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2電極3電極方式

2電極3電極方式は全部で 500 項標準に関連している。

2電極3電極方式 国際標準分類において、これらの分類：オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 電子管、 半導体ディスクリートデバイス、 金属材料試験、 電磁両立性 (EMC)、 回転モーター、 パラフィン、瀝青材、その他の石油製品、 光ファイバー通信、 流体動力システム、 航空宇宙用電気機器およびシステム、 整流器、コンバータ、安定化電源、 電子機器、 建物の保護、 電灯および関連器具、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 電気工学総合、 特殊な作業条件下で使用される電気機器、 コンデンサ、 果物、野菜およびその製品、 総合電子部品、 無線通信、 半導体材料、 計測学と測定の総合、 環境試験、 電気および電子試験、 絶縁流体、 電子表示装置、 バルブ、 開閉装置とコントローラー、 原子力工学。


Professional Standard - Aviation, 2電極3電極方式

CZ-CSN, 2電極3電極方式

  • CSN 35 8736-1964 半導体ダイオード。 電極間静電容量の測定
  • CSN 35 8760-1973 半導体。 ツェナーダイオード。 電圧温度係数測定
  • CSN 35 8732-1964 半導体ダイオード。 順電流測定
  • CSN 35 8761-1973 半導体装置。 フォトトランジスタフォトダイオード。 光電流測定
  • CSN 35 8762-1973 半導体装置。 フォトトランジスタフォトダイオード。 暗電流測定
  • CSN 35 8735-1964 半導体ダイオード。 直流電流および直流電圧の測定
  • CSN 35 8785-1975 半導体装置。 バラクタダイオード。 熱容量係数の測定
  • CSN 35 8734-1975 半導体デバイス。 ダイオード。 逆電流測定。
  • CSN 35 8767-1982 半導体ダイオード。 電気的パラメータの測定方法
  • CSN 35 8737-1975 半導体装置。 ダイオード。 微分抵抗の測定
  • CSN 35 8733-1975 半導体装置。 ダイオード。 逆電圧（動作電圧）の測定
  • CSN 35 8769-1983 半導体ツェナーダイオード。 電気的パラメータの測定方法
  • CSN 35 8768-1983 半導体スイッチングダイオード。 電気的パラメータの測定方法
  • CSN 35 8766-1976 半導体デバイス。 スイッチングダイオード。 順電圧測定
  • CSN 35 8731-1975 半導体装置。 ダイオード。 直流順電圧の測定
  • CSN 35 8763-1973 半導体装置。 ダイオード。 逆耐電圧の測定
  • CSN 35 8765-1976 半導体装置。 スイッチングダイオード。 逆回復電荷の測定
  • CSN 35 8797 Cast.2 IEC 747-2:1990 半導体装置。 ディスクリートデバイスと集積回路。 パート 2: 整流ダイオード
  • CSN 35 8781-1983 半導体UHFダイオードの混合と検出。 電気的パラメータの測定方法

Professional Standard - Electron, 2電極3電極方式

  • SJ 2214.10-1982 半導体フォトダイオードおよび三極管の光電流のテスト方法
  • SJ 2214.6-1982 半導体フォトトランジスタのコレクタ・エミッタ逆耐圧試験方法
  • SJ/T 2214-2015 半導体フォトダイオードおよびフォトトランジスタの試験方法
  • SJ 2214.8-1982 半導体フォトトランジスタの暗電流試験方法
  • SJ 50033/112-1996 半導体光電子デバイス GD3251Y型フォトダイオード詳細仕様
  • SJ 50033/113-1996 半導体光電子デバイス GD3252Y型フォトダイオード詳細仕様
  • SJ 2214.3-1982 半導体フォトダイオードの暗電流試験方法
  • SJ 2214.5-1982 半導体フォトダイオードの接合容量の試験方法
  • SJ 20644.1-2001 半導体光電子デバイスの詳細仕様 GD3550Y型PINフォトダイオード
  • SJ 20644.2-2001 半導体光電子デバイスの詳細仕様 GD101型PINフォトダイオード
  • SJ 1386-1978 ノイズダイオードとガス放電ノイズ管の試験条件
  • SJ 1385-1978 ノイズダイオードおよびガス放電ノイズチューブ 一般的な技術条件
  • SJ 2215.6-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）接合容量の試験方法
  • SJ 2142-1982 シリコンツェナーダイオードの電流温度係数の試験方法
  • SJ 2215.3-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の順電流試験方法
  • SJ 2214.4-1982 半導体フォトダイオードの逆耐圧試験方法
  • SJ 2215.4-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の逆電流試験方法
  • SJ 1391-1978 ノイズダイオードの冷間電圧定在波係数の試験方法
  • SJ 2354.12-1983 アバランシェフォトダイオードの逆耐圧温度係数の試験方法
  • SJ 2215.9-1982 半導体フォトカプラ（トランジスタ）の逆方向遮断電流の試験方法
  • SJ/T 2658.4-2015 半導体赤外発光ダイオードの測定方法 第4部：総静電容量
  • SJ 50033/22-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CC51Eタイプ シリコン電気可変容量ダイオード 詳細仕様
  • SJ 50033/110-1996 半導体光電子デバイス詳細仕様 GR9413型赤外発光ダイオード
  • SJ 50033/136-1997 半導体光電子デバイス GF116赤色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 2215.5-1982 半導体フォトカプラ（ダイオード）の逆耐圧試験方法
  • SJ 50033/143-1999 半導体光電子デバイス GF1120型赤色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 53930/1-2002 半導体光電子デバイス GR8813型赤外線発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/137-1997 半導体光電子デバイス GF216オレンジ色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/139-1998 半導体光電子デバイス GF4111緑色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/138-1998 半導体光電子デバイス タイプ GF318 黄色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/58-1995 半導体光電子デバイス GF413 緑色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 2658.4-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 静電容量の試験方法
  • SJ/T 11393-2009 半導体光電子デバイスの発光ダイオードに電力を供給するための空白の詳細仕様
  • SJ 20188-1992 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様書 2CW3016～3051タイプ 電圧調整ダイオード
  • SJ 50033/142-1999 半導体光電子デバイス GF4112緑色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/57-1995 半導体光電子デバイス GF115 赤色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ/T 2658.2-2015 半導体赤外発光ダイオードの測定方法その2：順電圧
  • SJ/T 2658.5-2015 半導体赤外発光ダイオードの測定方法 第5部 直列抵抗
  • SJ/T 10947-1996 電子部品 FG341052、FG343053型半導体緑色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/25-1994 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様 2CW1001～2CW1005タイプ シリコン電圧調整ダイオード
  • SJ 50033/150-2002 半導体ディスクリートデバイス 2DW230～236 シリコン電圧基準ダイオード 詳細仕様
  • SJ 20185-1992 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様書 2DW232～236タイプ シリコン基準電圧ダイオード
  • SJ 50033/161-2002 半導体ディスクリートデバイス 2CW210～251 シリコン電圧調整ダイオード 詳細仕様
  • SJ 20186-1992 半導体ディスクリートデバイス詳細仕様書 2CW2970～3015タイプ シリコン電圧調整ダイオード
  • SJ 50033/117-1997 半導体ディスクリートデバイス 2CK38タイプ シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
  • SJ 50033/26-1994 半導体ディスクリートデバイス 2CW1006～2CW1015タイプ シリコン電圧調整ダイオード 詳細仕様
  • SJ 2658.3-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 逆電圧試験方法
  • SJ/T 11400-2009 半導体光電子デバイス用低出力発光ダイオードの詳細仕様は空白
  • SJ 50033/115-1997 半導体ディスクリートデバイス 2CK28型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
  • SJ 50033/116-1997 半導体ディスクリートデバイス 2CK29型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
  • SJ 50033/109-1996 半導体光電子デバイス 半導体レーザーダイオード タイプ GJ9031T、GJ9032T、GJ9034T 詳細仕様
  • SJ/T 2658.3-2015 半導体赤外発光ダイオードの測定方法 第3部 逆電圧・逆電流
  • SJ 50033/162-2003 半導体ディスクリートデバイス 2CW1022タイプ シリコン双方向電圧調整ダイオード 詳細仕様
  • SJ 50033/99-1995 半導体光電子デバイス GF511 オレンジ/緑色 2 色発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/133-1997 半導体ディスクリートデバイス SY5629～5665Aタイプ過渡電圧抑制ダイオード詳細仕様
  • SJ 20642.7-2000 半導体光電子デバイス GR1325J タイプ長波長発光ダイオードアセンブリの詳細仕様
  • SJ/T 11817-2022 半導体光電子デバイス用発光ダイオード、フィラメントランプの詳細仕様は空白
  • SJ/T 2658.16-2016 半導体赤外発光ダイオードの測定方法 第16回 光電変換効率
  • SJ/T 10948-1996 電子部品詳細仕様 FG313052、FG314053、FG313054、FG314055型半導体赤色発光ダイオード
  • SJ/T 11866-2022 半導体光電子デバイス - シリコン基板白色光パワー発光ダイオードの詳細仕様
  • SJ 20068-1992 半導体ディスクリートデバイス 低雑音シリコン基準電圧ダイオード タイプ2DW14～18の詳細仕様
  • SJ 50033/151-2002 半導体ディスクリートデバイス 2DW14～18タイプの低雑音シリコン基準電圧ダイオード 詳細仕様
  • SJ 2658.5-1986 半導体赤外発光ダイオードの試験方法 順直列抵抗の試験方法
  • SJ/T 10959-1996 電子部品 3CT315 ケース定格アバランシェ 3 極サイリスタの詳細仕様 (認証取得可能)
  • SJ 50033/144-1999 半導体ディスクリートデバイス 2CW50~78 ガラス不動態化パッケージシリコン電圧調整ダイオードの詳細仕様
  • SJ 50033/149-2000 半導体ディスクリートデバイス 2CW100～121タイプガラスパッシベーションパッケージシリコン電圧調整ダイオードの詳細仕様
  • SJ/T 10958-1996 電子部品詳細仕様 3CT320型ケース定格逆阻止三極サイリスタ（認証取得可能）

