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8개의 유효한 상태

모두 283항목의 8개의 유효한 상태와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 8개의 유효한 상태와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 토양질, 토양과학, 낚시와 양식업, 건물 내 시설, 기계, 설비 및 장비의 특성 및 설계, 식품 테스트 및 분석의 일반적인 방법, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 비료, 산업자동화 시스템, 농업 및 임업, 살충제 및 기타 농약, 범죄 예방, 농업 기계, 도구 및 장비, 석유 및 관련 기술, 방사선방호, 전기 견인 장비, 철도 차량, 소독 및 살균, 상품의 종합 포장 및 운송, 화물 발송, 소방, 수질, 환경 보호, 반도체 개별 장치.


Hubei Provincial Standard of the People's Republic of China, 8개의 유효한 상태

  • DB42/T 2032-2023 액체 크로마토그래피-원자형광법을 이용한 토양 내 유효비소 4종과 셀레늄 4종 측정

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, 8개의 유효한 상태

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 8개의 유효한 상태

  • DB13/T 2537-2017 대형 연못에서 다양한 종을 생태학적으로 효율적으로 혼합 사육하기 위한 기술 사양

Group Standards of the People's Republic of China, 8개의 유효한 상태

  • T/ZNZ 082-2021 원자형광법을 이용한 토양 내 유효 수은 측정
  • T/NAIA 0200-2023 고성능 액체 크로마토그래피를 통한 와인 내 다양한 유기산 측정
  • T/BSRS 061-2021 원자력발전소 배출수로 인한 공공유효선량 계산 및 계산을 위한 기술요건 안전검토 운영현황
  • T/GDNB 46-2021 구배 확산 필름(DGT) 추출-유도 결합 플라즈마 광 방출 분광법을 사용하여 논 토양에서 이용 가능한 카드뮴 상태 결정
  • T/CI 110-2022 자성 바이오차 박막확산구배기술(MB-DGT)을 이용한 현장토양 내 유효 3가비소 및 5가비소 추출방법

Henan Provincial Standard of the People's Republic of China, 8개의 유효한 상태

  • DB41/T 813-2013 원자형광법을 이용한 토양 내 유효 안티몬 측정

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 8개의 유효한 상태

  • GJB 5214.12-2003 특수탄약효과시험방법 제12부 : 연막탄의 유효연막폭 및 유효연막높이를 측정하는 사진법
  • GJB 8670.11-2015 특수탄약효과시험방법 제11부 : 연막탄의 유효연막폭 및 유효연막높이 결정을 위한 사진촬영법
  • GJB 8706.15-2015 특수 공중 연막 효과 시험 방법 제15부: 공중 연막탄 지면의 유효 연막 폭 및 유효 연막 높이의 사진 촬영 방법
  • GJB 8706.19-2015 특수공중폭탄 효과 시험방법 제19부 : 공중소이탄 발사의 정적 연소시간

