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금속 산화물의 비축전용량

모두 500항목의 금속 산화물의 비축전용량와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 금속 산화물의 비축전용량와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 분말 야금, 단열재, 전기 장치, 반도체 개별 장치, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 전송 및 배전망, 판막, 광섬유 통신, 절연유체, 개폐 장치 및 컨트롤러, 열역학 및 온도 측정, 원자력공학, 치과, 화학 제품, 비철금속, 콘덴서, 저항기, 발전소 종합, 건물 보호, 분석 화학, 비금속 광물, 표면 처리 및 도금, 항공우주 제조용 재료, 길이 및 각도 측정, 공기질, 배터리 및 축전지, 전기 및 전자 테스트, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 물리학, 화학, 필터, 내화물, 실험실 의학, 무선 통신.


Professional Standard - Non-ferrous Metal, 금속 산화물의 비축전용량

  • YS/T 484-2005 금속수소니켈전지 음극용 수소흡장합금 비용량 측정

Professional Standard - Machinery, 금속 산화물의 비축전용량

  • JB/T 9670-2014 금속 산화물 피뢰기 저항기용 산화아연
  • JB/T 8444-2015 분말야금 은금속 산화물 전기 접점의 기술 조건
  • JB/T 8444-1996 분말야금 은금속 산화물 전기 접점의 기술 조건
  • JB/T 6479-2014 AC 전원 시스템 파동 피뢰기용 시리즈 갭 금속 산화물 서지 피뢰기
  • JB/T 10497-2005 AC 송전선용 복합 재킷형 시리즈 갭 금속 산화물 서지 피뢰기
  • JB/T 6479-1992 AC 전원 시스템의 라인 어레스터용 시리즈 갭 금속 산화물 서지 어레스터

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 금속 산화물의 비축전용량

  • KS C 4808-2011(2016) 폴리머 - 배전선에 여유 공간 없이 금속 산화물 피뢰기를 수용합니다.
  • KS M ISO 901:2003 금속 알루미늄 생산을 위한 산화알루미늄 절대 밀도 측정 비중계 방법
  • KS C 6425-1985(2000) AC 전원 공급 장치용 금속 플라스틱 필름 커패시터
  • KS C 6425-1985 AC 전원 공급 장치용 금속 플라스틱 필름 커패시터
  • KS C 4808-2011(2021) 배전선용 틈이 없는 폴리머로 둘러싸인 금속 산화물 서지 피뢰기
  • KS C 6371-1995(2000) 전자 장비의 산화 금속막 고정 저항기 사용
  • KS C 6371-1990 전자 장비의 산화 금속막 고정 저항기 사용
  • KS C 6371-1995 전자 장비의 산화 금속막 고정 저항기 사용
  • KS C 4616-2011 AC 시스템용 갭리스 금속 산화물 서지 어레스터
  • KS C 6428-1992(1997) 금속화 폴리에스테르 필름 커패시터를 고정하는 전자 장치
  • KS C 6428-1992 금속화 폴리에스테르 필름 커패시터를 고정하는 전자 장치
  • KS C 6428-1979 금속화 폴리에스테르 필름 커패시터를 고정하는 전자 장치
  • KS D 8519-2009 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 결정 현미경 방법
  • KS D 8519-2009(2015) 금속 및 산화물 코팅의 코팅 두께를 측정하는 현미경 방법
  • KS C IEC 60099-4:2021 서지 피뢰기 4부: AC 시스템용 틈새 없는 금속 산화물 서지 피뢰기
  • KS M ISO 900:2003 금속 알루미늄 생산을 위한 산화알루미늄 티타늄 함량 측정 디안티피린-메틸메탄 측광법
  • KS M ISO 900:2013 금속 알루미늄 생산에 사용되는 알루미나의 티타늄 함량 측정 - 디안티피린-메틸메탄 측광법
  • KS L ISO 21068-3-2012(2022) 탄화규소를 함유한 원료 및 내화물의 화학적 분석 3부: 질소, 산소, 금속 및 산화물 성분 측정
  • KS C IEC 60099-4:2019 서지 피뢰기 파트 4: 틈이 없는 금속 산화물 피뢰기 시스템
  • KS C IEC 61643-331-A:2014 저전압 서지 보호기 부품 부품 331: MOV(금속 산화물 배리스터) 사양
  • KS C IEC 60099-4:2012 피뢰기 4부: 교류 시스템용 틈 없는 금속 산화물 서지 피뢰기
  • KS C IEC 61643-331-A:2015 저전압 서지 보호 장치에 사용되는 부품 331부: MOV(금속 산화물 배리스터) 사양
  • KS C IEC 61643-331:2006 저전압 서지 보호 장치에 사용되는 부품 331부: MOV(금속 산화물 배리스터) 사양
  • KS C ISO TS 18827:2021 나노기술 - 금속산화물 나노물질에 의해 생성된 반응성 산소종(ROS)을 측정하는 방법으로서의 전자 스핀 공명(ESR)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 금속 산화물의 비축전용량

  • GB/T 13397-2008 내부합금산화법을 이용한 은금속산화물 전기접점의 기술조건
  • GB 13397-1992 내부합금산화법을 이용한 은금속산화물 전기접점의 기술조건
  • GB/T 27746-2011 저전압 전기제품용 금속산화물 배리스터(MOV) 기술 사양
  • GB/T 12690.9-2003 희토류 금속 및 그 산화물에 포함된 비희토류 불순물의 화학적 분석 방법 염소 함량 측정 질산은 탁도법
  • GB/T 12690.28-2000 희토류 금속 및 그 산화물의 화학적 분석 방법 유도 결합 플라즈마 광방출 분광법을 통한 희토류 산화물 내 산화칼슘 함량 측정
  • GB/T 20170.2-2006 희토류 금속 및 그 화합물의 물리적 특성 시험 방법 희토류 화합물의 비표면적 측정
  • GB/T 41917-2022 금속산화물 나노물질에 의해 생성된 활성산소종(ROS)을 검출하는 나노기술 전자스핀공명(ESR) 방법
  • GB/T 18802.331-2007 저전압 서지 보호기 부품 파트 331: MOV(금속 산화물 배리스터) 사양
  • GB/T 12690.17-2010 희토류 금속 및 그 산화물의 비희토류 불순물의 화학적 분석 방법 파트 17: 희토류 금속의 니오븀 및 탄탈륨 측정
  • GB/T 12690.14-2006 희토류 금속 및 그 산화물의 비희토류 불순물의 화학적 분석 방법 티타늄 함량 측정
  • GB/T 12690.15-2006 희토류 금속 및 그 산화물의 비희토류 불순물의 화학적 분석 방법 칼슘 함량 측정
  • GB/T 12690.3-2015 희토류 금속 및 그 산화물에 포함된 비희토류 불순물의 화학적 분석 방법 - 3부: 희토류 산화물의 수분 함량 측정을 위한 중량 측정 방법
  • GB/T 12690.2-2015 희토류 금속 및 그 산화물의 비희토류 불순물의 화학적 분석 방법 - 2부: 희토류 산화물의 점화 손실 측정을 위한 중량 측정 방법
  • GB/T 12690.2-2015(英文版) 희토류 금속 및 그 산화물 내 비희토류 불순물의 화학적 분석 방법 제2조: 희토류 산화물의 강열 손실 측정을 위한 중량 측정 방법