Defense Logistics Agency, 2電極3電極方式

  • DLA A-A-55168 D-2012 ヒューズ ホルダー、ブロック、クラス H、30 Amp、250 VAC、1 極、2 極、および 3 極
  • DLA A-A-55426 D-2012 ヒューズ ホルダー、ブロック、クラス H、60 Amp、600 VAC、1 極、2 極、および 3 極
  • DLA A-A-55427 D-2012 ヒューズ ホルダー、ブロック、クラス H、60 Amp、250 VAC、1 極、2 極、および 3 極
  • DLA A-A-55428 D-2012 ヒューズ ホルダー、ブロック、クラス H、30 Amp、600 VAC、1 極、2 極、および 3 極
  • DLA A-A-55429 D-2012 ヒューズ ホルダー、ブロック、クラス H、100 Amp、600 VAC、1 極、2 極、および 3 極
  • DLA MIL-PRF-19500/656 A-2008 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキー ダイオード、電力整流器、カソード共通またはアノード共通のセンター タップ、タイプ 1N6785 および 1N6785R、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
  • DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、高導電タイプ JAN 1N3207
  • DLA MIL-PRF-19500/507 F-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、バイポーラ過渡電圧サプレッサ、タイプ 1N6036A ～ 1N6072A JAN、JANTX および JANTXV
  • DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、バイポーラ過渡電圧サプレッサ、タイプ 1N6950 ～ 1N6986、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/718 VALID NOTICE 2-2013 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、バイポーラ過渡電圧サプレッサ、タイプ 1N6950 ～ 1N6986、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/199 D VALID NOTICE 1-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、順電圧レギュレータ、タイプ 1N816、JAN
  • DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 トリプル 3 入力正 AND ゲート トランジスタ シリコン モノリシック回路デジタル バイポーラマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-19500/500 E (1)-2013 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ユニポーラ過渡電圧サプレッサ、タイプ 1N5555 ～ 1N5558、1N5907、1N5629A ～ 1N5665A、JAN、JANTX および JANTXV
  • DLA MIL-DTL-52286/2 C-2010 ケーブル アセンブリ、電源、電気、2 芯、長さ 20 フィート、楕円形終端、2 極コネクタ 3 個付き
  • DLA SMD-5962-97581 REV A-2006 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、改良型ショットキー トランジスタ論理回路、3 ウェイ 3 入力正 AND ゲート、単一シリコン
  • DLA MIL-PRF-19500/642 D VALID NOTICE 1-2012 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、電力整流器、デュアル、共通カソードまたはアノードセンタータップ、超高速、タイプ 1N6762 ～ 1N6765 および 1N6762R ～ 1N6765R JANTX、JANTXV および JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/259 A NOTICE 2-1999 JAN-1N1130、JAN-1N1131 電力整流用シリコンダイオード半導体デバイス
  • DLA DESC-DWG-85031 REV A-1994 125 ボルト 15 アンペア 2 極 3 線式環境に優しい接地可能な単一ユニバーサル電力貯蔵コネクタ
  • DLA MIL-PRF-19500/644 A VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、電力整流器、デュアル、共通カソードまたはアノードセンタータップ、超高速、タイプ 1N6768 ～ 1N6771 および 1N6768R ～ 1N6771R JAN、JANTX、JANTXV および JANS
  • DLA W-C-596/110 B VALID NOTICE 1-2006 20A、277V/、50/60Hz 2極3線接地特殊用途緩み止めオスソケット電気ソケットコネクタ
  • DLA DSCC-DWG-03021-2003 TX および TXV タイプ 1N5597、1N56001、N5603、高電圧整流器モジュール、整流器シリコン ダイオード半導体デバイス
  • DLA MIL-PRF-19500/205 B NOTICE 1-1999 JAN、JANTX、および JANTXV タイプ 1N3287 順電圧基準低レベルゲルマニウム ダイオード半導体デバイス
  • DLA MIL-PRF-19500/286 H-2008 半導体デバイス、シリコン ダイオード電力整流器、モデル 1N4245 ～ 1N4249、JAN、JANTX、JANTXV、および JANHC
  • DLA SMD-5962-97559 REV A-2006 八角形バッファおよびトライステート出力行ドライバ トランジスタ シリコン モノリシック回路 デジタル バイポーラ マイクロ回路
  • DLA MIL-S-19500/329 C VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、シリコンダイオード、電圧可変コンデンサタイプ 1N4801A～1N4815A、1N4801B～1N4815B JAN、JANTX、JANTXV
  • DLA MIL-PRF-19500/436 A VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、電圧可変コンデンサタイプ 1N5461B～1N5476B、1N5461C～1N5476C JAN、JANTX、JANTXV
  • DLA SMD-5962-90781 REV B-2006 シリコンモノリシックトライステートバッファ、高度なショットキートランジスタ、トランジスタロジック、バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-19500/359 H-2008 1N4942、1N4944、1N4946、1N4947、1N4948、JAN、JANTX、JANTXV 電力整流器、ファストリカバリシリコンダイオード半導体デバイス
  • DLA MIL-S-19500/484 VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、電力整流器、汎用TXおよび非TXタイプ1N5835および1N5836
  • DLA MIL-PRF-19500/434 E-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、過渡電圧保護回路、タイプ1N5610～1N5613、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/434 E (2)-2013 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、過渡電圧保護回路、タイプ1N5610～1N5613、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA SMD-5962-90772 REV C-2004 シリコンモノリシック入力、トリプルトリプル入力アノードゲート、高度な相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、16ビット3ポートバススリーステート出力コンバータ、トランジスタ入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-19500/646 E VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、電力整流器、超高速、タイプ 1N6774 ～ 1N6777、JAN、JANTX、JANTXV、および JANS
  • DLA SMD-5962-85511 REV D-2005 トライステート出力バスレシーバトランジスタ-トランジスタ論理回路、高度なショットキー、バイポーラデジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリス
  • DLA SMD-5962-97580 REV A-2006 調整可能なデュアル JK ポジティブトリガー スリーステート出力 双安定マルチバイブレータ シリコンモノリシック回路 デジタルバイポーラマイクロ回路
  • DLA W-C-375/3 D-2009 サーキットブレーカー、モールドケース、分岐回路およびサービス、タイプ I、直列トリップ、3 極 (10 ～ 100 アンペア)
  • DLA W-C-375/7 D-2009 サーキットブレーカー、モールドケース、分岐回路およびサービス、タイプ I、直列トリップ、3 極 (15 ～ 100 アンペア)
  • DLA W-C-375/15 B-2009 サーキットブレーカー、モールドケース、分岐回路およびサービス、タイプ I、直列トリップ、3 極 (15 ～ 100 アンペア)
  • DLA W-C-375/18 C-2009 サーキットブレーカー、モールドケース、分岐回路およびサービス、タイプ I、直列トリップ、3 極 (10 ～ 100 アンペア)
  • DLA MIL-PRF-28776/5 G VALID NOTICE 1-2010 リレー、ハイブリッド、高信頼性、SPDT、低レベル～1.0アンペア（トランジスタ駆動）（電気機械出力）、ダイオードコイル抑制付き
  • DLA MIL-S-19500/155 E VALID NOTICE 4-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、電力整流器、一般タイプ 1N3189、1N3190、1N3191、TXタイプ、非TXタイプ
  • DLA MIL-PRF-19500/627 B-2012 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、超高速リカバリ、電力整流器、1N6688、1N6689、1N6688US、1N6689US JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA SMD-5962-97549-1997 八角形クラス D トリガ スリーステート出力双安定マルチバイブレータ トランジスタ シリコン モノリシック回路デジタル バイポーラ マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-91627 REV A-2004 シリコンモノリシック 4 列 2 入力 Yes/No ドライバー、改良されたショットキートランジスタトランジスタ論理回路、バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-19500/359 J-2009 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、高速リカバリ、電力整流器、1N4942、1N4944、1N4946、1N4947、1N4948、JAN、JANTX、JANTXV
  • DLA MIL-PRF-19500/516 E-2009 半導体デバイス、ダイオードシリコン、バイポーラ過渡電圧サプレッサ、タイプ 1N6102 ～ 1N6137、1N6102A ～ 1N6137A、1N6138 ～ 1N6173、1N6138A ～ 1N6173A、1 N6102US ～ 1N6137us、1N6102AUS ～ 1N6137AUS、 1 N6138us ～ 1N61
  • DLA SMD-5962-87683 REV C-2006 シリコンモノリシックデコーダバイポーラ航空機（自動）着陸システムトランジスタトランジスタ論理回路、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-91661-1993 シリコンモノリシッククワッド3ウェイバスレシーバー、低電力ショットキートランジスタトランジスタロジック、バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95576 REV A-1996 高度なバイポーラ相補型金属酸化膜半導体、36 ビット スリーステート出力、一体型バス無線受信機、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95577 REV A-1996 高度なバイポーラ相補型金属酸化膜半導体、36 ビット スリーステート出力、一体型バス無線受信機、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-19500/772 (1)-2013 半導体デバイス、シリコンダイオード、ユニポーラ過渡電圧サプレッサ、タイプ 1N8036 ～ 1N8072、1N8073 ～ 1N8109、1N8110 ～ 1N8146、1N8036US ～ 1N8072US、1N8 073US ～ 1N8109US、および 1N8110US ～ 1N8146US、JAN、 JANTX、JANTXV
  • DLA SMD-5962-91597-1993 シリコンモノリシックトリプル双方向ラッチバスレシーバー、高度なショットキートランジスタトランジスタロジック、バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-19500/628 B-2012 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、超高速リカバリ、電力整流器、1N6690～1N6693、1N6690US～1N6693US JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 高度なバイポーラ相補型金属酸化膜半導体、16 ビット バス スリーステート出力無線トランシーバー、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95841 REV A-2007 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、16 ビットバスレシーバーおよびスリーステート出力レジスタ、トランジスタ入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、クワッドバス スリーステート出力バッファ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、10ビットバススリーステート出力変更および変換、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97589 REV A-2007 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、修正ショットキー トランジスタ論理回路、スリーステート出力付き 8 ウェイ透過 D タイプ ラッチ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-95578 REV A-1996 高度なバイポーラ相補型金属酸化膜半導体、36 ビット スリーステート出力、登録された一体型バス無線受信機、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-19500/716 VALID NOTICE 1-2010 半導体デバイス、ダイオード、非封止、エポキシ、表面実装、シリコン、ユニポーラ過渡電圧サプレッサタイプ 1N5555UEG ～ 1N5558UEG、1N5555UEJ ～ 1N5558UEJ、1N5629AUEG ～ 1N5665AUEG、1N5629AUEJ ～ 1N5665AUEJ、1N5907UE G、1N590
  • DLA MIL STD 750 4 E-2012 試験方法 半導体デバイス用ダイオードの標準電気試験方法 パート 4: 試験方法 4000 ～ 4999
  • DLA MIL-PRF-19500/211 B VALID NOTICE 4-2008 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、電力整流器、タイプ1N3164、1N3168、1N3170、1N3172、1N3174、1N3175、1N3176、1N3177およびRタイプJAN、JANTX、JANTXV
  • DLA MIL-PRF-19500/552 F-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、過渡電圧抑制器、タイプ 1N6469 ～ 1N6476、1N6469US ～ 1N6476US、1N6469URS ～ 1N6476URS、JAN、JANTX および JANTXV
  • DLA SMD-5962-84169 REV A-1989 シリコンモノリシック、I3L、MIL-STD-1750 命令アーキテクチャ 16 ビットマイクロプロセッサ、バイポーラマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタ論理回路互換入力、トライステート出力 8 進数表記の無線トランシーバー、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-19500/429 L-2008 半導体デバイス、ファストリカバリ電力整流シリコンダイオード、モデル1N5615、1N5617、1N5619、1N5621、1N5623、1N5615US、1N5617US、1N5619US、1N5621US、1N5623US、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/585 G-2008 半導体デバイス、超高速リカバリシリコンダイオード電力整流器、1N6620～1N6625、1N6620U～1N6625U、1N6620US～1N6625US、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/590 H-2008 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、超高速リカバリ、電力整流器、1N6626～1N6631、1N6626U～1N6631U、1N6626US～1N6631US、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/551 E-2011 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、過渡電圧保護回路タイプ 1N6461～1N6468、1N6461US～1N6468US、1N6461URS～1N6468URS、JAN、JANTX、JANTXV
  • DLA MIL-PRF-19500/590 J-2012 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、超高速リカバリ、電力整流器、1N6626～1N6631、1N6626U～1N6631U、1N6626US～1N6631US、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/551 F (1)-2013 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、過渡電圧保護回路タイプ 1N6461～1N6468、1N6461US～1N6468US、1N6461URS～1N6468URS、JAN、JANTX、JANTXV
  • DLA SMD-5962-96697-1996 放射線耐性のあるバイポーラ相補型金属酸化膜半導体、18 ビット スリーステート出力バス スイッチング スイッチ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、8 ビットから 9 ビットのスリーステート出力バス トランシーバー、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96849 REV A-2000 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体 3.3 ボルト 16 ビット スリーステート出力レジスタードコンバータ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-97585 REV A-2006 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、修正ショットキー トランジスタ ロジック、トライステート反転出力付きロー スタート付きオクタル バッファ、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-97586 REV A-2007 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、修正ショットキー トランジスタ ロジック、ロー スタート付きオクタル バッファ、トライステート非反転出力、モノリシック シリコン
  • DLA SMD-5962-95836-1995 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、八角形トリガークラスDトリプルターンテーブル出力ラッチデバイス、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 シリコンモノリシックトランジスタ - トランジスタロジック回路と互換性のある入力、トライステート出力を備えたオクタルレシーバー、高度なバイポーラ相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96686 REV C-2003 放射線耐性のあるバイポーラ相補型金属酸化物半導体、3.3ボルト16ビットトライステート出力バストランシーバー、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96698-1996 放射線耐性のあるバイポーラ相補型金属酸化物半導体、18 ビット スリーステート出力トランシーバーおよびレジスタ スキャン システム デバイス、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA MIL-PRF-19500/585 F-2008 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、超高速リカバリ、電力整流器、1N6620～1N6625、1N6620U～1N6625U、1N6620US～1N6625US、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/585 H-2009 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、超高速リカバリ、電力整流器、1N6620～1N6625、1N6620U～1N6625U、1N6620US～1N6625US、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA MIL-PRF-19500/585 J-2010 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、超高速リカバリ、電力整流器、1N6620～1N6625、1N6620U～1N6625U、1N6620US～1N6625US、JAN、JANTX、JANTXV、JANS
  • DLA SMD-5962-91753 REV A-2004 シリコンモノリシックオクタルバッファ、アクティブロー許可トライステート非反転出力、修正ショットキートランジスタトランジスタロジック回路、バイポーラデジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、10 ビット バス インターフェイス クラス D スリーステート出力ラッチ デバイス、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、3.3ボルト16ビット透明トライステート出力クラスDラッチデバイス、トランジスタ入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体スリーステート出力 9 ビット バス インターフェイス クラス D ラッチ デバイス、トランジスタ互換入力 シリコン モノリシック回路ライン マイクロ回路
  • DLA SMD-5962-95835-1995 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、八角形透明クラスDスリーステート出力双安定マルチバイブレータ、トランジスタ互換シリコンモノリシック回路ラインマイクロ回路
  • DLA SMD-5962-91555 REV B-2006 トライステート入力、バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシックオクタルトランシーバー
  • DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 順方向トライステート出力、16ビットバストランシーバー、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシックチップ

RU-GOST R, 2電極3電極方式

  • GOST 21107.10-1978 ガス放電計器、グロー放電ダイオードおよびトランジスタの使用および測定方法の電気的パラメータの測定方法
  • GOST 21107.13-1978 ガス放電装置、パルスダイオードおよびトランジスタの使用および測定方法に関する電気的パラメータの測定方法
  • GOST 18986.10-1974 半導体ダイオード、インダクタンスの測定方法
  • GOST 18986.4-1973 半導体ダイオード、静電容量の決定方法
  • GOST 18986.6-1973 半導体ダイオード、回復電荷の決定方法
  • GOST 18986.24-1983 半導体ダイオードの耐圧測定方法
  • GOST 26169-1984 無線電子機器の電磁適合性、高出力および高周波リニアバイポーラトランジスタの組み合わせ係数の仕様
  • GOST 18986.0-1974 半導体ダイオード、電気パラメータの決定方法、一般原理
  • GOST 21107.9-1976 ガス放電計、パルス三極管の電気的パラメータの測定方法
  • GOST 21107.8-1976 ガス放電装置、パルスダイオードの電気的パラメータの測定方法
  • GOST 18986.1-1973 半導体ダイオード 逆直流電流の求め方
  • GOST 18986.14-1985 半導体ダイオード、微分抵抗および動的抵抗の測定方法
  • GOST 19656.0-1974 超高周波半導体ダイオード、電気パラメータ測定法、一般原理
  • GOST 29210-1991 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 3. 信号ダイオード (コンバータを含む) および電流および電圧制御ダイオード
  • GOST 28625-1990 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 3. 信号ダイオード (スイッチング ダイオードを含む) および電流および電圧ダイオード レギュレータ セクション 2. 温度補償付き精密ツェナー ダイオードを除くツェナー管および電圧レギュレータ ツェナー ダイオードの仕様フォーム
  • GOST 19656.1-1974 超高周波混合検波半導体ダイオード 電圧定在波係数測定法
  • GOST 19656.15-1984 超高周波半導体ダイオード、転写体の熱抵抗、パルス熱抵抗の測定方法
  • GOST 18986.3-1973 半導体ダイオード 定直流電圧と定直流電流の決定方法
  • GOST 19656.7-1974 超高周波検出用半導体ダイオード 電流感度測定法
  • GOST 18604.14-1977 超高周波発振バイポーラトランジスタ ベース接地高周波回路の逆電圧伝達係数の測定方法
  • GOST 19656.2-1974 超高周波混合半導体ダイオード 平均整流電流の測定方法
  • GOST 19656.3-1974 超高周波混合用半導体ダイオード 中間周波出力抵抗測定法
  • GOST 19656.10-1988 超高周波振幅制限半導体スイッチングダイオード 損失抵抗の求め方
  • GOST 18986.13-1974 トンネル型半導体ダイオード。 ピーク電流、バレー電流、ピーク電圧、バレー電圧、溶液電圧の測定方法
  • GOST 18986.16-1972 半導体整流ダイオードの平均直流電圧、平均逆電流の測定方法
  • GOST 18604.2-1980 バイポーラトランジスタ 静止電流伝達係数の測定方法
  • GOST 18986.9-1973 半導体ダイオード、パルス順電圧および順方向回復時間の測定方法
  • GOST R IEC 62561-2-2014 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2. 導体および接地電極の要件
  • GOST 29209-1991 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2. 整流ダイオード
  • GOST 18604.24-1981 高周波発振バイポーラトランジスタの出力電力測定方法と電力増幅係数、コレクタ実効係数の求め方
  • GOST 18604.16-1978 バイポーラトランジスタ 小信号モードにおける電圧帰還係数の測定方法
  • GOST 18604.13-1977 超高周波発振バイポーラトランジスタ 出力電力の測定方法と電力増幅係数、コレクタ実効利用係数の求め方
  • GOST R 8.702-2010 測定の一貫性を確保するための国家システム 酸化還元電位 (ORP) 測定用の測定電極 校正手順
  • GOST 18604.9-1982 バイポーラトランジスタ 電流伝達係数の遮断周波数と臨界周波数の測定方法

