモノリシック、2K
DLA SMD-5962-87529 REV E-2006 シリコンモノリシック2K
DLA SMD-5962-90754 REV A-1992 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 UV消去可能な同期プログラマブルロジックデバイス、デジタルメインメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 シリコンモノリシック8K
DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 512K
DLA SMD-5962-92071-1994 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 64K
DLA SMD-5962-92140-1992 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体128K
DLA SMD-5962-86805 REV F-2006 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 64X 16 ビット UV 拡張プログラマブル読み取り専用メモリ、デジタルボディメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体 256K
DLA SMD-5962-89538 REV A-1993 シリコンモノリシックパワードロップ 16K x 8 UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 シリコンモノリシック相補型金属酸化物半導体登録 32K

International Organization for Standardization (ISO), UVガイド

ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）、半導体光触媒材料検出用紫外線源

KR-KS, UVガイド

KS L ISO 10677-2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス）半導体光触媒材料検査用紫外線光源

EU/EC - European Union/Commission Legislative Documents, UVガイド

NO 859/2009-2009 規則 (EC) No 244/2009 を修正する委員会規則 ((EEA 関連テキスト))

International Electrotechnical Commission (IEC), UVガイド

IEC 60747-14-11:2021 半導体デバイスパート 14-11: UV、照度、温度測定用の表面弾性波ベースの統合センサーの半導体センサー試験方法
IEC 60748-2-9:1994 半導体デバイス集積回路第 2 部: デジタル集積回路第 9 部: MOS UV 消去可能プログラマブル読み取り専用メモリブランク詳細仕様

International Telecommunication Union (ITU), UVガイド

ITU-T X.780.2-2007 サービス指向の Common Object Request Broker Architecture (CORBA) 管理対象オブジェクトとファサードオブジェクトを定義するための TMN ガイドライン (研究グループ 4)