American Society for Testing and Materials (ASTM), 금속 산화물의 비축전용량

  • ASTM F1153-92(1997) 정전용량-전압 측정을 통한 실리콘 금속 산화물의 구조적 특성 테스트 방법
  • ASTM E1652-00 금속 차폐 백금 저항 온도계, 비금속 열전대 및 귀금속 열전대 제조에 사용되는 산화마그네슘, 산화알루미늄 분말 및 편평 절연체에 대한 표준 사양
  • ASTM C1430-00 대기 등압법을 사용하여 소결된 이산화우라늄 및 가돌리니아-이산화우라늄 입자의 우라늄, 우라늄-산소 비율(O/U) 및 산소 대 금속 비율(O/M)을 측정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM C1430-07 대기 등압법을 사용하여 소결된 이산화우라늄 및 가돌리니아-이산화우라늄 입자의 우라늄, 우라늄-산소 비율(O/U) 및 산소 대 금속 비율(O/M)을 측정하기 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM C1430-07(2011)e1 대기 평형 방법에 의한 소결 이산화우라늄 및 가돌리니아-이산화우라늄 입자의 우라늄, 산소 대 우라늄 비율(O/U) 및 산소 대 금속 비율(O/M) 측정을 위한 표준 테스트 방법
  • ASTM E1652-21 비금속 열전대, 금속 피복 백금 저항 온도계 및 귀금속 열전대의 제조에 사용되는 산화마그네슘 및 산화알루미늄 분말 및 분쇄 가능한 절연체에 대한 표준 사양
  • ASTM E1652-03 산화마그네슘 및 산화알루미늄 분말 제조에 사용되는 비금속 열전대 및 귀금속 열전대에 대한 표준 사양과 금속 외장 백금 저항 온도계용 분쇄 가능한 절연체
  • ASTM E1652-15 비금속 열전대, 금속 케이스 백금 저항 온도계 및 귀금속 열전대의 제조에 사용되는 산화마그네슘 및 산화알루미늄 분말 및 편평 절연체에 대한 표준 사양
  • ASTM E1652-14 비금속 열전대, 금속 케이스 백금 저항 온도계 및 귀금속 열전대의 제조에 사용되는 산화마그네슘 및 산화알루미늄 분말 및 편평 절연체에 대한 표준 사양
  • ASTM E1652-14a 비금속 열전대, 금속 케이스 백금 저항 온도계 및 귀금속 열전대의 제조에 사용되는 산화마그네슘 및 산화알루미늄 분말 및 편평 절연체에 대한 표준 사양
  • ASTM C1817-15 중량법을 이용한 소결 혼합 산화((U, Pu)O2) 펠릿의 산소 대 금속 비율(O/M) 측정을 위한 표준 테스트 방법