RO-ASRO, 2電極3電極方式

  • STAS 12123/3-1983 半導体デバイスの基準電圧ダイオードおよび電圧調整ダイオードの電気的特性の測定方法
  • STAS 7128/7-1986 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 バラクタおよびミキサ ダイオードの記号
  • STAS 12258/2-1984 光電子半導体デバイス。 フォトダイオードの用語と基本的な特性
  • STAS 12123/2-1983 スイッチングダイオードなど、半導体デバイス用の小電力信号用ダイオードの電気的特性の測定方法
  • STAS 12123/4-1984 半導体デバイス用可変容量ダイオードの電気的特性の測定方法
  • STAS 12258/4-1986 光電子半導体装置。 発光ダイオードの用語と主な特徴
  • STAS 7128/4-1971 半導体装置および集積回路。 トンネルダイオードのテキストシンボル
  • STAS 7128/5-1985 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 整流ダイオードの記号
  • STAS 12123/1-1982 半導体デバイス整流ダイオードの電気的および熱的特性の測定方法
  • STAS 12258/6-1987 光電子半導体デバイス。 赤外発光ダイオードの用語と基本特性
  • STAS 7128/12-1985 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 低電圧リファレンスとツェナー ダイオードの記号
  • STAS 7128/3-1985 テキスト記号。 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 低電力信号ダイオードのシンボル

Association Francaise de Normalisation, 2電極3電極方式

  • NF C86-815:1981 電子部品の品質評価のための連携システム ブランク 詳細仕様: 電圧調整ダイオードおよび電圧基準ダイオード
  • NF C86-502:1983 電子部品の統一品質レビューシステム 赤外発光ダイオード、赤外発光ダイオードアレイ
  • NF C86-505:1986 半導体デバイス 電子部品の品質評価調整システム フォトダイオード、フォトダイオード配列 ブランク詳細仕様書 CECC 20 005
  • NF C86-501:1983 電子部品品質評価調整システム 詳細仕様書空白 発光ダイオード、発光ダイオード配列
  • NF C86-816:1981 電子部品品質評価連携システム 詳細仕様書なし 可変容量ダイオード
  • NF L58-334-001*NF EN 2593-001:2015 航空宇宙シリーズ 10 A ソレノイド プラグイン リレー ベース、2 極および 4 極双投パート 001: 技術仕様
  • NF C96-007:1989 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 7: ダイオードトランジスタ
  • NF C85-211:1982 電子部品の品質評価のための調整システム 空白の詳細仕様書 工業用加熱用トランジスタ
  • NF C96-002:1984 電子部品、半導体デバイス、ディスクリート部品および集積回路 パート 2: 整流ダイオード
  • NF C96-002:2001 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2: 整流ダイオード
  • NF C86-819:1983 電子部品の品質評価のための調整システム 空白の詳細仕様 特定のケース温度整流ダイオード
  • NF C86-818:1983 電子部品品質評価調整システム、詳細仕様書なし、特定周囲温度整流ダイオード
  • NF C86-506:1986 半導体デバイス 電子部品の統一品質評価システム 光ファイバー用ピン型フォトダイオード ブランク詳細仕様書 仕様 CECC 20 006
  • NF C17-153-2*NF EN IEC 62561-2:2018 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2: 導体および接地電極の要件
  • NF EN 2592:1990 航空宇宙シリーズの温度補償型 3 極サーキットブレーカー、定格電流最大 25A 製品規格
  • NF C86-812:1981 電子部品の品質評価のための調整システム 空白の詳細仕様 汎用信号伝達および/または変換用の半導体ダイオード
  • NF C83-112-201*NF EN 130201:2015 ブランク 詳細仕様: 固体電解質、多孔質陽極を使用した固定タンタル コンデンサ (サブシリーズ 3)
  • NF C83-112-201/A2*NF EN 130201/A2:2015 ブランク 詳細仕様: 固体電解質、多孔質陽極を使用した固定タンタル コンデンサ (サブシリーズ 3)
  • NF EN IEC 62561-2:2018 避雷システム (CSPF) のコンポーネント - パート 2: 導体および接地電極の要件
  • NF C83-156:1982 電子部品の品質評価のための調整システム サブ仕様 金属化電極とポリプロピレン誘電体を備えた固定コンデンサ
  • NF C86-712:1981 電子部品品質評価調整システム ブランク詳細仕様 シングルゲート電界効果トランジスタ
  • NF C96-003:1986 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 3: 信号 (スイッチを含む) および整流ダイオード
  • NF L58-610-001*NF EN 2996-001:2007 航空宇宙シリーズ温度補償型 3 極サーキットブレーカー (定格電流 1A ～ 25A) パート 001: 技術仕様
  • NF L58-630-001*NF EN 3662-001:2007 航空宇宙シリーズ 定格電流 20A～50A 3 極温度補償型サーキットブレーカー パート 001: 技術仕様
  • NF L58-450-001*NF EN 3774-001:2014 航空宇宙シリーズ 定格電流 2A ～ 25A の温度補償付き 3 極サーキットブレーカー パート 001: 技術仕様
  • NF EN 2665-001:2014 航空宇宙シリーズ - 3 極温度補償回路ブレーカー、定格電流 20 A ～ 50 A - パート 001: 技術仕様
  • NF EN 3662-001:2007 航空宇宙シリーズ - 3 極温度補償回路ブレーカー、定格電流 20 A ～ 50 A - パート 001: 技術仕様
  • NF C86-613:1981 電子部品の品質評価のための連携システム 詳細仕様は空白 特定ケース温度低周波バイポーラトランジスタ
  • NF C86-617:1981 電子部品の品質評価のための調整システム 詳細仕様は空白 特定のケース温度高周波バイポーラトランジスタ
  • NF C64-110:1976 交流システム用の高電圧開閉装置および制御装置 3 極サーキットブレーカー 動作時間に関する特別な補足要件。

工业和信息化部, 2電極3電極方式

  • XB/T 702-2022 水素吸蔵合金・ニッケル電池負極用希土類水素吸蔵合金粉末の電気化学的特性を試験する三電極式試験方法
  • JB/T 8681-2022 YDT シリーズ (IP54) 極数変換多速度三相非同期モータの技術仕様 (フレームサイズ 80 ～ 355)
  • JB/T 7127-2022 YDシリーズ（IP54）極数変換多段速三相非同期モータ技術仕様（フレームサイズ63～315）

