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ダブルアンチチャージ

ダブルアンチチャージは全部で 115 項標準に関連している。

ダブルアンチチャージ 国際標準分類において、これらの分類：電気工学総合、集積回路、マイクロエレクトロニクス、印刷技術、建材、航空宇宙製造用部品、航空宇宙製造用の材料、バルブ、鉄鋼製品、半導体ディスクリートデバイス、電子および通信機器用の電気機械部品、情報技術の応用、建物内の設備、通信システム、通信網、電磁両立性 (EMC)、通信機器の部品および付属品、ワイヤーとケーブル。

Society of Automotive Engineers (SAE), ダブルアンチチャージ

SAE AS27647E-2021 ベアリング、ボール、ボディ、アンチフリクション、エクストラワイド、複列、中荷重
SAE AS27647F-2022 ベアリング、ボール、ボディ、アンチフリクション、エクストラワイド、複列、中荷重

SAE - SAE International, ダブルアンチチャージ

SAE AS27647-1998 ベアリング、ボール、ボディ、アンチフリクション、エクストラワイド、複列、中荷重
SAE AS27647A-1998 ベアリング、ボール、ボディ、アンチフリクション、エクストラワイド、複列、中荷重
SAE AS27647C-2012 ベアリング、ボール、ボディ、アンチフリクション、エクストラワイド、複列、中荷重
SAE AS27647B-2002 ベアリング、ボール、ボディ、アンチフリクション、エクストラワイド、複列、中荷重

TIA - Telecommunications Industry Association, ダブルアンチチャージ

TIA/EIA-455-41A-1993 FOTP-41 光ファイバーケーブルの耐圧縮荷重性

Professional Standard - Electricity, ダブルアンチチャージ

DL/T 533-1993 無線負荷制御双方向端末の技術条件

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, ダブルアンチチャージ

JEDEC JESD203-2005 デュアル電源レベル変換装置の標準負荷試験

Group Standards of the People's Republic of China, ダブルアンチチャージ

T/CEEIA 396-2019 マイクログリッド耐荷重衝撃検出装置の技術仕様

Professional Standard - Agriculture, ダブルアンチチャージ

250药典三部-2020 測定法 3129 モノクローナル抗体の電荷変異体決定法
211药典四部-2020 3100 含有量決定方法 3129 モノクローナル抗体の電荷変異体の決定方法