Defense Logistics Agency, 금속 산화물의 비축전용량

  • DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 내방사선성 상보성 금속 산화물 반도체 트랜지스터 대 상보성 금속 산화물 반도체 또는 상보성 금속 산화물 반도체 대 상보성 금속 산화물 반도체 전압 변환 메커니즘, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 실리콘 모놀리식 4비트 크기 비교기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 실리콘 모놀리식 8비트 크기 비교기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 실리콘 모놀리식 8비트 크기 비교기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 실리콘 모놀리식 8비트 크기 비교기, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA A-A-55564/3 B-2004 금속 산화물, 방사형 리드 배리스터
  • DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 실리콘 모놀리식 8비트 허용 크기 비교기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 칩 배리스터(금속산화물 가변저항기)
  • DLA A-A-55562 A-2001 칩 배리스터(금속산화물 가변저항기)
  • DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 실리콘 모놀리식 듀얼 12비트 아날로그 변환기 마이크로프로세서 호환 보완적 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-86032 REV H-2005 실리콘 모놀리식 32비트 마이크로프로세서, 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 이진 비율 승수 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-87685-1987 실리콘 모놀리식 N채널 금속 산화물 반도체, 8비트 마이크로프로세서 칩, 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86809 REV C-2004 실리콘 모놀리식 16비트 마이크로컨트롤러 N채널 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86824 REV A-1987 실리콘 모놀리식 4비트 카운터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 저항기, 전압에 민감한(배리스터, 금속 산화물), 칩
  • DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 고속 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 4 비트 수량 비교기 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모 놀리 식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-90969 REV B-2007 실리콘 모놀리식 전력-전압 비교기, 4열 상보형 금속 산화물 반도체, 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 방사선 하드 상보성 금속 산화물 반도체, 8비트 수량 비교기 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 입력 10비트 버스 또는 금속 산화물 반도체 주 메모리 드라이버, 양극 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA A-A-55564/2 B-2012 저항기, 전압에 민감한(배리스터), 금속 산화물, 고에너지
  • DLA SMD-5962-92155 REV A-2006 실리콘 모놀리식 등록 32K x 8비트 프로그램, 상보형 금속 산화물 반도체, 메인 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96736-1996 상보형 금속 산화물 반도체, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로 8비트 양방향 상보형 금속 산화물 반도체 또는 트랜지스터 인터페이스 변환기
  • DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 실리콘 모놀리식 8비트 TTL 호환 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA A-A-55562/2 A-2001 칩 배리스터(배리스터, 금속 산화물) 저항 유형 0805
  • DLA SMD-5962-91501 REV D-2005 실리콘 모놀리식 32비트 통합 마이크로컨트롤러, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87665 REV E-2005 실리콘 모놀리식 MIL-STD-1750 마이크로프로세서, 16비트 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87704 REV C-1993 실리콘 모놀리식 9 및 10비트 버스 수신기, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 실리콘 모놀리식 디지털-아날로그 변환기 듀얼 12비트 상보형 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-90704-1990 실리콘 모놀리식 16비트 디지털 단일 프로세서, 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 실리콘 모놀리식 8비트 시프트 레지스터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 실리콘 모놀리식 8비트 시프트 레지스터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90803 REV C-2007 실리콘 모놀리식 보완 금속 산화물 반도체 8K X8 비트 프로그램, 디지털 메인 메모리 마이크로 회로
  • DLA MIL-PRF-83530 C-2008 저항기, 전압에 민감한(배리스터, 금속 산화물), 일반 사양
  • DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 저항기, 전압 감지(배리스터, 금속 산화물), 칩, 유형 0603
  • DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 저항기, 전압 민감성(배리스터, 금속 산화물), 칩, 유형 0805
  • DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 저항기, 전압 감지(배리스터, 금속 산화물), 칩, 유형 1206
  • DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 저항기, 전압 감지(배리스터, 금속 산화물), 칩, 유형 1210
  • DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 저항기, 전압 민감성(배리스터, 금속 산화물), 칩, 유형 0402
  • DLA A-A-55564/3 C-2012 저항기, 전압에 민감한(배리스터), 금속 산화물, 방사형 리드
  • DLA SMD-5962-96674 REV C-2000 내방사선성 상보성 금속 산화물 반도체, 유사체 4BIT 수량 비교기, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 시간시계 및 마이크로프로세서 마이크로회로와 호환되는 실리콘 모놀리식 상보형 금속 산화물 반도체
  • DLA SMD-5962-85133-1986 실리콘 모놀리식 80비트 확장 디지털 프로세서, 고성능 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91692 REV A-2002 실리콘 모놀리식 AC-DC 컨버터, 20KHZ 16비트 상보형 금속 산화물 반도체, 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-91740-1992 실리콘 모놀리식 16비트 디지털-아날로그 곱셈 변환기, 상보성 금속 산화물 반도체, 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91762 REV B-1993 실리콘 모놀리식 4X8비트 다단계 파이프라인 레지스터, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-85519 REV C-2005 실리콘 모놀리식 8비트 주소 지정 가능 래치, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86854-1987 실리콘 모놀리식 4비트 바이너리 카운터 고속 상보성 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91647 REV A-2001 실리콘 모놀리식 보완 금속 산화물 반도체 듀얼 12비트 또는 14비트 시리즈 AC-DC 변환기, 선형 마이크로 회로
  • DLA QPL-83530-7-2004 전압에 민감한(배리스터, 금속 산화물) 저항기의 일반 사양
  • DLA SMD-5962-96670 REV B-2000 방사선 하드 상보성 금속 산화물 반도체, 이진 코드 소수 비율 승수 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91566 REV C-1996 실리콘 모놀리식 상보형 금속 산화물 반도체 단일 칩 8비트 마이크로컨트롤러, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91696 REV A-1996 실리콘 모놀리식 16 X 8비트 듀얼 파이프라인 레지스터, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87668 REV C-1991 실리콘 모놀리식 보완형 고성능 금속 산화물 반도체 구조, 32비트 마이크로프로세서 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86830 REV A-1989 실리콘 모놀리식 N채널 금속 산화물 반도체 8X8비트 전압 제거 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94745-1995 실리콘 모놀리식 회로 선형 미세 회로 디지털 상보성 금속 산화물 반도체
  • DLA SMD-5962-91606 REV A-2006 3상태 출력, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 10비트 D 버퍼
  • DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 실리콘 모놀리식 고성능 이중 스위치 커패시터 필터, 상보성 금속 산화물 반도체, 선형 미세 회로
  • DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 실리콘 모놀리식 16킬로비트 정적 랜덤 액세스 메모리, 금속 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87700 REV B-2003 실리콘 모놀리식 8비트 곱셈 디지털-아날로그 변환기, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87702 REV D-2004 실리콘 모놀리식 12비트 곱셈 디지털-아날로그 변환기, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87753-1988 실리콘 모놀리식 이중 던지기 4극 아날로그 멀티플렉서/디멀티플렉서 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-86076 REV D-2002 실리콘 모놀리식 4비트 동기식 바이너리 카운터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86081 REV B-1996 실리콘 모놀리식 4096X4비트 정적 랜덤 액세스 메모리, N채널 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 실리콘 모놀리식 12비트 버퍼는 디지털-아날로그 변환기 상보형 금속 산화물 반도체 마이크로회로를 증폭시킵니다.
  • DLA SMD-5962-84190 REV E-2005 32킬로비트 UV 소거 가능 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리, N채널 디지털 마이크로회로를 갖춘 8비트 금속 산화물 반도체 마이크로프로세서
  • DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 드라이버, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 드라이버, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 수신기, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 실리콘 모놀리식 65536 X 1비트 동적 랜덤 액세스 메모리, 금속 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87641-1988 실리콘 모놀리식 래칭 장치, 입력 밀봉, 양극 금속 산화물 반도체 기술 8비트, 선형 미세 회로
  • DLA SMD-5962-87701 REV C-2003 실리콘 모놀리식 8비트 곱셈 디지털-아날로그 변환기, 이중 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92122 REV B-1993 실리콘 모놀리식 32비트 흐름 오류 감지 및 수정 장치, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86826 REV C-2005 실리콘 모놀리식 4비트 양방향 범용 시프트 레지스터 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 방사선 하드 상보형 금속 산화물 반도체 삼중 3입력 트랜지스터 호환 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 방사선 하드 상보형 금속 산화물 반도체 삼중 3입력 트랜지스터 호환 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 실리콘 모놀리식 TTL 호환 10비트 돋보기 조정 가능한 빠른 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88624-1988 실리콘 모놀리식 TTL 호환 프로그래밍 가능 N 카운터 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 실리콘 모놀리식 TTL 호환 9비트 돋보기 규제 고속 상보성 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 D-버스 수신기, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 쉽게 볼 수 있는 이중 2비트 쌍안정 정지 핀, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-92078 REV H-2001 512KX 8비트 상보형 금속 산화물 반도체, 정적 랜덤 액세스 메모리, 디지털 메인 메모리 하이브리드 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-87754 REV A-2005 실리콘 모놀리식 이중 던지기 3극 아날로그 멀티플렉서/디멀티플렉서 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 실리콘 모놀리식 16X16 곱셈기 보완적 금속 산화물 반도체, 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 실리콘 모놀리식 상보성 금속 산화물 반도체 16X16 곱셈기, 디지털 마이크로회로