British Standards Institution (BSI), 2電極3電極方式

  • BS IEC 60747-5-8:2019 半導体デバイス、光電子デバイス、発光ダイオード、発光ダイオードの光電効率の試験方法
  • BS EN 120001:1991 電子部品の品質評価のための調整システム 詳細仕様は空白 内部ロジック部品や抵抗器を含まない発光ダイオード、発光ダイオードアレイ、発光ダイオードディスプレイ
  • BS IEC 60747-5-11:2019 半導体デバイス、光電子デバイス、発光ダイオード、発光ダイオードの放射電流および非放射電流の試験方法
  • BS IEC 60747-5-16:2023 半導体デバイス - オプトエレクトロニクスデバイス 発光ダイオード GaNベースの発光ダイオード 光電流スペクトルに基づくフラットバンド電圧試験方法
  • BS EN 120005:1986 電子部品の品質評価・調整システム ブランク詳細仕様 フォトダイオード、フォトダイオードアレイ（非ファイバ用）
  • 18/30367363 DC BS IEC 60747-5-8 半導体デバイス パート 5-8 光電子デバイス 発光ダイオード 発光ダイオードの光電効率の試験方法
  • BS IEC 60747-2:2000 ディスクリート半導体デバイスおよび集積回路、整流ダイオード
  • 18/30388245 DC BS EN IEC 60747-5-11 半導体デバイス パート 5-11 光電子デバイス 発光ダイオード 発光ダイオード 放射電流および非放射電流の試験方法
  • BS EN 150014:1997 電子部品の品質評価調整システム 詳細仕様なし：過渡過電圧保護サイリスタダイオード
  • BS EN 150014:1995 電子部品品質評価調整システムの空白の詳細仕様: 過渡過電圧保護サイリスタ ダイオード
  • PD IEC TR 60747-5-12:2021 半導体デバイス・光電子デバイス・発光ダイオード・LED効率試験方法
  • BS EN 62561-2:2012 避雷システムコンポーネント (LPSC) 導体および接地電極の要件
  • BS EN IEC 62561-2:2018 導体および接地電極に対する避雷システムコンポーネント (LPSC) の要件
  • BS IEC 60747-5-15:2022 電気反射スペクトルに基づく半導体デバイス・光電子デバイス発光ダイオードのフラットバンド電圧試験方法
  • 19/30392174 DC BS EN 60747-5-6 半導体デバイス パート 5-6 光電子デバイス 発光ダイオード
  • BS QC 750109:1994 電子部品の品質評価のための調整システムの仕様 空白の詳細仕様 100 A を超える電流に対する周囲温度定格およびケース温度定格の整流ダイオード (アバランシェ整流ダイオードを含む)
  • BS EN 130202:1998 電子部品の品質評価連携システム 詳細仕様書なし 非固体電解質多孔質電極を用いたタンタル固定コンデンサ（サブシリーズ2）
  • BS IEC 60747-5-9:2019 温度可変エレクトロルミネッセンスに基づく半導体デバイス光電子デバイス発光ダイオードの内部量子効率試験方法
  • BS EN 2996-001:2023 Aerospace シリーズサーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 1 A ～ 25 A 技術仕様
  • BS EN 2665-001:2023 Aerospace シリーズサーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 20 A ～ 50 A 技術仕様
  • 21/30440970 DC BS EN IEC 60747-5-16 半導体デバイス パート 5-16 光電子デバイス 発光ダイオード 光電流スペクトルに基づくフラットバンド電圧試験方法
  • 20/30422995 DC BS EN IEC 60747-5-15 半導体デバイス パート 5-15 光電子デバイス 発光ダイオード 電気反射分光法に基づくフラットバンド電圧試験方法
  • BS EN 3774-001:2014 Aerospace シリーズ、定格電流 1 A ～ 25 A の温度補償付き 3 極サーキット ブレーカー。
  • BS EN 2665-001:2013 航空宇宙シリーズ 定格電流 20 A ～ 50 A の温度補償型 3 極サーキット ブレーカー 技術仕様
  • BS EN 130201:1995 電子部品の品質評価のための調整システムの仕様 空白の詳細仕様 固体電解質と多孔質陽極を備えたタンタル固定コンデンサ
  • BS IEC 60747-5-10:2019 室温基準点に基づく半導体デバイス光電子デバイス発光ダイオード内部量子効率試験方法
  • BS EN 111001:1980 電子部品の品質評価調整システム仕様書 詳細仕様書空白：ブラウン管
  • 22/30454213 DC BS EN IEC 62561-2 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2: 導体および接地電極の要件
  • 21/30435071 DC BS EN IEC 62561-2 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2: 導体および接地電極の要件
  • BS EN 2996-001:2006 航空宇宙シリーズ、温度補償された定格電流 1 A ～ 25 A の 3 極サーキット ブレーカー、パート 001: 技術仕様
  • BS EN 2996-001:2007 航空宇宙シリーズ温度補償定格電流 1 A ～ 25 A 3 極サーキットブレーカー パート 001: 技術仕様
  • BS EN 3662-001:2006 航空宇宙シリーズ、定格電流 20 A ～ 50 A の 3 極温度補償回路ブレーカー、パート 001: 技術仕様
  • BS EN 3662-001:2007 定格電流 20 A ～ 50 A の航空宇宙シリーズ 3 極温度補償回路ブレーカー パート 001: 技術仕様

International Electrotechnical Commission (IEC), 2電極3電極方式

  • IEC 60747-3-2:1986 半導体デバイス ディスクリートデバイス 第 3 部：信号ダイオード（スイッチングダイオードを含む）および調整用ダイオード 第 2 部：電圧調整用ダイオードおよび電圧基準ダイオード（温度補償高精度基準ダイオードを除く） ブランク 詳細仕様
  • IEC 60747-5-8:2019 半導体デバイス 第5部-8：光電子デバイス 発光ダイオード 発光ダイオード 光電効率試験方法
  • IEC 60747-5-7:2016 半導体装置、パート 5-7: オプトエレクトロニクス装置、フォトダイオードおよびフォトトランジスタ
  • IEC 60747-5-11:2019 半導体デバイス - パート 5-11: 光電子デバイス、発光ダイオード、発光ダイオードの放射電流および非放射電流の試験方法
  • IEC 60747-5-6:2016 半導体装置、パート 5-6: オプトエレクトロニクス装置、発光ダイオード
  • IEC 60747-5-6:2021 半導体装置、パート 5-6: オプトエレクトロニクス装置、発光ダイオード
  • IEC 60747-5-16:2023 半導体デバイス、パート 5-16: 光電子デバイス、発光ダイオード、光電流分光法に基づく GaN ベースの発光ダイオードのフラットバンド電圧の試験方法
  • IEC 60747-5-6:2021 RLV 半導体デバイス パート 5-6: 光電子デバイス 発光ダイオード
  • IEC 60747-2-2:1993 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 2: 整流ダイオード セクション 1: 100A を超える電流に対する環境およびケース定格の整流ダイオード (アバランシェ整流ダイオードを含む) の詳細仕様は空白
  • IEC 60747-2-1:1989 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 2: 整流ダイオード セクション 1: 最大 100A の電流に対する周囲定格およびケース定格の整流ダイオード (アバランシェ整流ダイオードを含む) の詳細な仕様は空白
  • IEC 60747-2:2000 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 第 2 部: 整流ダイオード
  • IECQ 03-8-2018 IEC 電子部品品質評価システム (IECQ システム)、手順規則、パート 8: 発光ダイオード (LED) 照明に関する IECQ スキーム
  • IEC TR 60747-5-12:2021 半導体デバイス パート 5-12: 光電子デバイスの試験方法 発光ダイオード (LED) の効率
  • IEC 60747-5-15:2022 半導体デバイス パート 5-15: 電気反射分光法に基づく光電子デバイス発光ダイオードのフラットバンド電圧試験方法
  • IEC 60747-12-6:1997 半導体デバイス パート 12-6: 光ファイバー システムまたは光電子デバイスのサブシステムで使用するピグテールの有無にかかわらず、アバランシェ フォトダイオードの空白の詳細仕様
  • IEC 60747-12-5:1997 半導体デバイス パート 12-5: 光ファイバ システムまたはオプトエレクトロニクス デバイスのサブシステムで使用するピグテール付き/ピグテールなしの PIN フォトダイオードの空白の詳細仕様
  • IEC 60747-12-3:1998 半導体デバイス パート 12-3: オプトエレクトロニクス デバイスで使用されるディスプレイ用発光ダイオードの空白の詳細仕様
  • IEC 62561-2:2018/COR1:2019 正誤表 1 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2: 導体および接地電極の要件
  • IEC 60747-4-2:2000 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 4-2: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ集積回路の空白の詳細仕様 マイクロ波増幅器
  • IEC 60747-12-2:1995 半導体デバイス パート 12: オプトエレクトロニクス デバイス セクション 2: 光ファイバー システムおよびサブシステム ピグテール レーザー ダイオード モジュールの空白の詳細仕様

PL-PKN, 2電極3電極方式

  • PN T01504-67-1987 ダイオード直列の等価抵抗の決定
  • PN T01202-1989 半導体デバイス。 デバイスと集積回路を分離します。 整流ダイオード [出版物 1EC 747-2 (1983) の翻訳]

Professional Standard - Machinery, 2電極3電極方式

  • JB/T 6741-1993 YSDシリーズ極数変換2速三相非同期モータ
  • JB/T 6741-2013 YSDシリーズ極数変換2速三相非同期モータ
  • JB/T 10747-2007 一体型突極ブラシレス三相同期発電機の技術条件
  • JB/T 6307.5-1994 パワー半導体モジュールの試験方法 バイポーラトランジスタ単相ブリッジと三相ブリッジ
  • JB/T 7127-2010 YDシリーズ（IP44）極数変換多段速三相非同期モータ技術条件（枠番80～280）
  • JB/T 8681-1998 YDTシリーズ（IP44）極数変換多段速三相非同期モータ技術条件（枠番80～315）
  • JB/T 7127-1993 YDシリーズ（IP44）極数変換多段速三相非同期モータ技術条件（枠番80～280）
  • JB/T 8681-2013 YDTシリーズ（IP44）極数変換多段速三相非同期モータ技術条件（枠番80～315）
  • JB/T 10685-2006 YBD2シリーズ耐圧防爆極数変換多段速三相非同期モータ技術条件（枠番80～280）

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 2電極3電極方式

  • KS C IEC 60747-3-2:2006 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 3: 信号ダイオード (スイッチング ダイオードを含む) および調整ダイオード セクション 2: ツェナー ダイオードおよび基準電圧ダイオードの詳細仕様は空白 (温度補償された高精度基準ダイオードを除く)
  • KS C IEC 60747-3-2-2006(2021) 半導体デバイスのディスクリート部品 パート 3: 信号 (スイッチを含む) およびツェナー ダイオード セクション 2: 電圧調整ダイオードおよび基準電圧ダイオード ブランク 詳細仕様 温度補償された高精度基準ダイオードは含まれません
  • KS C IEC 60747-3-2-2006(2016) 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 3: 信号 (スイッチを含む) およびツェナー ダイオード セクション 2: 電圧調整ダイオードおよび電圧基準ダイオード ブランク 詳細仕様には温度補償高精度基準ダイオードは含まれません
  • KS B ISO 4400:2002 流体動力システムとコンポーネント 地面に接触する 3 極電気プラグ 特性と要件
  • KS C IEC 60747-2-2-2006(2021) 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 2: 整流ダイオード セクション 2: 定格周囲電流およびケース電流が 100A を超える整流ダイオード (アバランシェ整流ダイオードを含む) の詳細仕様は空白
  • KS C IEC 60747-2-2-2006(2016) 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 2: 整流ダイオード セクション 2: 定格周囲電流およびケース電流が 100A を超える整流ダイオード (アバランシェ整流ダイオードを含む) の詳細仕様は空白
  • KS C IEC 60747-2-2:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 2: 整流ダイオード、セクション 1: 100A を超える電流に対する指定された環境および筐体を備えた整流ダイオード (アバランシェ整流ダイオードを含む) の詳細仕様は空白です。
  • KS C IEC 60747-2-1:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 2: 整流ダイオード、セクション 1: 100A 未満の電流用に指定された環境および筐体を備えた整流ダイオード (アバランシェ整流ダイオードを含む) の詳細仕様は空白です。
  • KS C IEC 60747-2:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2: 整流ダイオード
  • KS C IEC 60747-2-2006(2016) 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 第 2 部: 整流ダイオード
  • KS C IEC 60747-6-2:2006 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 6: サイリスタ、セクション 2: 双方向 3 極サイリスタ (3 極トライアック)、最大電流 100A、詳細仕様は空白
  • KS C IEC 62561-2-2014(2019) 避雷システムコンポーネント (lpsc) - パート 2: 導体と接地電極の要件
  • KS C IEC 60747-4-2-2002(2022) 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 4-2: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ集積回路の空白の詳細仕様 マイクロ波増幅器
  • KS C IEC 60747-4-2-2002(2017) 半導体デバイス ディスクリート デバイス パート 4-2: マイクロ波ダイオードおよびトランジスタ集積回路の空白の詳細仕様 マイクロ波増幅器