Association Francaise de Normalisation, 8개의 유효한 상태

  • NF C44-101:1993 AC 유효 에너지 정전기 측정기(레벨 1 및 레벨 2)
  • NF C44-109:1996 직결형 교류 유효에너지 정전력량계(1등급, 2등급) 인수검사
  • NF C44-053-22*NF EN 62053-22:2003 교류 측정 장비에 대한 특별 요구사항 파트 22: 유효 에너지에 대한 정적 전력량계(클래스 0.2S 및 0.5S)
  • NF C44-053-21*NF EN 62053-21:2003 교류 측정 장비에 대한 특별 요구사항 파트 21: 유효 에너지에 대한 정적 전력량계(클래스 1 및 2)
  • NF F21-317*NF EN 50317:2013 철도 운송 전류 수집 시스템의 극과 가공 접촉선 사이의 동적 접촉 측정의 유효성에 대한 요구 사항
  • XP P18-461:2012 정상상태 조건의 시험경화 콘크리트에서 가속 염화물 이온 이동 시험을 통한 유효 염화물 이온 확산계수 결정
  • NF T72-171:1988 물과 섞이는 액체 방부제 및 소독제 특정 간섭 물질이 있을 때 살균 효능 확인(막 여과 방법)
  • NF EN 15433-3:2008 운송 부하 - 동적 기계적 부하의 측정 및 분석 - 3부: 데이터 유효성 검사 및 평가 데이터 편집
  • NF X70-103*NF ISO 19703:2019 화재 시 유독가스 발생 및 분석 실험 화재에서 종 수율, 당량비 및 연소 효율 계산
  • NF C44-470-3*NF EN 50470-3:2007 전기 측정 장비(교류) 파트 3: 특별 요구사항 유효 에너지를 위한 정적 전력량계(클래스 인덱스 A, B 및 C)
  • NF T90-115:2004 수질 액체-액체 추출 후 형광 검출 기능이 있는 고성능 액체 크로마토그래피(HPLC)를 사용하여 물에 있는 15가지 다환 방향족 탄화수소(PAH)를 측정합니다.
  • NF X70-103:2010 화재 중 유독가스 발생 및 분석 실험적 연소에서 종 수율, 당량비 및 연소 효율 계산.
  • NF T90-090*NF EN ISO 17993:2004 수질 액체-액체 추출 후 형광 검출 기능이 있는 고성능 액체 크로마토그래피(HPLC)를 사용하여 물에 있는 15가지 다환 방향족 탄화수소(PAH)를 측정합니다.
  • NF T72-170:1988 물과 혼합되어 중화되는 액상 방부제, 소독제 특정 간섭물질 존재 시 멸균 효능 판정(희석-중화법)

RU-GOST R, 8개의 유효한 상태

  • GOST R 27.404-2009 프로세스 신뢰성, 정상상태 타당성 검증 테스트 계획
  • GOST R IEC 61003-1-2017 산업 공정 제어 시스템 아날로그 입력과 2상태 또는 다중 상태 출력을 갖춘 기기 1부. 성능 평가 방법
  • GOST EN 15750-2016 비료 두 가지 다른 방법을 사용하여 질산염 질소, 암모니아 질소 및 요소 질소로만 질소를 함유하는 비료의 총 질소 함량 측정
  • GOST 12.4.259-2014 직업 안전 표준 시스템 액체 화학물질에 대한 보호복 액체 화학물질에 대한 효과적인 보호를 제공하는 화학 보호복에 대한 성능 요구 사항(클래스 6 및 클래스 PB [6])

Professional Standard - Agriculture, 8개의 유효한 상태

  • NY/T 1849-2010 추출-비색법을 결합하여 산성 토양 내 암모늄 질소, 유효 인, 유효 칼륨 측정
  • NY/T 1848-2010 추출-비색법을 결합하여 중성 및 석회질 토양에서 암모늄 질소, 유효 인 및 유효 칼륨 측정
  • NY/T 890-2004 DTPA(디에틸렌트리아민펜아세트산) 침출 방법을 사용하여 토양 내 유효 아연, 망간, 철 및 구리 함량 측정

Society of Motion Picture and Television Engineers (SMPTE), 8개의 유효한 상태

  • SMPTE 352M-2002 TV(동적) 디지털 인터페이스용 비디오 페이로드 식별

BE-NBN, 8개의 유효한 상태

  • NBN 761.05-1969 활성 성분이 포함된 탈착식 절연 작동 막대. 실내 및 실외 사용을 위해
  • NBN 761.06-1969 두 가지 활성 성분이 포함된 탈착식 절연 작동 레버. 실내 및 실외 사용을 위해

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, 8개의 유효한 상태

  • GJB 6238.21-2008 특수공중폭탄 효과 시험방법 제21부: 공중소이탄의 정적폭발의 유효점화종류수 및 발화율
  • GJB 6238.16-2008 특수 공중 연막 효과 시험 방법 제16부: 공중 연막탄 지상 유효 연막 폭 및 유효 연막 높이 카메라 방법
  • GJB 6238.15-2008 특수 공중 연막 효과 시험 방법 제15부: 공중 연막탄 지면의 유효 연막 폭 및 유효 연막 높이의 사진 촬영 방법
  • GJB 6238.19-2008 특수공중폭탄 효과 시험방법 제19부 : 공중소이탄 발사의 정적 연소시간