  • DLA DSCC-DWG-09006-2009 커패시터, 고정형, 금속화 플라스틱, 유전체, DC, 밀폐형
  • DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 비 트랜지스터 호환 입력을 갖춘 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 삼중 삼중 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 비트랜지스터 호환 입력을 갖춘 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 듀얼 4입력 실리콘 모놀리식 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95762-1995 고속 상보성 금속 산화물 반도체, 입력 및 유선 출력 전압 스윙과 호환되는 트랜지스터, 실리콘 모놀리식 선형 마이크로회로와 호환되는 트랜지스터
  • DLA SMD-5962-88756 REV C-2004 실리콘 모놀리식 TTL 호환 입력 8입력 멀티플렉서 상보형 금속 산화물 반도체로 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-81039 REV G-2006 실리콘 모놀리식 16,000(2048 X 8) 비트 정적 랜덤 액세스 메모리, 금속 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-87593 REV C-2006 실리콘 모놀리식 256 X8비트 랜덤 액세스 메모리, N채널 금속 산화물 반도체, 디지털 메인 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86063 REV H-2006 실리콘 모놀리식 144비트(32KX8) UV 소거 가능 프로그램 262 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 메인 메모리 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-90908 REV A-2003 출력 증폭기, 선형 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 상보성 금속 산화물 반도체 8비트 디지털-아날로그 변환기
  • DLA SMD-5962-90831 REV A-2007 실리콘 모놀리식 상보형 금속 산화물 반도체 8K X 8비트 진단 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리, 디지털 메인 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 육각형 변환장치 트랜지스터 호환 가능한 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 고속 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 쿼드 2 입력 트랜지스터 호환 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-94709-1994 총격 제어 보완 금속 산화물 반도체 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 D형 에지 트리거 버퍼, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 방사선 하드 디지털 상보형 금속 산화물 반도체 삼중 3 입력 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 128K X 8-BIT 디지털 상보성 금속 산화물 반도체 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-88556 REV A-2005 실리콘 모놀리식 이중 극 포지셔닝 아날로그 멀티플렉서/디멀티플렉서 고속 보완 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86077 REV C-2005 실리콘 모놀리식 9비트 패리티 생성기 또는 효과기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86705 REV F-2006 실리콘 모놀리식 4X4비트 정적 랜덤 액세스 메모리, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 바디 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88766 REV A-2004 실리콘 모놀리식 출력 스피커 레퍼런스 12비트 상보형 금속 산화물 반도체 디지털-아날로그 변환 디지털 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88639 REV C-2006 실리콘 모놀리식 TTL 호환 8진 투명 래치 3상태 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88640 REV A-1992 실리콘 모놀리식 TTL 호환 카운터 동기화 바이너리 예약 고속 상보성 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 방사선 하드 상보성 금속 산화물 반도체 9비트 패리티, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-97528-1997 상보형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 포지티브 NAND 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-97571-1997 상보형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 포지티브 NAND 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 방사선 하드 디지털 상보형 금속 산화물 반도체, 카운터 생성기 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체 및 비실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 및 문 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 및 문 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-96803-1996 상보형 금속산화물 반도체, 육각형 인버터, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 상보형 금속산화물 반도체, 육각형 인버터, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 상보형 금속산화물 반도체, 육각형 인버터, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 고속 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-94734-1995 16 MEG X 1 DRAM 디지털 상보성 금속 산화물 반도체 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95715-1996 디지털 상보형 금속 산화물 반도체 클록 드라이버 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 입력 8진 버퍼 및 행 드라이브 라인 또는 금속 산화물 반도체 드라이버, 양극 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 실리콘 모놀리식 버스는 N채널 금속 산화물 반도체인 마이크로 회로를 제어합니다.
  • DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 실리콘 모놀리식 실제 시계, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 실리콘 모놀리식 채널 금속 산화물 반도체 인터럽트 발생기 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 실리콘 모놀리식 8X8 곱셈기, 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91542 REV E-2006 실리콘 모놀리식 8비트 삭제 가능 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리 마이크로컨트롤러, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90720 REV A-1992 3상태 출력 8비트 인터페이스 D형 래치 회로, 고급 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로를 갖춘 실리콘 모놀리스
  • DLA SMD-5962-86859 REV B-2006 실리콘 모놀리식 상보성 금속 산화물 반도체 16비트 X4 정적 랜덤 액세스 메모리 디지털 바디 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90963-1992 실리콘 모놀리식 16/19비트 고속 푸리에 변환 컨트롤러 및 산술 장치, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 9비트 D 버퍼, 포지티브 에지 트리거, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 9비트 D 버퍼, 포지티브 에지 트리거, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88755 REV A-2002 실리콘 모놀리식 TTL 호환 입력 쿼드 2 입력 멀티플렉서 보완형 금속 산화물 반도체로 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-89458 REV A-2006 실리콘 모놀리식 TTL 호환 입력 14단 바이너리 카운터 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89513 REV B-2006 실리콘 모놀리식 TTL 호환 3상태 출력 8진수 D 조정 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89547 REV F-2004 실리콘 모놀리식 TTL 호환 입력 쿼드 듀얼 입력 및 채널 보완형 금속 산화물 반도체로 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 반전된 3상태 출력 및 행 구동 라인을 갖춘 8진 버퍼 또는 금속 산화물 반도체 드라이버, 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95557 REV A-1997 충전된 가변 프로그래밍 가능 논리 장치 상보적인 금속 산화물 실리콘 모놀리식 회로 라인 미세 회로
  • DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체, 듀얼 4 입력 NAND 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 고속 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 트리플 3 입력, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 고속 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 육각형 인버터 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 고속 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 삼중 3 입력 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모 놀리 식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 고속 방사선 하드 상보형 금속 산화물 반도체 8입력 및 비트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 고속 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 쿼드 2 입력 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보성 금속 산화물 반도체, 듀얼 4입력 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 고속 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 삼중 3 입력 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모 놀리 식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 고속 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 이중 4 입력 트랜지스터 호환성 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 3상태 출력 16비트 투명 래치, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 3상태 출력 16비트 투명 래치, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 3상태 출력 8진 래칭 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 방사선 경화 디지털 상보성 금속 산화물 반도체, 4중 SR 래칭 장치, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 방사선 하드 디지털 상보형 금속 산화물 반도체 4비트 바이너리 완전 가속 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96761-1996 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 1~8행 클록 드라이버, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 타이밍 및 대기 상태 발생기 회로, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 상보형 금속 산화물 반도체, 16비트 25Ω 시리즈 저항기 버스 수신기, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 저전압 보완형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 포지티브 NAND 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 저전압 보완형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 포지티브 NAND 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 정적 잡음 무작위 디지털 메모리 하이브리드 상보형 금속 산화물 반도체 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 동기식 재설정 가능, 4비트 재설정 가능 바이너리 카운터, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94688 REV A-1996 디지털 상보형 금속 산화물 프로그래밍 가능 논리 장치 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 프로그래밍 가능 어레이 4000GATES 상보형 금속 산화물 반도체 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 실리콘 모놀리식 프로세서 인터페이스 회로 상보적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 발전기 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-91752 REV B-2006 실리콘 모놀리식 상보성 금속 산화물 반도체 512K
  • DLA SMD-5962-92071-1994 실리콘 모놀리식 상보성 금속 산화물 반도체 64K