Danish Standards Foundation, 2電極3電極方式

  • DS/IEC 747-3-2:1987 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 3: 信号ダイオード (スイッチング ダイオードおよびツェナー ダイオードを含む) セクション 2: ツェナー ダイオードおよび基準電圧ダイオードの詳細仕様は空白 (温度補償された高精度基準ダイオードを除く)
  • DS/ISO 4400:1989 油圧システムとコンポーネント 3 極電気プラグ 特性と要件
  • DS/EN 3662-005:2006 航空宇宙シリーズ「サーキットブレーカー、3極、温度補償、定格電流20A～50A」パート005：有極信号接点「製品規格」
  • DS/IEC 747-2-1:1990 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 2: 整流ダイオード、セクション 1: 100A 未満の電流用に指定された環境および筐体を備えた整流ダイオード (アバランシェ整流ダイオードを含む) の詳細仕様は空白です。
  • DS/EN 3662-006:2006 航空宇宙シリーズ「サーキットブレーカー、3極、温度補償、定格電流20A～50A」パート006：極性信号コンタクト付き製品規格「バスバータイプ」
  • DS/EN 2996-005:2006 航空宇宙シリーズ「サーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 1A ～ 25A」パート 005: 極性信号コンタクトを備えた製品規格
  • DS/EN 62561-2:2012 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2: 導体および接地電極の要件
  • DS/EN 130202:2000 空白 詳細仕様: 非固体電解質、多孔質陽極を備えた固定タンタル コンデンサ (サブシリーズ 2)
  • DS/EN 2996-001:2006 航空宇宙シリーズ「サーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 1 A ～ 25 A」パート 001: 技術仕様
  • DS/EN 3662-001:2006 航空宇宙シリーズ「サーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 20 A ～ 50 A」パート 001: 技術仕様
  • DS/IEC 747-3+Amd.1:1993 半導体デバイス ディスクリートデバイスと集積回路 第3部：信号（スイッチ含む）とツェナーダイオード
  • DS/IEC 747-3:1993 半導体デバイス。 ディスクリートデバイスと集積回路。 パート 3: 信号 (スイッチングを含む) と調整ダイオード
  • DS/EN 2996-004:2006 航空宇宙シリーズ「サーキットブレーカー、3極、温度補償、定格電流1A～25A」パート004：信号接点付き製品規格
  • DS/IEC 747-4:1992 国際電気標準会議 IEC 規格番号747-4-1991 半導体デバイス．個別のデバイス。 パート 4: マイクロ波ダイオードとトランジスタ
  • DS/EN 2665-001:1999 航空宇宙シリーズ 3 極サーキットブレーカー、温度補償付き、定格電流 20 A ～ 50 A パート 001: 技術仕様

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 2電極3電極方式

  • QC 750101/SU 0004-1990 電子部品の環境定格に関する詳細仕様 KD805A テレビ受信機のスイッチング ダイオード (Sw) 回路に指定された半導体ダイオード
  • QC 750105-1986 半導体装置、ディスクリートデバイス パート 3: 信号 (スイッチを含む) およびツェナーダイオードセクション 温度補償された高精度基準ダイオードを除く、電圧調整ダイオードおよび電圧基準ダイオードのダブルブランク詳細仕様 (IEC)
  • QC 750101/SU 0001-1990 電子部品の詳細仕様 電子機器のパルスおよびデジタル回路で使用する信号半導体エピタキシャル プレーナ環境定格ダイオード タイプ KD5I0A
  • QC 750101/SU 0003-1990 電子機器のパルスおよびデジタル回路で使用するための電子部品信号半導体エピタキシャルプレーナ環境定格ダイオードの詳細仕様 KD522B タイプ
  • QC 750101/SU 0002-1990 KD52IA タイプ KD52IB 電子部品詳細仕様書 電子機器のパルス回路やデジタル回路に使用される信号用半導体エピタキシャルプレーナ環境対応ダイオード

Group Standards of the People's Republic of China, 2電極3電極方式

  • T/ZGTS 002-2022 黒鉛電極体用油性ニードルコークス
  • T/CEEIA 497-2021 消火ファン用可変極多速度三相非同期モータ YDTXF シリーズの技術仕様

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 2電極3電極方式

  • GB/T 3108-1999 外部船体印加電流陰極防食システム
  • GB/T 6589-2002 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 3-2; 信号（スイッチを含む）および調整ダイオード 電圧調整ダイオードおよび電圧基準ダイオード（温度補償された高精度基準ダイオードを除く） ブランク 詳細仕様
  • GB/T 15651.6-2023 半導体デバイス パート 5-6: 光電子デバイス 発光ダイオード
  • GB/T 36359-2018 半導体光電子デバイス用低出力発光ダイオードの詳細仕様は空白
  • GB/T 36360-2018 半導体光電子デバイスのパワー発光ダイオードの空白の詳細仕様
  • GB/T 4023-2015 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 第 2 部: 整流ダイオード
  • GB/T 4023-1997 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2; 整流ダイオード
  • GB/T 18904.5-2003 半導体デバイス パート 12-5; オプトエレクトロニクス デバイス、光ファイバー システムまたはサブシステムで使用するピグテール付きまたはピグテールなしのピン フォトダイオードの空白の詳細仕様
  • GB/T 18904.3-2002 半導体デバイス パート 12-3; オプトエレクトロニクス デバイスで使用されるディスプレイ用発光ダイオードの空白の詳細仕様
  • GB/T 14863-2013 ゲートダイオードと非ゲートダイオードの電圧と容量の関係を使用して、シリコンエピタキシャル層の正味キャリア濃度を決定する方法
  • GB/T 14863-1993 ゲートダイオードおよび非ゲートダイオードの電圧と容量の関係を使用してシリコンエピタキシャル層の正味キャリア濃度を決定する標準的な方法
  • GB/T 18134.1-2000 極急速インパルス高電圧試験技術 第1部 ガス絶縁変電所における前面急峻過電圧測定システム
  • GB/T 18904.2-2002 半導体デバイス パート 12-2; 光電子デバイス用ピグテール レーザー ダイオード モジュールの空白の詳細仕様 光ファイバー システムまたはサブシステム
  • GB/T 13150-2005 半導体デバイスのディスクリートデバイス電流が 100A を超え、環境およびケース定格の双方向トライアック サイリスタ ブランクの詳細仕様

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 2電極3電極方式

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, 2電極3電極方式

  • DB52/T 860-2013 5KPシリーズ シリコン過渡電圧抑制ダイオード 詳細仕様

IN-BIS, 2電極3電極方式

  • IS 1885 Pt.7/Sec.2-1970 電気用語パート Ⅶ 半導体デバイス セクション 2: ダイオード
  • IS 3700 Pt.9-1972 半導体デバイスの基本定格と特性 第IX部 可変容量ダイオード
  • IS 4400 Pt.8-1970 半導体デバイスの測定方法 第Ⅷ部 電圧レギュレータと基準電圧ダイオード
  • IS 3700 Pt.8-1970 半導体デバイスの基本定格と特性 第 VIII 部 電圧レギュレータと基準電圧ダイオード
  • IS 4400 Pt.9/Sec.1-1974 半導体デバイスの測定方法 第9部 可変容量ダイオード 第1節 動作周波数300MHz未満

TH-TISI, 2電極3電極方式

  • TIS 1971-2000 半導体デバイス ディスクリート パート 3: 信号 (スイッチを含む) およびツェナー ダイオード セクション 温度補償された高精度基準ダイオードを除く、ツェナー ダイオードおよび電圧基準ダイオードのダブル ブランク詳細仕様
  • TIS 1596-1999 半導体デバイス、ディスクリートデバイス、パート 2: 整流ダイオード、セクション 2: 100A を超える電流に対する周囲定格およびケース定格の整流ダイオード (アバランシェ整流ダイオードを含む) の詳細な仕様は空白です。
  • TIS 1670-2009 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2: 整流ダイオード