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 8개의 유효한 상태

  • GB/T 23739-2009 토양의 질, 이용 가능한 납과 카드뮴의 결정, 원자 흡수 방법
  • GB/T 42642-2023 해양 저서 동물 개체군의 생태적 복원에 대한 모니터링 및 효과 평가를 위한 기술 지침
  • GB/T 16587-1996 농약 유효성분의 가스 크로마토그래피 신속 분석 방법 1부: 12가지 농약
  • GB/T 21160-2007 농업용 트레일러 - 전체 트레일러 및 세미 트레일러의 탑재량, 수직 정적 하중 및 축중 결정

Defense Logistics Agency, 8개의 유효한 상태

  • DLA SMD-5962-84096 REV H-2009 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04760 REV A-2011 마이크로 회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-86813 REV C-2008 미세 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 래치, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-85128 REV E-2009 미세 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 래치, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-97543 REV D-2010 미세 회로, 디지털, 저전압 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87694 REV F-2011 마이크로회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-92179 REV B-2013 마이크로회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-92180 REV B-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D-래치, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-84074 REV F-2010 마이크로 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 반전 8진 버퍼, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89722 REV A-2010 마이크로회로, 디지털, 고급 쇼트키, TTL, 8진 30Ω 전송 라인 드라이버/백플레인 트랜시버 NINV(3개 상태의 개방형 컬렉터), 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 3상태 순방향 출력, 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 버스 트랜시버
  • DLA DSCC-VID-V62/04665 REV A-2010 마이크로회로, 디지털, 저전압 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04666 REV A-2010 마이크로회로, 디지털, 저전압 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-97594 REV C-2010 미세 회로, 디지털, 저전압 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-97595 REV C-2010 미세 회로, 디지털, 저전압 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-88706 REV E-2011 마이크로회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89682 REV C-2011 마이크로 회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 트랜시버/레지스터, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87629 REV E-2010 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 비반전 8버스 트랜시버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90506 REV B-2012 3상 비반전 출력, 모놀리식 실리콘을 갖춘 마이크로 회로, 디지털, 양극, 8진 버스 트랜시버
  • DLA SMD-5962-87551 REV D-2008 마이크로회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04621 REV A-2010 마이크로회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 투명 래치, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87695 REV B-2010 마이크로회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04667 REV A-2010 미세 회로, 디지털, 저전압 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 D형 래치, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-97575 REV C-2010 미세 회로, 디지털, 저전압 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 D형 래치, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-86062 REV E-2012 미세 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 반전 D형 래치, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87695 REV C-2013 마이크로회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-84072 REV G-2009 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 D형 래치, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89513 REV C-2010 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D 레지스터, TTL 호환, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-95656 REV D-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS 방사선 강화, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-85130 REV D-2009 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, Tri-State 출력을 갖춘 8진 버퍼, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 마이크로 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04762 REV A-2011 초소형 회로, 디지털, 고급 저전압 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96588 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 방사선 강화, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 래치, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-88639 REV D-2010 마이크로 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 래치, TTL 호환, 모놀리식 실리콘
  • DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 2-2013 마이크로회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키 TTL, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼 게이트, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/05602 REV A-2011 조정 가능한 출력 전압 및 3상태 출력을 갖춘 모놀리식 실리콘 마이크로 회로, 디지털, 옥탈 버스 트랜시버
  • DLA SMD-5962-96856 REV A-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 D형 래치, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96866 REV A-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 D형 래치, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96807 REV A-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, 반전 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-85506 REV E-2009 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04663 REV A-2010 미세 회로, 디지털, 저전압 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 에지 트리거 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04668 REV A-2010 미세 회로, 디지털, 저전압 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 에지 트리거 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-97574 REV D-2010 미세 회로, 디지털, 저전압 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 에지 트리거 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-97576 REV C-2010 미세 회로, 디지털, 저전압 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 에지 트리거 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/03607 REV B-2012 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼 및 라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-92176 REV C-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 비반전 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-88706 REV F-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 방사선 강화, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96850 REV B-2008 디지털 마이크로회로, 3상태 출력 및 모놀리식 실리콘을 갖춘 고급 고속 CMOS 유형 8진 버퍼/드라이버
  • DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 3상태 출력 8비트 반전 버퍼, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 소자
  • DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 3상태 출력 8비트 버스 수신기, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
  • DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 3상태 출력 8비트 버스 수신기, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
  • DLA SMD-5962-89989-1990 3상태 출력, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 버스 트랜시버
  • DLA SMD-5962-85507 REV F-2009 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 플립플롭, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89557 REV B-2010 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 플립플롭, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-94528 REV C-2010 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 16비트 D형 플립플롭, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 3.3V ABT 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 3.3V ABT 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87550 REV G-2011 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 방사선 강화, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89658 REV B-2012 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 플립플롭, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87550 REV H-2012 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 방사선 강화, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-92188 REV C-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼 게이트, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-86867 REV E-2010 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90514 REV B-2012 초소형 회로, 디지털, 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90870 REV B-2012 마이크로회로, 디지털, 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진수 등록 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-92222 REV C-2008 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D 레지스터, TTL 호환 입력 및 제한된 출력 전압 스윙, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-92238 REV D-2008 마이크로 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 래치, TTL 호환 입력 및 제한된 출력 전압 스윙, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96854 REV A-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 에지 트리거 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96864 REV A-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 에지 트리거 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96819 REV B-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96570 REV D-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, Radiation Hard, 8진수 버퍼 및 3상태 출력을 갖춘 라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04680 REV A-2010 마이크로 회로, 디지털, 저전압 CMOS, 3.3V ABT 8진 버스 트랜시버 및 3상태 출력 레지스터, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96570 REV E-2011 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, Radiation Hard, 8진수 버퍼 및 3상태 출력을 갖춘 라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04761 REV A-2011 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-92196 REV B-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 트랜시버/레지스터, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87628 REV E-2009 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력 및 TTL 호환 입력을 갖춘 8개의 비반전 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 3상태 출력 8비트 D형 투명 래치, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 장치
  • DLA SMD-5962-89682 REV A-1999 3상태 출력, 수정된 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식, 8비트 트랜시버/레지스터
  • DLA SMD-5962-89732-1989 3상태 출력, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식, 8비트 버퍼/라인 드라이버
  • DLA SMD-5962-96858 REV C-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-97626 REV B-2008 마이크로 회로, 디지털, 저전압 CMOS, 8버스 트랜시버 및 3상태 출력이 있는 레지스터, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89795 REV C-2010 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 방사선 강화, 3상태 출력을 갖춘 8방향 버스 버퍼, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-97627 REV B-2010 마이크로 회로, 디지털, 저전압 CMOS, 8버스 트랜시버 및 3상태 출력이 있는 레지스터, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04620 REV C-2012 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, TTL 호환 입력 및 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89742 REV B-2013 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8방향 D형 에지 트리거 플립플롭, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-92194 REV B-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 D-래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-94618 REV B-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 비반전 3상태 출력을 갖춘 8진 버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89795 REV D-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 방사선 강화, 3상태 출력을 갖춘 8방향 버스 버퍼, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96573 REV C-2008 초소형 회로, 디지털, 방사선 방지, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96573 REV D-2008 초소형 회로, 디지털, 방사선 방지, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-86856 REV B-2008 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력 및 LS TTL 호환 입력을 갖춘 8진 D-래치, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96573 REV E-2009 초소형 회로, 디지털, 방사선 방지, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87644 REV C-2009 마이크로 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 비반전 8진 투명 래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96573 REV F-2010 초소형 회로, 디지털, 방사선 방지, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87644 REV D-2011 마이크로 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 비반전 8진 투명 래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96573 REV G-2012 초소형 회로, 디지털, 방사선 방지, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8버스 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90516 REV C-2013 마이크로 회로, 디지털, 양극 CMOS, 8방향 D형 에지 트리거 플립플롭, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90746 REV C-2013 초소형 회로, 디지털, 양극성 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 투명 래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-92216 REV C-2010 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8입력 범용 시프트 레지스터, TTL 호환 입력 및 제한된 출력 전압 스윙, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-92237 REV D-2013 마이크로 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력, TTL 호환 입력 및 제한된 출력 전압 스윙을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 3상태 출력 8비트 버스 트랜시버, TTL 쇼트키 고급 저전력 디지털 메모리 마이크로회로가 장착된 실리콘 모놀리식 칩