  • DLA SMD-5962-92140-1992 실리콘 모놀리식 상보성 금속 산화물 반도체 128K
  • DLA SMD-5962-90912 REV A-2006 실리콘 모놀리식 상보성 금속 산화물 반도체 256K
  • DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 실리콘 모놀리식 A/D 변환 트랙/보유된 8비트 마이크로프로세서 호환 상보형 금속 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90997-1991 실리콘 모놀리식 보완형 고성능 금속 산화물 반도체 구조, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 실리콘 모놀리식 8진 고급 상보성 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92026-1992 실리콘 모놀리식 고정점 프로세서, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87744-1987 실리콘 모놀리식 1M (64K X 16) BIT, 채널 금속 산화물 반도체, UVEPROM 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-92103-1992 실리콘 모놀리식 부동 소수점 프로세서, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 실리콘 모놀리식 신호 프로세서 상보성 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-85528-1986 실리콘 모놀리식 버스 중재자, 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 실리콘 모놀리식 8 x 8 승수 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 실리콘 모놀리식 보완적인 금속 산화물 반도체 버스 인터페이스 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 실리콘 모놀리식 정밀 타이머 상보형 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 래치 및 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력이 있는 실리콘 모놀리스, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90864 REV A-1993 실리콘 모놀리식 고속 상보성 금속산화물 반도체 다기능 에지 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95654 REV C-2000 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 쿼드러플 2입력 전용 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 보완적인 금속 산화물 반도체, 과전압 보호 멀티플렉서 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력, 동기화된 재설정 기능이 있는 8비트 진단 자동 레코더, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 사전 설정 가능한 동기화 4비트 이진 업 또는 다운 카운터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91697 REV D-2003 32K 비트의 삭제 가능 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리, 보완적인 고성능 금속 산화물 반도체 구조 단일 칩, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 마이크로컨트롤러
  • DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 비실리콘 모놀리식 회로를 갖춘 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 듀얼 4입력 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 비실리콘 모놀리식 회로를 갖춘 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 4중 2입력 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 쿼드러플 2입력 전용 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94730 REV D-2002 디지털 상보성 금속 산화물 반도체 프로그래밍 가능 논리 어레이 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-94733-1995 디지털 상보형 금속 산화물 반도체 1200 구성 로직 어레이 실리콘 모놀리식 회로 라인 미세 회로
  • DLA SMD-5962-95717-1995 디지털 상보형 금속 산화물 반도체 팔각형 버스 수신기 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96895-1997 이중 상보형 금속 산화물 반도체, 광학 구리 전파 인터페이스 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96896-1997 이중 상보형 금속 산화물 반도체, 광학 구리 수신기 인터페이스 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 보완적인 금속 산화물 반도체 마이크로파워 위상 고정 링 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96683-1996 내방사선성 상보성 금속 산화물 반도체 4BIT 비트 작동 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 4중 상보성 금속 산화물 반도체 라인 여기자 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-90899 REV D-2006 실리콘 모놀리식 상보성 금속 산화물 반도체 128K
  • DLA SMD-5962-91576 REV C-2006 8비트 삭제 가능 및 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 보완 고성능 금속 산화물 반도체 구조 마이크로컨트롤러
  • DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 3상태 출력 상보형 금속 산화물 반도체를 갖춘 실리콘 모놀리식 TTL 호환 10비트 D형 플립플롭으로 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 쿼드 버스 3상태 출력 버퍼, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 상보형 금속 산화물 반도체, 팔각형 투명 클래스 D 3상태 출력 래칭 장치, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 가능, 1-8 디코더, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 상보형 금속 산화물 반도체, 쿼드 버스 3상태 출력 버퍼, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 고속 방사선 하드 상보형 금속 산화물 반도체 4중 4입력 및 비트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 상보형 금속 산화물 반도체, 쿼드 버스 3상태 출력 버퍼, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 상보형 금속 산화물 반도체, 18비트 버스 3상태 출력 수신기, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 이중 리플 카운터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 전용 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 4비트 바이너리 전가산기, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95610 REV A-1996 디지털 상보형 금속 산화물 반도체 프로그래밍 가능 논리 셀 디스플레이 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95611 REV A-1996 디지털 상보형 금속 산화물 반도체 프로그래밍 가능 논리 셀 디스플레이 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95612 REV A-1996 디지털 상보형 금속 산화물 반도체 프로그래밍 가능 논리 셀 디스플레이 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 호환 입력, 비동기식 재설정, 4비트 재설정 가능 바이너리 카운터, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 디지털 상보형 금속 산화물 반도체 프로그래밍 가능 셀 배열 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 실리콘 모놀리식 옥탈 버스 수신기, 상보성 금속 산화물 반도체, 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 실리콘 모놀리식 N채널 금속 산화물 반도체, 범용 인터럽트 컨트롤러 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 실리콘 모놀리식 고성능 상보성 금속 산화물 반도체 버스 버퍼, 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 실리콘 모놀리식 멀티플렉서, 상보성 금속 산화물 반도체, 선형 미세 회로
  • DLA SMD-5962-92106-1993 실리콘 모놀리식 주소 프로세서 2, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 실리콘 모놀리식 16비트 마이크로프로세서 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 실리콘 모놀리식 디지털 데이터 프로세서 채널 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88599-1988 실리콘 모놀리식 타이밍 제어 구성 요소 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 실리콘 모놀리식 16비트 마이크로프로세서 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 실리콘 모놀리식 사변형 아날로그 스위치 상보적인 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-90901-1992 실리콘 모놀리식 8진 명칭 트랜시버, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 상보성 금속 산화물 반도체 구조, 트랜지스터-트랜지스터 로직 호환 입력을 사용하는 3상태 출력을 갖춘 18비트 버스 트랜시버로 구성된 고급 양극 디지털 단일 실리콘 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-91744 REV B-2006 실리콘 모놀리식 상보성 금속산화물 반도체 등록 32K
  • DLA SMD-5962-96528 REV B-2005 방사선 단단한 디지털 상보적인 금속 산화물 반도체 삼중 3 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-96656 REV C-2003 방사선 경질 상보성 금속 산화물 반도체 4비트 클래스 D 레지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 실리콘 모놀리식 마이크로프로세서 최적화된 디지털 신호 처리 보완형 금속 산화물 반도체 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 상보형 금속 산화물 반도체, 이중 단극 단투(스위치) 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 실리콘 모놀리식 단일 공급 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 드라이버 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 4중 2 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 삼중 3 입력 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 내방사선 상보성 금속 산화물 반도체 4비트 완전 가속 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 듀얼 NAND 게이트 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 비실리콘 모놀리식 회로를 갖춘 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체 8입력 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 육각형 완충기 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 육각형 변환장치 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 버스 관제사 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-96786-1996 8비트 양방향 상보형 금속 산화물 반도체 또는 변환기 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88674-1988 실리콘 모놀리식 8비트 스피커 TTL 호환 버스 인터페이스 조정 입력 빠른 보완 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-88757 REV B-2006 실리콘 모놀리식 TTL 호환 입력 위상 고정 루프 및 전압 제어 발진기 고속 상보형 금속 산화물 반도체로 디지털 마이크로회로 구현 가능
  • DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 디지털 반사형 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 비트랜지스터 호환 입력을 갖춘 4중 2 입력 실리콘 모놀리식 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 디지털 반사형 고속 상보성 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 및 비트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체 4-BIT 바이너리 리플 타이머, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보성 금속 산화물 반도체, 10~4행 우선 인코더, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 듀얼 4단계 바이너리 카운터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 듀얼 4입력 멀티플렉서, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 4중 2입력 멀티플렉서, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체, 4비트 바이너리 동기 카운터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 상보형 금속 산화물 반도체, 16비트 수신기 또는 3상태 출력 레지스터, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 금속 산화물의 비축전용량