Defense Logistics Agency, ダブルアンチチャージ

DLA SMD-5962-96832 REV C-2007 放射線ハードデュアル低消費電力ビデオバッファデュアルシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-07215 REV B-2010 マイクロ回路、リニア、BiCMOS、耐放射線性、デュアル高速、電圧コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-07215 REV C-2012 マイクロ回路、リニア、BiCMOS、耐放射線性、デュアル高速、電圧コンパレータ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95813 REV G-2013 マイクロ回路、リニア耐放射線性 CMOS、デュアル SPDT アナログスイッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97512 REV D-2005 放射線耐性のあるデュアルマルチ周波数高入力インピーダンス非補償オペアンプ、シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
DLA SMD-5962-96786 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、CMOS/TTL コンバータ、8 ビット、双方向、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95812 REV D-2013 マイクロ回路、リニア放射線耐性強化CMOS、デュアルチャネル、DPSTアナログスイッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96622 REV C-2005 耐放射線相補型金属酸化膜半導体デュアルクラスD双安定マルチバイブレータシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96629 REV C-2003 放射線ハード相補型金属酸化膜半導体デュアル JK 双安定マルチバイブレータシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96526 REV D-2012 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、デュアル 4 入力 NAND ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96831 REV B-2003 耐放射線性デュアル低電力ビデオ閉ループバッファシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-95784 REV B-2004 高速放射ハード相補型金属酸化膜半導体デュアルJK双安定マルチバイブレータシリコンモノリシック回路線形マイクロ回路
DLA SMD-5962-99558 REV G-2008 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、高速、デュアル出力パルス幅変調、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-02547 REV A-2010 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、デュアル、ブロードバンドビデオオペアンプ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-99558 REV H-2012 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、高速、デュアル出力パルス幅変調、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-10205 REV A-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、1MEG
DLA SMD-5962-10205 REV B-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、1MEG
DLA SMD-5962-10206-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、2MEG
DLA SMD-5962-10207-2013 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、4MEG
DLA SMD-5962-10205-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、1MEG
DLA SMD-5962-96644 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性 CMOS、デュアル 2 入力 NAND バッファ/ドライバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-04227 REV C-2009 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、512K x 32 ビット (16 M)、耐放射線性、デュアル電圧 SRAM、マルチチップモジュール
DLA SMD-5962-95802 REV A-1998 高速放射線耐性相補型金属酸化膜半導体、デュアルJK双安定マルチバイブレータシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路を設定可能
DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 放射線耐性相補型金属酸化物半導体デュアル NAND ゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-10211 REV A-2011 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、デュアル 2:1、広帯域幅、アクティブマルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96701 REV C-2000 放射線耐性相補型金属酸化膜半導体、クワッド双方向スイッチシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95813 REV F-2008 二極二重接続アナログスイッチを備えた放射線耐性のある相補型金属酸化物半導体構造で構成されるリニアシングルシリコンマイクロ回路
DLA SMD-5962-96540 REV F-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、クリアおよびプリセットされたモノリシックシリコンを備えたデュアル JK フリップフロップ
DLA SMD-5962-96534 REV E-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、クリアおよびプリセットされたモノリシックシリコンを備えたデュアル D フリップフロップ
DLA SMD-5962-96540 REV G-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、クリアおよびプリセットされたモノリシックシリコンを備えたデュアル JK フリップフロップ
DLA SMD-5962-96534 REV F-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、クリアおよびプリセットされたモノリシックシリコンを備えたデュアル D フリップフロップ
DLA SMD-5962-96540 REV H-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、クリアおよびプリセットされたモノリシックシリコンを備えたデュアル JK フリップフロップ
DLA SMD-5962-96540 REV J-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、クリアおよびプリセットされたモノリシックシリコンを備えたデュアル JK フリップフロップ
DLA SMD-5962-96526 REV C-2005 耐放射線性相補型金属酸化膜半導体デュアル 4 入力非シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-96596 REV B-2007 放射線耐性相補型金属酸化物半導体、デュアル 4 入力 AND ゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96669 REV B-2000 耐放射線相補型金属酸化物半導体、デュアルアップカウンターシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95779 REV B-1999 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体デュアル 4 入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-96566 REV G-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、同期 4 ビットアップ/ダウンデュアルクロックカウンター、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96566 REV H-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、同期 4 ビットアップ/ダウンデュアルクロックカウンター、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95733 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高速 CMOS、デュアル 4 入力 NAND ゲート、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95767 REV A-1998 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体デュアル 2 ビット双安定透明ラッチデバイス、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