ES-UNE, 2電極3電極方式

  • UNE-EN 2593-001:2014 航空宇宙シリーズ 10 A 電磁プラグイン リレー ベース 2 極および 4 極双投パート 001: 技術仕様
  • UNE-EN IEC 62561-2:2018/AC:2019-09 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2: 導体と接地電極の要件
  • UNE-EN IEC 62561-2:2018 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2: 導体と接地電極の要件
  • UNE-EN 3662-005:2006 航空宇宙シリーズサーキットブレーカ 3 極温度補償定格電流 20 A ～ 50 A パート 005: 極性信号コンタクトを備えた製品規格
  • UNE-EN 2996-005:2006 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 1 A ～ 25 A パート 005: 極性信号コンタクトを備えた製品規格
  • UNE-EN 3662-006:2006 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 20 A ～ 50 A パート 006: 極性信号コンタクトを備えたバスバーバージョンの製品規格
  • SAE AS81714/26A-2023 端子配線システム、端子台、セグメント、モジュール、電子、ダイオード、フィードバックタイプ、サイズ 20 シリーズ I
  • UNE-EN 2996-004:2006 航空宇宙シリーズ - サーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 1 A ～ 25 A - パート 004: 信号接点付き
  • UNE-EN 3662-001:2006 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 20 A ～ 50 A パート 001: 技術仕様
  • UNE-EN 2665-001:2013 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 20 A ～ 50 A パート 001: 技術仕様
  • UNE-EN 3774-001:2014 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 1 A ～ 25 A パート 001: 技術仕様
  • UNE-EN 2996-001:2006 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 1 A ～ 25 A パート 001: 技術仕様

German Institute for Standardization, 2電極3電極方式

  • DIN EN 2593-001:2015-03 航空宇宙シリーズ 10 A ソレノイド プラグイン リレー ベース 2 極および 4 極双投パート 001: 技術仕様
  • DIN EN 2593-001:2015 航空宇宙シリーズ 10 A ソレノイド プラグイン リレー ベース、2 極および 4 極双投パート 001: 技術仕様
  • DIN IEC 60747-2:2001 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2: 整流ダイオード
  • DIN IEC 60747-2:2001-02 半導体デバイス ディスクリートデバイスおよび集積回路 第 2 部: 整流ダイオード
  • DIN EN 2592:1991-03 航空宇宙シリーズ、3 極サーキットブレーカー、温度補償付き定格電流最大 25 A、製品規格
  • DIN EN 2996-005:2009-09 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 1 A ～ 25 A パート 005: 極性信号コンタクトを備えた製品規格
  • DIN EN 3662-005:2008-02 航空宇宙シリーズサーキットブレーカ 3 極温度補償定格電流 20 A ～ 50 A パート 005: 極性信号コンタクトを備えた製品規格
  • DIN EN 3662-006:2008-02 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 20 A ～ 50 A パート 006: 極性信号コンタクトを備えたバスバーバージョンの製品規格
  • DIN EN 2996-001:2008 航空宇宙シリーズ 定格電流 1A～25A 温度補償型 3 極サーキットブレーカー パート 001: 技術仕様
  • DIN EN 2996-006:2023-06 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 1 A ～ 25 A パート 006: 極性信号コンタクト付き 6.3 mm および 2.8 mm ブレード端子 製品規格
  • DIN EN 3662-001:2008 航空宇宙シリーズ 定格電流 20A～50A の 3 極温度補償型サーキットブレーカー パート 001: 技術仕様
  • DIN EN 3774-003:1999-08 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 2 A ～ 25 A スイッチング容量 65 I
  • DIN EN 3662-006:2008 航空宇宙シリーズ 定格電流20A～50Aの温度補償型3極遮断器 主幹 製品規格
  • DIN EN 3774-001:2014-12 航空宇宙シリーズ - サーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 1 A ～ 25 A - パート 001: 技術仕様
  • DIN EN 2996-001:2022-02 航空宇宙シリーズ - サーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 1 A ～ 25 A - パート 001: 技術仕様
  • DIN EN 2665-001:2022-02 航空宇宙シリーズ - サーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 20 A ～ 50 A - パート 001: 技術仕様
  • DIN EN 3774-001:2023-07 航空宇宙シリーズ - サーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 1 A ～ 25 A - パート 001: 技術仕様
  • DIN EN 3774-006:2023-06 航空宇宙シリーズ - サーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 1 A ～ 25 A - パート 006: 6,3 ブレード端子
  • DIN EN 3662-001:2023-07 航空宇宙シリーズ - サーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 20 A ～ 50 A - パート 001: 技術仕様
  • DIN EN 2665-001:2014-05 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 20 A ～ 50 A パート 001: 技術仕様
  • DIN EN 2996-001:2008-01 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 1 A ～ 25 A パート 001: 技術仕様
  • DIN EN 3662-001:2008-02 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 20 A ～ 50 A パート 001: 技術仕様
  • DIN EN 2996-004:2008 航空宇宙シリーズ 定格電流 1A～25A 温度補償型 3 極サーキットブレーカ パート 004: 信号接続 製品規格

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 2電極3電極方式

  • GB/T 36358-2018 半導体光電子デバイスの発光ダイオードに電力を供給するための空白の詳細仕様

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 2電極3電極方式

  • GJB 33/006-1989 半導体ディスクリートデバイス用の電圧レギュレーションおよび電圧基準ダイオードの空白の詳細仕様
  • GJB 33/15-2011 半導体光電子デバイス詳細仕様書 BT401型半導体赤外発光ダイオード
  • GJB 33/12A-2021 半導体ディスクリートデバイス 2CK36型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
  • GJB 33/13A-2021 半導体ディスクリートデバイス 2CK37型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
  • GJB 33A/13-2003 半導体ディスクリートデバイス 2CK37型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様
  • GJB 33A/12-2003 半導体ディスクリートデバイス 2CK36型シリコン大電流スイッチングダイオード 詳細仕様

Aerospace, Security and Defence Industries Association of Europe (ASD), 2電極3電極方式

  • ASD-STAN PREN 2593-001-2010 航空宇宙シリーズ 10 A ソレノイド プラグイン リレー ベース、2 極および 4 極双投 パート 001: 技術仕様 (P 1 版)
  • ASD-STAN PREN 3662-005-2005 航空宇宙シリーズ。 定格電流 20A ～ 50A の熱補償型 3 極サーキット ブレーカー。 パート 005: 極性信号接点。 製品規格、エディション P3
  • ASD-STAN PREN 3662-006-2005 航空宇宙シリーズ。 定格電流 20A ～ 50A の熱補償型 3 極サーキット ブレーカー。 パート 006: 極性信号接点を備えたバス バー。 製品規格、エディション P3
  • ASD-STAN PREN 2592-1989 航空宇宙シリーズ。 定格電流が 25A を超えない、熱補償型 3 極サーキット ブレーカー。 製品規格、第 1 版

ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization, 2電極3電極方式

  • PREN 2593-001-2010 航空宇宙シリーズ 10 A 電磁プラグイン リレー ベース 2 極および 4 極双投 パート 001: 技術仕様 (P 1 版)
  • PREN 2996-005-2005 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 1 A ～ 25 A パート 005: 極性信号接点を備えた製品規格 (P 3 版)
  • PREN 3662-005-2005 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 20 A ～ 50 A パート 005: 極性信号コンタクトを備えた製品規格 (P 3 版)
  • PREN 2592-1989 航空宇宙シリーズ 3 極サーキットブレーカー 最大 25 A の温度補償電流定格 製品規格 (第 1 版)
  • PREN 3662-006-2005 航空宇宙シリーズサーキットブレーカ 3 極温度補償付き定格電流 20 A ～ 50 A パート 006: 極性信号接点を備えたバスバー バージョンの製品規格 (バージョン P 3)
  • PREN 3774-001-2012 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 1 A ～ 25 A パート 001: 技術仕様 (P 2 版)
  • PREN 2665-001-2012 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 20 A ～ 50 A パート 001: 技術仕様 (P 2 版)

CH-SNV, 2電極3電極方式

  • VSM 18656-1964 電子耳およびアナログ半導体部品の制限値に関するシステムルール

未注明发布机构, 2電極3電極方式

  • BS EN 120008:1995(2000) 電子部品の品質評価のための調和システムの仕様 - ブランク 詳細仕様 - 光ファイバー システムまたはサブシステム用の発光ダイオードおよび赤外発光ダイオード
  • BS EN IEC 62561-2:2018(2019) 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2: 導体と接地電極の要件
  • BS EN 150001:1993(1999) 電子部品の品質評価のための調和システム仕様書 - ブランク詳細仕様書 - 汎用半導体ダイオード
  • DIN EN 2665-001:1999 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 20 A ～ 50 A パート 1: 技術仕様

Indonesia Standards, 2電極3電極方式

  • SNI IEC 60747-2:2009 半導体デバイス、ディスクリートデバイスおよび集積回路 パート 2: 整流ダイオード

European Committee for Standardization (CEN), 2電極3電極方式

  • EN 4728:2015 航空宇宙シリーズ、サーキットブレーカー、単極および三極フール、製品規格
  • EN 2996-001:2006 航空宇宙シリーズ 温度補償定格電流 1A～25A 3 極サーキットブレーカー パート 001: 技術仕様
  • EN 3662-001:2006 航空宇宙シリーズ 定格電流 20A～50A の 3 極温度補償型サーキットブレーカー パート 001: 技術仕様
  • prEN 2996-006-2021 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 1 A ～ 25 A パート 006: 極性信号接点を備えた 6.3 mm および 2.8 mm ブレード端子の製品規格
  • EN 2665-001:2013 航空宇宙シリーズ 定格電流 20 A ～ 50 A の温度補償型 3 極サーキット ブレーカー パート 001: 技術仕様
  • EN 2665-001:2023 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 20 A ～ 50 A パート 001: 技術仕様
  • EN 2996-001:2023 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 1 A ～ 25 A パート 001: 技術仕様
  • EN 2996-006:2023 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー 3 極温度補償定格電流 1 A ～ 25 A パート 006: 極性信号コンタクトを備えた 6.3 mm および 2.8 mm ブレード端子の製品規格
  • EN 2996-004:2006 航空宇宙シリーズ 定格電流 1A～25A 温度補償型 3 極サーキットブレーカ パート 004: 信号接続 製品規格