  • GJB 3794-1999 전기 접점용 은 기반 금속 산화물 합금 사양
  • GJB 3794A-2018 은계 금속산화물과의 전기적 접촉을 위한 가공재료 규격

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 금속 산화물의 비축전용량

  • GB/T 34869-2017 직렬 보상 장치의 커패시터 뱅크 보호를 위한 금속 산화물 전압 제한기
  • GB/T 32996-2016 표면 화학 분석 금속 산화막의 글로우 방전 방출 분광 분석

International Organization for Standardization (ISO), 금속 산화물의 비축전용량

  • ISO/TS 5094:2023 나노기술 - 금속 및 금속 산화물 나노입자의 퍼옥시다제 유사 활성 평가
  • ISO/TR 20489:2018 나노기술 - 물 시료 내 금속 및 금속 산화물 나노물질의 특성 분석을 위한 시료 준비
  • ISO 1463:1973 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 결정 현미경 방법
  • ISO 1463:1982 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 결정 현미경 방법
  • ISO/TS 25138:2019 표면 화학 분석 - 글로우 방전 방출 분광법을 통한 금속 산화물 필름 분석
  • ISO/TS 18827:2017 나노기술 금속산화물 나노물질이 생성하는 활성산소종(ROS)의 전자스핀공명(ESR) 측정방법
  • ISO 1463:2003 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 결정 현미경 방법
  • ISO/TS 25138:2010 표면 화학 분석 글로우 방전 방출 분광법을 이용한 금속 산화막 분석
  • ISO/DIS 21068-3 탄화규소, 질화규소, 산질화규소 및 사이알론을 함유한 원료 및 내화물의 화학적 분석 - 3부: 질소, 산소, 금속 및 산화물 성분 측정

British Standards Institution (BSI), 금속 산화물의 비축전용량

  • PD ISO/TS 5094:2023 나노기술 금속 및 금속 산화물 나노입자의 퍼옥시다제 유사 활성 평가
  • BS EN 61643-331:2003 저전압 서지 보호 장치 MOV(금속 산화물 배리스터) 사양
  • PD ISO/TR 20489:2018 물 시료 내 금속 및 금속 산화물 나노 물체의 특성화를 위한 나노기술 시료 준비
  • BS EN 60099-4:2004 낙뢰 어레스터 교류 시스템용 갭리스 금속 산화물 서지 어레스터
  • BS EN 60099-4:2014 낙뢰 어레스터 교류 시스템용 갭리스 금속 산화물 서지 어레스터
  • BS EN 60099-4:2004+A2:2009 낙뢰 어레스터 교류 시스템용 갭리스 금속 산화물 서지 어레스터
  • PD ISO/TS 25138:2019 표면 화학 분석 금속 산화막의 글로우 방전 방출 분광 분석
  • BS EN ISO 1463:2005 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 결정 현미경 방법
  • BS EN ISO 1463:2021 금속 및 산화물 코팅의 코팅 두께 측정을 위한 현미경 방법
  • PD ISO/TS 18827:2017 금속산화물 나노물질에 의해 생성된 활성산소종(ROS)을 측정하는 방법으로서의 전자 스핀 공명(ESR)
  • BS IEC 60747-8-4:2004 반도체 개별 장치, 전력 스위칭 장비용 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터
  • BS EN IEC 61643-331:2020 MOV(금속 산화물 배리스터), 저전압 서지 보호 부품에 대한 성능 요구 사항 및 테스트 방법

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 금속 산화물의 비축전용량

YU-JUS, 금속 산화물의 비축전용량

  • JUS H.G8.053-1983 시약. 과산화수소. 중금속(납) 함량 측정. 측색법
  • JUS C.A6.031-1990 금속 및 산화물 코팅. 코팅 두께 결정. 현미경 사용
  • JUS C.T7.228-1984 알루미늄 및 알루미늄 합금의 아노다이징. 산화물 코팅 두께 측정. 와전류 방식

Professional Standard - Electron, 금속 산화물의 비축전용량

  • SJ/T 11824-2022 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 등가 정전 용량 및 전압 변화율 테스트 방법

工业和信息化部, 금속 산화물의 비축전용량

Professional Standard - Energy, 금속 산화물의 비축전용량

  • NB/T 10452-2020 액체 금속화 필름 커패시터 절연용 에폭시 대두유
  • NB/T 42059-2015 AC 전원 시스템의 금속 산화물 서지 어레스터용 단로기
  • DL/T 815-2021 AC 송전선용 복합 재킷형 금속 산화물 피뢰기

国家能源局, 금속 산화물의 비축전용량

  • NB/T 10452-2026 액체 금속화 필름 커패시터 절연용 에폭시 대두유
  • NB/T 42152-2018 비선형 금속 산화물 저항기에 대한 일반 기술 요구 사항

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 금속 산화물의 비축전용량

  • IEEE C62.11-2012 AC 전원 회로용 금속 산화물 서지 어레스터(>1 kV)
  • IEEE C62.11-1993 AC 전원 회로용 금속 산화물 서지 어레스터 표준
  • IEEE C62.11-1987 AC 전원 회로용 금속 산화물 서지 어레스터 표준
  • IEEE C62.11-1999 AC 전원 회로(>1kV)용 금속 산화물 서지 피뢰기 표준
  • IEEE C62.11-2005 AC 전원 회로(>1kV)에 사용하기 위한 금속 산화물 서지 어레스터에 대한 표준
  • IEEE 641-1987 금속 질화물 산화물 반도체 어레이의 표준 정의 및 특성화
  • IEEE PC62.11/D2.0-2019 AC 전원 회로(>1kV)에 사용하기 위한 금속 산화물 서지 어레스터에 대한 표준 초안

American National Standards Institute (ANSI), 금속 산화물의 비축전용량

工业和信息化部/国家能源局, 금속 산화물의 비축전용량

  • JB/T 8444-2014 분말야금 은금속 산화물 전기 접점의 기술 조건

Group Standards of the People's Republic of China, 금속 산화물의 비축전용량

  • T/CAB 0156-2022 스마트 가전용 금속산화물 MEMS 가스 센서
  • T/CECA 27-2017 신뢰성 표시기가 있는 금속 산화물 배리스터의 일반 사양
  • T/DCB 007-2023 나트륨 이온 배터리용 양극 재료 4부: 전이 금속 산화물
  • T/CEC 221-2019 높은 기울기와 낮은 잔류 전압 금속 산화물 저항기에 대한 일반 기술 표준
  • T/GDC 143-2022 비조직 배기가스 내 휘발성 유기 화합물 측정을 위한 금속 산화물 방법
  • T/QGCML 911-2023 10kV AC 송전선용 복합 재킷형 갭리스 금속 산화물 피뢰기