  • DLA SMD-5962-93227 REV E-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04676 REV A-2010 미세 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 3.3V ABT 8진 에지 트리거 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87556 REV E-2011 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 방사선 경화 처리, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96589 REV C-2012 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 방사선 경화 처리, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-92185 REV B-2013 마이크로 회로, 디지털, 고급 CMOS, 비반전 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-92186 REV C-2013 마이크로 회로, 디지털, 고급 CMOS, 비반전 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87556 REV F-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 방사선 경화 처리, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-95661 REV D-2009 초소형 회로, 디지털, 방사선 방지, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89766 REV B-2010 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 비반전 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96591 REV C-2013 초소형 회로, 디지털, 방사선 방지, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 플립플롭, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 3상태 출력 8비트 D형 플립플롭 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 탑재한 실리콘 모놀리식 칩
  • DLA SMD-5962-89724 REV B-2006 3상태 출력, 개선된 쇼트키 TTL 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식, 8비트 D형 쌍안정 다중 공진 발진기
  • DLA SMD-5962-96853 REV C-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, Tri-State 출력을 갖춘 8진 투명 D형 플립플롭, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-94577 REV C-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버스 트랜시버 및 레지스터, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96855 REV C-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, Tri-State 출력을 갖춘 8진 투명 D-래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-93086 REV B-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버스 트랜시버 및 레지스터, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96867 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, Tri-State 출력을 갖춘 8진 투명 D-래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96783 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, 비반전 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-93218 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 D-래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-93219 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 투명 D-래치, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-93242 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버스 트랜시버 및 레지스터, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-94577 REV D-2012 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버스 트랜시버 및 레지스터, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87655 REV C-2010 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 반전 옥탈 라인 드라이버/버퍼, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-95731 REV D-2010 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 방사선 강화, 3상태 출력을 갖춘 비반전 8진 버퍼/라인 드라이버, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87655 REV D-2010 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 반전 옥탈 라인 드라이버/버퍼, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96571 REV D-2013 초소형 회로, 디지털, 방사선 강화, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA DSCC-VID-V62/04698 REV A-2011 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘, 디지털, 고속 CMOS, 8진수 버퍼 및 라인 드라이버를 갖춘 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90625 REV B-2012 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘, 디지털, 양극 CMOS, 8진 버퍼 및 라인 드라이버를 갖춘 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-90743 REV B-2012 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘, 디지털, 양극 CMOS, 8진 버퍼 및 라인 드라이버를 갖춘 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89658 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 D형 쌍안정 멀티바이브레이터 플립플롭, 개선된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93217 REV B-1995 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
  • DLA SMD-5962-93220 REV C-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
  • DLA SMD-5962-89795 REV B-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버스 버퍼, 개선된 쇼트키 TTL 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92314 REV D-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 이중 활성화 기능이 있는 8진 래칭 트랜시버, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-97623 REV A-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 버스 홀딩 및 3상태 출력을 갖춘 8진 트랜시버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87759 REV E-2011 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 방사선 경화 처리, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-87759 REV F-2013 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 방사선 경화 처리, 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89767 REV B-2010 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 반전 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 1-2008 3상태 출력 8버스 버퍼 게이트를 갖춘 모놀리식 실리콘 저전력 쇼트키 트랜지스터 논리 양극 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 D형 에지 트리거 쌍안정 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89602 REV B-2006 3상태 출력 증폭기 드라이버와 8비트 버퍼, 수정된 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
  • DLA SMD-5962-92176 REV B-2006 순방향 3상태 출력, 변형된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식, 8비트 버퍼/라인 드라이버
  • DLA SMD-5962-92147 REV C-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 비반전 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96865 REV C-2008 초소형 회로, 디지털, 고급 고속 CMOS, 삼상 출력을 갖춘 모놀리식 실리콘 8진수 에지 트리거 D형 플립플롭, TTL 호환 입력
  • DLA SMD-5962-94718 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 비반전 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-93220 REV D-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 삼중 상태 출력을 갖춘 모놀리식 실리콘 8진수 에지 트리거 D형 플립플롭, TTL 호환 입력