Professional Standard - Aerospace, 2電極3電極方式

  • QJ 10007/2-2008 航空・宇宙用半導体ディスクリートデバイス用 2CWD8V4 タイプシリコン電圧基準ダイオードの詳細仕様

American Society for Testing and Materials (ASTM), 2電極3電極方式

  • ASTM F769-00 トランジスタおよびダイオードの漏れ電流を測定するための標準試験方法 (2006 年に廃止)

Society of Automotive Engineers (SAE), 2電極3電極方式

  • SAE AS81714/21-2012 端子端子システム、端子台、電子機器、プッシュイン配線、内蔵ダイオード、シリーズ I
  • SAE AS81714/21B-2021 端子端子システム、端子台、セグメント化された電子プッシュイン配線、ダイオード、シリーズ I
  • SAE AS81714/24-2012 端子台システム、端子台、セグメント化、電子、プッシュイン配線、デュアル、統合ダイオード、シリーズ I
  • SAE AS81714/24B-2021 端子配線システム、端子台、セグメント電子プッシュイン配線、ダブル、一体型ダイオード、シリーズ I

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 2電極3電極方式

  • EN 62561-2:2012 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2: 導体および接地電極 (保持電流) の要件

AENOR, 2電極3電極方式

  • UNE-EN 2592:1992 Aerospace シリーズ 3 極サーキットブレーカー、温度補償済み定格電流最大 25 A 製品規格
  • UNE-EN 62561-2:2012 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2: 導体および接地電極の要件

SAE - SAE International, 2電極3電極方式

  • SAE AS81714/21A-2018 端子接続方式 端子接続ブロック 電子オンライン接続 内蔵ダイオード シリーズ I
  • SAE AS81714/21-2001 端子接続方式 端子接続ブロック 電子オンライン接続 内蔵ダイオード シリーズ I
  • SAE AS81714/24A-2018 端子台システム 端子台 セグメント化電子プッシュイン配線 デュアル集積ダイオード シリーズ I
  • SAE AS81714/24-2001 端子台システム 端子台 セグメント化電子プッシュイン配線 デュアル集積ダイオード シリーズ I

European Association of Aerospace Industries, 2電極3電極方式

  • AECMA PREN 3204-001-1990 航空宇宙シリーズ 1 極および 3 極 25A プラグ アンド プレイ電磁リレーの技術仕様
  • AECMA PREN 2996-005-2005 航空宇宙シリーズ、3 極温度補償、定格電流 1 A ～ 25 A サーキットブレーカー、パート 005、有極信号接続製品の規格
  • AECMA PREN 2665-001-1994 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー、3 極、温度補償付き、定格電流 20 ～ 50 パート 001: 技術仕様、バージョン P1
  • AECMA PREN 2996-001-1997 航空宇宙シリーズ、定格電流 1 A ～ 25 A の 3 極温度補償回路ブレーカー、パート 001、技術仕様
  • AECMA PREN 2996-001-2005 航空宇宙シリーズ、定格電流 1 A ～ 25 A の 3 極温度補償回路ブレーカー、パート 001、技術仕様
  • AECMA PREN 3204-003-1990 航空宇宙シリーズ、取り付け金具なしの 1 極および 3 極 25A プラグアンドプレイ電磁リレー - レベル - 製品規格
  • AECMA PREN 2996-005-1997 航空宇宙シリーズ、定格電流 1 A ～ 25 A の 3 極温度補償回路ブレーカー、パート 005、極性信号接続および統合ハードウェア機能を備えた製品規格 12,18 mm
  • AECMA PREN 2996-005-1999 航空宇宙シリーズ、定格電流 1 A ～ 25 A の 3 極温度補償回路ブレーカー、パート 005、極性信号接続および統合ハードウェア機能を備えた製品規格 12,18 mm
  • AECMA PREN 3662-005-1999 航空宇宙シリーズ 定格電流 20 A ～ 50 A の 3 極温度補償回路ブレーカー パート 005: 極性信号接続と均一な固定金属部品を備えた回路ブレーカー
  • AECMA PREN 3662-005-1997 航空宇宙シリーズ 定格電流 20 A ～ 50 A の 3 極温度補償回路ブレーカー パート 005: 極性信号接続と均一な固定金属部品を備えた回路ブレーカー
  • AECMA PREN 3662-006-1997 航空宇宙シリーズ 定格電流 20 A ～ 50 A の 3 極温度補償回路ブレーカー パート 006: 極性信号接続と統合ハードウェア バスバー バージョンを備えた製品設備
  • AECMA PREN 3662-006-2005 航空宇宙シリーズ 定格電流 20 A ～ 50 A の 3 極温度補償回路ブレーカー パート 006: 極性信号接続と統合ハードウェア バスバー バージョンを備えた製品設備
  • AECMA PREN 3662-006-1999 航空宇宙シリーズ 定格電流 20 A ～ 50 A の 3 極温度補償回路ブレーカー パート 006: 極性信号接続と統合ハードウェア バスバー バージョンを備えた製品設備

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 2電極3電極方式

  • EN IEC 62561-2:2018 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2: 導体および接地電極の要件

GOSTR, 2電極3電極方式

Lithuanian Standards Office , 2電極3電極方式

  • LST EN 3662-005-2007 航空宇宙シリーズ 3 極サーキット ブレーカー、温度補償済み、定格電流 20 A ～ 50 A パート 005: 極性信号接点を備えた製品規格
  • LST EN 2996-005-2007 航空宇宙シリーズ 3 極サーキット ブレーカー、温度補償済み、定格電流 1 A ～ 25 A パート 005: 極性信号接点を備えた製品規格
  • LST EN 130201+A2-2001 ブランク 詳細仕様: 固体電解質、多孔質陽極を使用した固定タンタル コンデンサ (サブシリーズ 3)
  • LST EN 130202-2001 空白 詳細仕様: 非固体電解質、多孔質陽極を備えた固定タンタル コンデンサ (サブシリーズ 2)
  • LST EN 3662-006-2007 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 20 A ～ 50 A パート 006: 極性信号接点を備えたバスバー バージョンの製品規格
  • LST EN 2592-2001 航空宇宙シリーズの温度補償型 3 極サーキットブレーカー製品標準、定格電流最大 25 A
  • LST EN 2665-001-2001 航空宇宙シリーズ 3 極サーキットブレーカー、温度補償付き、定格電流 20 A ～ 50 A パート 001: 技術仕様
  • LST EN 2996-001-2007 航空宇宙シリーズ 3 極サーキットブレーカー、温度補償済み、定格電流 1 A ～ 25 A パート 001: 技術仕様
  • LST EN 3662-001-2007 航空宇宙シリーズ 3 極サーキットブレーカー、温度補償付き、定格電流 20 A ～ 50 A パート 001: 技術仕様
  • LST EN 62561-2-2012 避雷システムコンポーネント (LPSC) - パート 2: 導体および接地電極の要件 (IEC 62561-2:2012、修正)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 2電極3電極方式

  • GB/T 33588.2-2017 避雷システムコンポーネント (LPSC) パート 2: 導体および接地電極の要件

SE-SIS, 2電極3電極方式

  • SIS SS CECC 30201-1986 詳細な仕様については空白です。 固体電解質、多孔質陽極を備えた固定タンタル コンデンサ (サブシリーズ 3)
  • SIS SS CECC 30202-1987 詳細な仕様については空白です。 非固体電解質、多孔質陽極を備えた固定タンタル コンデンサ (サブシリーズ 2)
  • SIS SS-EN 2592-1990 航空宇宙シリーズ。 最大定格電流 25 A の温度補償付き 3 極サーキット ブレーカー。 製品規格

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 2電極3電極方式

  • JEDEC JESD4-1983 サイリスタと整流ダイオードの分離 半導体パッケージの外部清浄度と沿面距離の定義

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 2電極3電極方式

  • CNS 6121-1988 半導体デバイス単体の環境検査方法および耐久性検査方法 – 整流ダイオードの連続通電試験
  • CNS 6125-1988 半導体デバイス単体の環境検査方法と耐久性検査方法 – 整流ダイオードの高温通電試験
  • CNS 6123-1988 半導体デバイス単体の環境検査方法と耐久性検査方法 ～整流ダイオードの間欠通電試験～
  • CNS 5540-1988 半導体デバイス単体の環境検査方法と耐久性検査方法 – 電圧可変容量ダイオードの高温逆バイアス試験

AT-ON, 2電極3電極方式

  • OENORM EN 2996-006-2021 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー、3 極、温度補償、定格電流 1 A ～ 25 A パート 006: 極性信号接点を備えた 6.3 mm および 2.8 mm ブレード端子の製品規格

CEN - European Committee for Standardization, 2電極3電極方式

  • EN 2665-001:1999 航空宇宙シリーズ 定格電流 20 A ～ 50 A の温度補償型 3 極サーキット ブレーカー パート 001: 技術仕様

Professional Standard - Nuclear Industry, 2電極3電極方式

  • EJ/T 452-1989 30万キロワット加圧水型原子炉原子力発電所における地下金属構造物用の地域電気防食システムの試運転および運用ガイドライン

  電極システムと 3 電極システム, 3電極システム, 2電極3電極方式, 3電極方式 2電極方式, 2電極システム, 3電極システム, 3電極方式+電極, 三電極式電極, 電極システムの対極, 電極システムの対極, 3電極方式では, 3電極方式について, 三電極式対極電位, 電極システムの削減, 電極システムと 3 電極システム, 3電極方式と2電極方式, 3電極方式と2電極方式, 電極システムの対極の電位, 3電極方式と2電極方式, 電極システムではどのような電極が使用されますか?.

 



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