Military Standards (MIL-STD), 금속 산화물의 비축전용량

ES-UNE, 금속 산화물의 비축전용량

  • UNE-EN 24501:1993 광과산화물법을 이용한 초경금속 티타늄 측정
  • UNE-EN ISO 1463:2021 금속 및 산화물 코팅의 코팅 두께를 측정하는 현미경 방법
  • UNE-EN 60099-9:2014 서지 어레스터 파트 9: HVDC 컨버터 스테이션용 갭 없는 금속 산화물 서지 어레스터
  • UNE-EN 60099-4:2016 서지 피뢰기 4부: AC 시스템용 틈 없는 금속 산화물 서지 피뢰기
  • UNE-EN ISO 21068-3:2008 탄화규소를 함유한 원료 및 내화 제품의 화학적 분석 3부: 질소, 산소, 금속 및 산화물 성분 측정

RU-GOST R, 금속 산화물의 비축전용량

  • GOST 23862.1-1979 희토류 금속 및 그 산화물 희토류 원소 산화물의 불순물에 대한 분광학적 측정
  • GOST 23862.2-1979 희토류 금속 및 그 산화물 희토류 원소 산화물의 불순물에 대한 분광학적 측정
  • GOST 23862.7-1979 희토류 금속 및 그 산화물 희토류 원소 산화물의 불순물 측정을 위한 화학적 분광학적 방법
  • GOST 23862.0-1979 희토류 금속 및 그 산화물 분석가를 위한 일반 요구 사항
  • GOST 26318.8-1984 비금속 광물 재료 산화칼륨 함량의 방사성 분석
  • GOST 23862.6-1979 희토류 금속 및 그 산화물 나트륨, 칼륨 및 칼슘 측정 방법
  • GOST 23862.11-1979 희토류 금속 및 그 산화물 바나듐, 철, 코발트, 망간, 구리 및 니켈 측정을 위한 화학적 분광법

U.S. Military Regulations and Norms, 금속 산화물의 비축전용량

Association Francaise de Normalisation, 금속 산화물의 비축전용량

  • NF EN 24501:1994 초경금속 과산화티타늄 광도측정 방법의 결정.
  • NF A91-110:2004 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 측정 현미경
  • NF A91-110*NF EN ISO 1463:2021 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 측정 현미경
  • NF A91-110:1995 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 결정 현미경 방법
  • NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 서지 어레스터 파트 9: HVDC 컨버터 스테이션용 갭 없는 금속 산화물 서지 어레스터
  • NF C65-101/A1:2006 서지 어레스터 파트 4: 교류 시스템용 스파크 갭이 없는 금속 산화물 서지 어레스터.
  • NF S91-141:1997 치과용 금속합금의 생분해성 - 전기화학적 시험의 표준화
  • NF C65-101/A2:2009 피뢰기 4부: 교류 시스템용 틈 없는 금속 산화물 서지 피뢰기
  • NF C65-100-4*NF EN 60099-4:2015 서지 피뢰기 4부: 교류 시스템용 틈 없는 금속 산화물 서지 피뢰기
  • NF C65-101:2005 피뢰기 4부: 교류 시스템용 틈 없는 금속 산화물 서지 피뢰기
  • NF S91-141:1990 치과용 임플란트, 치과용 합금의 생체적합성, 전기화학적 테스트의 표준화

ECIA - Electronic Components Industry Association, 금속 산화물의 비축전용량

  • 377-1970 DC 애플리케이션용 금속 및 비금속 하우징의 금속화 유전체 커패시터(ANSI C83.62-71)
  • 377-1-1972 RS-377 "DC 애플리케이션을 위한 금속 및 비금속 인클로저의 금속화 유전체 커패시터"에 대한 부품 목록 보충 자료
  • 495-A-1990 AC 응용 분야를 위한 금속화 종이 전극을 갖춘 박막 유전체 커패시터
  • 495-A-1989 AC 응용 분야를 위한 금속화 종이 전극을 갖춘 박막 유전체 커패시터

Professional Standard - Nuclear Industry, 금속 산화물의 비축전용량

  • EJ/T 1212.1-2008 소결된 가돌리니아-이산화우라늄 펠릿의 분석 방법 1부: 소결된 가돌리늄 산화물-우라늄 이산화물 펠릿의 산소 대 금속비 측정 평형 분위기 방법

Professional Standard - Electricity, 금속 산화물의 비축전용량

  • DL/T 804-2002 AC 전원 시스템의 금속 산화물 서지 피뢰기 사용에 대한 지침
  • DL/T 804-2014 AC 전원 시스템의 금속 산화물 서지 피뢰기 사용에 대한 지침
  • DL/T 815-2012 AC 송전선용 복합 재킷형 금속 산화물 피뢰기
  • DL/T 815-2002 AC 송전선용 복합 재킷형 금속 산화물 피뢰기
  • DL/T 1294-2013 AC 전원 시스템의 금속 산화물 피뢰기용 단로기 사용 지침
  • DL/T 1432.3-2016 변전소 장비의 온라인 모니터링 장치에 대한 검사 사양 3부: 용량성 장비 및 금속 산화물 피뢰기의 절연 온라인 모니터링 장치
  • DL/T 1498.3-2016 변전소 장비용 온라인 모니터링 장치에 대한 기술 사양 3부: 용량성 장비 및 금속 산화물 피뢰기용 온라인 절연 모니터링 장치

International Telecommunication Union (ITU), 금속 산화물의 비축전용량

  • ITU-T K.77-2009 통신장비 보호용 금속산화물 저항시트의 특성 연구그룹 제5호
  • ITU-T K.77 CORR 1-2011 통신장비 보호용 금속산화물 배리스터의 특성 정오표 제1.5호 연구그룹

BE-NBN, 금속 산화물의 비축전용량

  • NBN-EN 24501-1994 단단한 금속. 티타늄의 결정. 과산화물 측광법(ISO 4501:1978)

Danish Standards Foundation, 금속 산화물의 비축전용량

  • DS/EN ISO 1463:2004 금속 및 산화물 코팅의 코팅 두께를 측정하는 현미경 방법
  • DS/ISO 1463:2021 금속 및 산화물 코팅의 코팅 두께를 측정하는 현미경 방법
  • DS/ISO 1463:1983 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 결정 현미경 검사
  • DS/EN 60099-4/A2:2009 서지 피뢰기 4부: AC 시스템용 틈 없는 금속 산화물 서지 피뢰기
  • DS/EN 60099-4/A1:2007 서지 피뢰기 4부: AC 시스템용 틈 없는 금속 산화물 서지 피뢰기
  • DS/EN 60099-4:2005 서지 피뢰기 4부: AC 시스템용 틈 없는 금속 산화물 서지 피뢰기
  • DS/EN ISO 21068-3:2008 탄화규소를 함유한 원료 및 내화물의 화학적 분석 3부: 질소, 산소, 금속 및 산화물 성분 측정
  • DS/EN 61643-331:2007 저전압 서지 보호기 부품 파트 331: MOV(금속 산화물 배리스터) 사양