  • DLA SMD-5962-96595 REV D-2009 초소형 회로, 디지털, 방사선 하드, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 비반전 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96595 REV E-2011 초소형 회로, 디지털, 방사선 하드, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 비반전 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96595 REV G-2013 초소형 회로, 디지털, 방사선 하드, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 비반전 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96595 REV H-2013 초소형 회로, 디지털, 방사선 하드, 고급 CMOS, 3상태 출력을 갖춘 비반전 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90748 REV B-2012 반전 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘, 디지털, 양극 CMOS, 8진 버퍼 및 라인 드라이버를 갖춘 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89722-1989 실리콘 모놀리식, 8비트 전송 라인 및 백플레인 트랜시버(3상태 출력을 갖춘 개방형 컬렉터), 개선된 쇼트키 TTL 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89742 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 포지티브 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터 플립플롭, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89740 REV B-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 반전 8비트 버스 트랜시버, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버스 트랜시버, 고속 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90523 REV B-2003 3상태 출력, 수정된 저전력 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로회로가 장착된 실리콘 모놀리식, 8비트 버스 트랜시버 및 레지스터
  • DLA SMD-5962-89601 REV F-2011 미세 회로, 디지털, 고급 CMOS, 방사선 강화, 3상태 출력 및 TTL 호환 입력을 갖춘 8진 포지티브 에지 트리거 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96569 REV D-2012 초소형 회로, 디지털, 고급 CMOS, 방사선 강화, 3상태 출력을 갖춘 반전 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-95751 REV C-2009 초소형 회로, 디지털, 고속 CMOS, 방사선 강화, 비반전 8진 버퍼/라인 드라이버(삼중 출력 포함), TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90741 REV C-2013 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘, 디지털, 양극 CMOS, 8진수 버퍼 및 라인 드라이버/MOS 드라이버를 갖춘 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89601 REV E-2005 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 포지티브 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터 플립플롭, 개선된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89766 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 삼상 입력을 갖춘 순방향 8비트 버퍼/라인 드라이버, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89767 REV A-2005 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 입력을 갖춘 반전 8비트 버퍼/라인 드라이버, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89847 REV C-2002 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버퍼/라인 드라이버, 수정된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버퍼 및 라인 드라이버, 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
  • DLA SMD-5962-93250 REV A-2005 3상태 출력 및 25ohm 풀다운 저항기를 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 버퍼/드라이버, 수정된 쇼트키 TTL 양극 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95642 REV D-2010 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 버스 홀드오버 기능이 있는 3.3V 옥탈 버스 트랜시버, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90523 REV C-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, 8진 버스 트랜시버 및 반전 3상태 출력을 갖춘 레지스터, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90939 REV D-2013 반전 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘, 디지털, 양극 CMOS, 8진 버퍼 및 라인 드라이버/MOS 드라이버를 갖춘 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 순방향 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버스 트랜시버, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
  • DLA SMD-5962-89769 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 데이터 활성화 8비트 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로 장착
  • DLA SMD-5962-92184 REV B-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 반전된 3상태 출력을 갖춘 8비트 버퍼/라인 드라이버, 수정된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92185 REV A-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 포지티브 3상태 출력을 갖춘 8비트 버퍼/라인 드라이버, 수정된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92186 REV B-2007 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 포지티브 3상태 출력을 갖춘 8비트 버퍼/라인 드라이버, 수정된 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버스 트랜시버 및 레지스터, 개선된 양극 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 반전된 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버퍼/드라이버, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로 회로가 장착된 실리콘 모놀리식
  • DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 투명 D형 래치, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
  • DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 투명 D형 래치, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식
  • DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 이중 활성화 및 3상태 출력을 갖춘 8비트 래치형 트랜시버, 향상된 양극 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94697 REV D-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 25Ω 시리즈 저항기 및 반전 3상태 출력을 갖춘 8진 버퍼/라인 드라이버, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96748 REV E-2009 초소형 회로, 디지털, 고급 양극 CMOS, 버스 홀딩 기능이 있는 3.3V 옥탈 버스 트랜시버 및 레지스터, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-91753 REV A-2004 활성 로우 허용 3상태 비반전 출력, 수정된 쇼트키 트랜지스터 트랜지스터 논리 회로, 양극 디지털 마이크로 회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8진 버퍼
  • DLA SMD-5962-92244 REV C-1996 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력 및 출력 제한 전압 스윙, 3상태 출력을 갖춘 8비트 듀얼 포트 트랜시버, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 실리콘 모놀리식, 3상태 출력, TTL 호환 입력, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 8비트 버스 트랜시버용 스캔 테스트 설정
  • DLA SMD-5962-93026-1995 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력 및 출력 제한 전압 스윙, 직렬 릴레이 및 3상태 출력을 갖춘 8비트 에지 트리거 쌍안정 멀티바이브레이터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92242 REV A-1996 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력 및 출력 제한 전압 스윙, 순방향 3상태 출력을 갖춘 8비트 버스 트랜시버, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92243-1993 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력 및 출력 제한 전압 스윙, 3상태 출력을 갖춘 8비트 반전 듀얼 포트 트랜시버, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92246 REV B-1996 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력 및 출력 제한 전압 스윙, 3상태 출력을 갖춘 8비트 트랜시버/레지스터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93148 REV A-1995 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력, 클록 활성화 기능이 있는 8비트 에지 트리거 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 수정된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94586 REV A-2007 3상태 출력, TTL 호환 입력 8비트 버스 트랜시버 및 레지스터 스캔 테스트 설정, 개선된 산화물 반도체 양극 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 칩
  • DLA SMD-5962-92204 REV A-1996 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력 및 출력 제한 전압 스윙, 3상태 출력을 갖춘 포지티브 8비트 등록 트랜시버, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92237 REV C-2006 실리콘 모놀리식, TTL 호환 입력 및 출력 제한 전압 스윙, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버퍼/라인 드라이버, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로