DLA SMD-5962-96652 REV C-2003 耐放射線相補型金属酸化膜半導体クワッド双方向スイッチシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96667 REV B-2000 耐放射線性相補型金属酸化物半導体デュアル 4 ビットラッチングデバイスシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96680 REV C-2000 耐放射線性相補型金属酸化物半導体デュアル 4 ビットラッチングデバイスシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96673 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、CMOS、耐放射線性、デュアルバイナリ - 4 デコーダ/デマルチプレクサ 1、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96618 REV B-1997 放射線ハード相補型金属酸化物半導体デュアル相補型加算インバータシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95778 REV A-1998 高速放射ハード相補型金属酸化膜半導体デュアル4入力および非シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-10202 REV B-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、1MEG
DLA SMD-5962-10203-2012 マイクロ回路、メモリ、デジタル、CMOS、2MEG
DLA SMD-5962-95763 REV E-2005 高速放射線耐性相補型金属酸化膜半導体、デュアル D 双安定マルチバイブレータ設定可能、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
DLA SMD-5962-96566 REV F-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、同期 4 ビットアップ/ダウンデュアルクロックカウンター、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95750 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高速CMOS、耐放射線性、デュアルクワッドバイナリカウンター、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96601 REV A-1997 耐放射線性相補型金属酸化物半導体 4 ビット双方向変換レジスタシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96613 REV B-1997 放射線ハード相補型金属酸化物半導体 JK 双安定マルチバイブレータシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95790 REV A-1998 高速放射ハード相補型金属酸化膜半導体デュアル4入力マルチプレクサシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-95738 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体デュアル JK 双安定マルチバイブレータと再配置されたトランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
DLA SMD-5962-95769 REV C-1999 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、構成可能なデュアル JK 双安定マルチバイブレータ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
DLA SMD-5962-02511 REV E-2008 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、高速、SEU 保護デュアル出力パルス幅変調器、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-02511 REV F-2010 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、高速、SEU 保護デュアル出力パルス幅変調器、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-02511 REV G-2011 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、高速、SEU 保護デュアル出力パルス幅変調器、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96639 REV A-1998 耐放射線相補型金属酸化物半導体デュアル 2 幅 2 入力 NAND ゲートシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96702 REV B-2000 耐放射線強化相補型金属酸化膜半導体、二重高精度単安定マルチバイブレータ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96605 REV C-2003 耐放射線相補型金属酸化物半導体六方晶系D級双安定マルチバイブレータシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96606 REV B-1997 耐放射線相補型金属酸化膜半導体クワッドクラスD双安定マルチバイブレータシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96644 REV C-2003 耐放射線性相補型金属酸化膜半導体デュアル 2 シリコンモノリシック回路非バッファまたはドライバを備えたデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 耐放射線強化相補型金属酸化物半導体、デュアル 64 ステージ静的シフトレジスタ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96704 REV C-2000 耐放射線性相補型金属酸化物半導体、デュアル JK スリーステート出力バッファ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96550 REV C-2007 高度な CMOS 耐放射線デジタルマイクロ回路、デュアル 4 線式から 1 線式デジタルセレクター/マルチプレクサー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96685 REV C-2003 耐放射線バイポーラ相補型金属酸化物半導体、3.3ボルト16ビットバッファまたはドライバ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96535 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、クリアおよびプリセット付きデュアル D フリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96535 REV E-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、クリアおよびプリセット付きデュアル D フリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95753 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、耐放射線性、デュアル 2 ～ 4 ワイヤデコーダ/デマルチプレクサ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96578 REV B-2005 放射線ハードデジタル相補型金属酸化物半導体、八角形D双安定マルチバイブレータ、シリコンモノリシック線形マイクロ回路
DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 耐放射線相補型金属酸化物半導体、デュアル 4 入力 NAND トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、デュアル 4 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 高速放射ハード相補型金属酸化物半導体デュアル 4 入力トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-96547 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、デュアル 2 線式から 4 線式デコーダ/デマルチプレクサ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98580 REV G-2008 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付きシュミット 16 ビット双方向多目的トランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98580 REV H-2009 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付きシュミット 16 ビット双方向多目的トランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98580 REV J-2010 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付きシュミット 16 ビット双方向多目的トランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97517-1997 放射線耐性のあるデュアル相補型金属酸化物半導体、32K X 8-BIT プログラマブル読み取り専用メモリシリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-97544-1997 耐放射線性デュアル相補型金属酸化膜半導体、8K X 8-BITプログラマブルランダムアクセスメモリ、シリコンモノリシック回路デジタルメモリマイクロ回路
DLA SMD-5962-95782 REV E-2005 高速放射ハード相補型金属酸化膜半導体クワッド 2 入力双安定マルチバイブレータシリコンモノリシック回路線形マイクロ回路
DLA SMD-5962-96673 REV C-2000 耐放射線性相補型金属酸化膜半導体、デュアルバイナリ 1 ～ 4 デコーダおよび信号スプリッタ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 高速放射線耐性相補型金属酸化物半導体、デュアルリップルカウンター、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
DLA SMD-5962-11207 REV D-2011 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、耐放射線性、16 ビットデュアル電源バストランシーバおよびバスホールド付きレベルシフタ、サイド直列抵抗およびトライステート出力、モノリシックシリコン