Professional Standard - Hydroelectric Power, 금속 산화물의 비축전용량

  • SD 176-1986 3~500kV AC 전력 시스템의 금속 산화물 서지 어레스터에 대한 기술 조건
  • SD 177-1986 3~500kV AC 전력 시스템에서 금속 산화물 서지 피뢰기 사용에 대한 지침

Professional Standard - Railway, 금속 산화물의 비축전용량

  • TB/T 1844-1987 25kV AC 전기철도용 갭리스 금속산화물 피뢰기의 기술 조건

European Committee for Standardization (CEN), 금속 산화물의 비축전용량

  • EN ISO 1463:1994 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 결정 현미경 방법
  • EN ISO 1463:2021 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 결정 현미경 방법
  • EN ISO 1463:2004 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 결정 현미경 ISO 1463-2003

German Institute for Standardization, 금속 산화물의 비축전용량

  • DIN EN ISO 1463:2004 금속 및 산화물 코팅 코팅 두께 결정 현미경 방법
  • DIN EN 60099-4:2010 서지 어레스터 4부: 교류 시스템용 갭 없는 금속 산화물 서지 어레스터
  • DIN EN 61643-331:2004 저전압 서지 보호 장치 부품 311부: 금속 산화물 배리스터 사양
  • DIN 50938:2018 철 금속 부품의 흑색 산화물 코팅에 대한 요구 사항 및 테스트 방법
  • DIN 50938:2018-01 철 금속 부품의 흑색 산화물 코팅에 대한 요구 사항 및 테스트 방법

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 금속 산화물의 비축전용량

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 금속 산화물의 비축전용량

  • CNS 8104-1981 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터의 선형 임계전압 테스트 방법
  • CNS 8106-1981 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 포화임계전압 시험방법

PH-BPS, 금속 산화물의 비축전용량

  • PNS ISO/TS 18827:2021 나노기술 금속산화물 나노물질에 의해 생성된 활성산소종(ROS)을 측정하기 위한 전자스핀공명(ESR) 방법

ZA-SANS, 금속 산화물의 비축전용량

  • SANS 60099-4:2007 서지 피뢰기. 4부: AC 시스템용 틈새 없는 금속 산화물 서지 어레스터
  • NRS 039-2-1999 배전 시스템용 서지 피뢰기. 2부: 배전 등급 틈이 없는 금속 산화물 서지 피뢰기
  • NRS 039-1-1999 배전 시스템용 서지 피뢰기. 1부: 틈이 없는 금속 산화물 서지 피뢰기 애플리케이션 가이드

International Electrotechnical Commission (IEC), 금속 산화물의 비축전용량

KR-KS, 금속 산화물의 비축전용량

  • KS C IEC 60099-4-2021 서지 피뢰기 4부: AC 시스템용 틈새 없는 금속 산화물 서지 피뢰기
  • KS C IEC 60099-4-2019 서지 피뢰기 파트 4: 틈이 없는 금속 산화물 피뢰기 시스템
  • KS C IEC 61643-331-A-2014 저전압 서지 보호기 부품 부품 331: MOV(금속 산화물 배리스터) 사양
  • KS C ISO TS 18827-2021 나노기술 - 금속산화물 나노물질에 의해 생성된 반응성 산소종(ROS)을 측정하는 방법으로서의 전자 스핀 공명(ESR)

IT-UNI, 금속 산화물의 비축전용량

  • UNI 6404-1969 P 화학적 및 전기화학적 표면 처리. 금속 석출물 및 산화물 층의 국부적 두께 측정은 UNI 4237을 대체합니다. 미세한 방법

Standard Association of Australia (SAA), 금속 산화물의 비축전용량

  • AS 1307.2:1996 서지 피뢰기 2부: AC 시스템용 스파크 갭이 없는 금속 산화물 서지 피뢰기
  • AS 1307.2:1996(R2015) 서지 피뢰기 AC 시스템용 갭리스 금속 산화물 서지 피뢰기

US-FCR, 금속 산화물의 비축전용량

  • FCR DOE-STD-3013-96-1996 장기 보관을 위한 플루토늄 금속 및 산화물의 준비 및 포장에 대한 표준

PL-PKN, 금속 산화물의 비축전용량

未注明发布机构, 금속 산화물의 비축전용량

Jiangxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 금속 산화물의 비축전용량

  • DB36/T 688-2012 이트륨이 풍부한 산화물과 그 금속의 화학적 분석 방법 유도 결합 플라즈마 광 방출 분광법을 통한 15가지 희토류 원소 산화물의 성분 측정

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, 금속 산화물의 비축전용량

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 금속 산화물의 비축전용량

  • EN 131200:2002 하위 사양: 금속화 전극과 폴리프로필렌 유전체가 있는 고정 커패시터
  • EN 60099-4:1993 피뢰기 4부: 교류 시스템용 틈 없는 금속 산화물 서지 피뢰기

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), 금속 산화물의 비축전용량

  • EN 60099-4:2014 피뢰기 4부: 교류 시스템용 틈 없는 금속 산화물 서지 피뢰기

AENOR, 금속 산화물의 비축전용량

  • UNE-EN 61643-331:2004 저전압 서지 보호기 부품 파트 331: MOV(금속 산화물 배리스터) 사양
  • UNE-EN ISO 1463:2005 금속 및 산화물 코팅의 코팅 두께를 측정하는 현미경 방법(ISO 1463:2003)

NL-NEN, 금속 산화물의 비축전용량

  • NEN 10099-4-1993 IEC 99-4-1991 피뢰기. 파트 4: AC 시스템용 갭 금속 산화물 피뢰기

Lithuanian Standards Office , 금속 산화물의 비축전용량

  • LST EN ISO 1463:2004 금속 및 산화물 코팅의 코팅 두께를 측정하는 현미경 방법(ISO 1463:2003)
  • LST EN ISO 1463:2021 금속 및 산화물 코팅의 코팅 두께를 측정하는 현미경 방법(ISO 1463:2021)

AT-ON, 금속 산화물의 비축전용량

  • OENORM EN ISO 1463:2021 금속 및 산화물 코팅의 코팅 두께를 측정하는 현미경 방법(ISO 1463:2021)

CH-SNV, 금속 산화물의 비축전용량

  • SN EN ISO 1463:2021 금속 및 산화물 코팅의 코팅 두께를 측정하는 현미경 방법(ISO 1463:2021)

CZ-CSN, 금속 산화물의 비축전용량

  • CSN 70 0641 Cast.3-1976 유리의 화학적 분석. 알칼리 금속 산화물의 측정. 화염 측광(합성 용액 사용)

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 금속 산화물의 비축전용량

  • JEDEC JEP184-2021 전력전자 변환을 위한 탄화규소 금속 산화물 반도체 장치의 바이어스 온도 불안정성을 평가하기 위한 지침




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