Professional Standard - Environmental Protection, 8개의 유효한 상태

  • HJ 804-2016 디에틸렌 트리아민 펜타아세트산 침출-유도 결합 플라즈마 광학 방출 분광법을 통한 토양 내 8가지 이용 가능한 원소 측정

International Telecommunication Union (ITU), 8개의 유효한 상태

  • ITU-T V.1 FRENCH-1988 이진 표현에 대한 기호의 동등성과 이진 코드에 대한 유효성 조건
  • ITU-T V.1 SPANISH-1988 이진 표현에 대한 기호의 동등성과 이진 코드에 대한 유효성 조건
  • ITU-T G.774.2 FRENCH-2001 SDH(Synchronous Digital Hierarchy) 네트워크 요소 측면에서 페이로드 구조 구성 연구 그룹 15
  • ITU-T V.1-1988 이진 표현의 상징과 이진 코드의 두 유효한 상태 사이의 동등성 - 전화 네트워크를 통한 데이터 교환 연구 그룹 IX. 페이지 2

German Institute for Standardization, 8개의 유효한 상태

  • DIN 1164-10:2023-02 특수 시멘트 파트 10: 낮은 유효 알칼리 함량 시멘트 조성 및 요구사항
  • DIN CEN/TS 15750:2008 비료 두 가지 다른 방법을 통해 질산염 질소, 암모니아 질소 및 요소 질소를 포함하는 비료의 총 질소 함량 측정
  • DIN EN 50317/A2 Berichtigung 1:2008 철도 운송 전류 수집 시스템 측정 전도도 측정기와 머리 위 접촉 와이어 사이의 동적 상호 작용의 효율성에 대한 요구 사항
  • DIN EN 50317/A1:2005 철도 운송 전류 수집 시스템 전주와 머리 위 접촉 선 사이의 동적 상호 작용 측정에 대한 유효성 및 요구 사항
  • DIN EN 15433-3:2008-02 동적 기계 부하의 운송 부하 측정 및 평가 3부: 데이터 유효성 확인 및 평가 데이터 편집
  • DIN 11746:1999 농업 기계 탑재하중, 수직 정적 하중, 축방향 하중 결정 견고한 견인바 트레일러 및 견인바 트레일러