HU-MSZT, ダブルアンチチャージ

MSZ 20867-1977 電圧リアクタンスが 3.6kV を超える双方向のポータブル電気機器

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, ダブルアンチチャージ

NEMA WC 76-2018 内部ケーブルのインピーダンス制御シールド付きツイストペアの規格

American Society for Testing and Materials (ASTM), ダブルアンチチャージ

ASTM F1425-92(1996) 二成分現像剤材料の摩擦帯電を測定するための標準試験方法
ASTM F1425-92(2001) 二成分現像剤材料の摩擦帯電を測定するための標準試験方法

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, ダブルアンチチャージ

CNS 14795-2004 帯電量で表すコンクリートの耐塩素イオン浸透性試験方法

Lithuanian Standards Office , ダブルアンチチャージ

LST EN 2361-2001 航空宇宙シリーズボールエンド、耐食鋼製ダブルシャンクかしめ形状、コントロールケーブルの寸法と荷重

European Association of Aerospace Industries, ダブルアンチチャージ

AECMA PREN 4156-1996 航空宇宙シリーズロッドエンド自動校正複列ボールベアリングと直線模様装飾鋼製内輪耐食鋼サイズ荷重シリーズ P1バージョン

Professional Standard - Electron, ダブルアンチチャージ

SJ 2691-1986 センターマウント、デュアルホール位置決めロータリーディスクスイッチタイプ KX13 (低電気負荷) 最大 12 ポジション、最大直径 42 mm

German Institute for Standardization, ダブルアンチチャージ

DIN EN 62056-31:2000 電力測定検針、料金および負荷制御のためのデータ交換パート 31: キャリア信号によるツイストペアローカルエリアネットワークの使用

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), ダブルアンチチャージ

KS C IEC 62056-31-2005(2020) 電力量メーターの読み取り、料金および負荷制御のためのデータ交換パート 31: キャリア信号によるツイストペアローカルエリアネットワークの使用
KS C IEC 62056-31:2005 電力測定検針、料金および負荷制御のためのデータ交換パート 31: キャリア信号によるツイストペアローカルエリアネットワークの使用
KS C IEC 60287-1-2:2003 ケーブル定格電流の計算第 1 部: 定格電流計算式 (負荷率 100%) と損失率の計算第 2 部: 平面構造の 2 回路リードパッケージの渦電流損失率の計算

Military Standards (MIL-STD), ダブルアンチチャージ

DOD SMD-5962-96673 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、CMOS、耐放射線性、デュアルバイナリ - 4 デコーダ/デマルチプレクサ 1、モノリシックシリコン

International Electrotechnical Commission (IEC), ダブルアンチチャージ

IEC 62056-31:1999 電力メーターの読み取り、料金および負荷制御のためのデータ交換パート 31: キャリア信号によるツイストペアローカルエリアネットワークの使用

British Standards Institution (BSI), ダブルアンチチャージ

BS IEC 62153-4-10:2015 金属通信ケーブルの試験方法電磁両立性 (EMC) フィードスルーおよび電磁スペーサーの伝送インピーダンスとシールド減衰ツイン同軸試験方法
BS IEC 62153-4-10:2015+A1:2020 金属通信ケーブルの試験方法 - 電磁両立性 (EMC) フィードスルーおよび電磁ワッシャーの伝送インピーダンスおよびシールド減衰ツイン同軸試験方法

Professional Standard - Machinery, ダブルアンチチャージ

JB/T 10181.12-2014 ケーブル電流容量計算その12：電流容量計算式（100％負荷率）と損失計算 2回路平面配置ケーブル金属シースの渦電流損失係数