GB-REG, 8개의 유효한 상태

  • REG NASA-LLIS-3637-2011 임시 페이로드 통합 하드웨어에 대한 다양한 설치 사양에서 배운 교훈

European Committee for Standardization (CEN), 8개의 유효한 상태

  • PD CEN/TS 15750:2008 비료 두 가지 다른 방법을 통해 질산염 질소, 암모니아 질소 및 요소 질소를 포함하는 비료의 총 질소 함량 측정
  • EN 17927:2023 IoT 플랫폼에 대한 보안 평가 기준(SESIP) 연결된 제품을 평가하고 재사용하기 위해 사이버 보안을 적용하는 효과적인 방법

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, 8개의 유효한 상태

  • DB52/T 1465-2019 농산물 생산지역의 토양에서 중금속 카드뮴의 유효상태를 추출하기 위한 확산구배막(DGT) 공법

Tianjin Provincial Standard of the People's Republic of China, 8개의 유효한 상태

  • DB12/T 1269-2023 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 토양 내 이용 가능한 철, 망간, 구리 및 아연 측정
  • DB12/T 1268-2023 경사 확산 필름 추출-유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 사용하여 야채 생산 지역의 토양에서 이용 가능한 카드뮴 측정

Anhui Provincial Standard of the People's Republic of China, 8개의 유효한 상태

  • DB34/T 2824-2017 고성능 액체 크로마토그래피-유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 사용한 한약재의 4가지 비소 종 측정

Professional Standard - Public Safety Standards, 8개의 유효한 상태

  • GA/T 1612-2019 법의학 생물학 재료에서 디메토에이트를 포함한 8종의 유기인 살충제를 테스트하기 위한 가스 크로마토그래피 및 가스 크로마토그래피-질량 분석법

Shandong Provincial Standard of the People's Republic of China, 8개의 유효한 상태

  • DB37/T 4478.3-2021 특징적인 곡물 및 유지 작물의 넓은 간작을 위한 환경 효율적인 재식 모델 제3부: 고품질 기장 및 땅콩 간작
  • DB37/T 4478.4-2021 특징적인 곡물과 유지 작물의 넓은 간작을 위한 생태학적 효율적인 재식 모델 제4부: 특수 붉은 수수와 땅콩 간작
  • DB37/T 4478.5-2021 특징적인 곡물과 유지 작물의 넓은 간작을 위한 환경 효율적인 재식 모델 5부: 기름을 위한 해바라기와 땅콩 간작
  • DB37/T 4478.2-2021 특수 곡물 및 유지 작물의 넓은 간작을 위한 생태학적으로 효율적인 재식 모델 2부: 신선한 옥수수와 완두콩의 넓은 간작
  • DB37/T 4478.1-2021 특징적인 곡물과 유지 작물의 넓은 간작을 위한 환경 효율적 재식 모델 1부: 신선한 옥수수와 땅콩의 넓은 간작

Professional Standard - Supply and Marketing Cooperative, 8개의 유효한 상태

  • GH/T 1429-2023 고성능 액체 크로마토그래피-유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 농산물 내 셀레늄의 5가지 형태 측정

Professional Standard - Commodity Inspection, 8개의 유효한 상태

  • SN/T 3933-2014 고성능 액체 크로마토그래피-유도결합 플라즈마 질량분석법을 이용한 수출 식품 내 6종 비소 측정 방법

IX-EU/EC, 8개의 유효한 상태

  • 75/716/EEC-1975 특정 액체 연료의 황 함량에 관한 회원국 법률의 조화에 관한 유럽연합 집행위원회 지침
  • NO 278/2009-2009 무부하 조건 및 외부 전원 공급 장치의 평균 유효 효율에서 전기 소비에 대한 에코디자인 요구 사항에 대한 유럽 의회 및 이사회의 지침 2005/32/EC를 구현하는 위원회 규정(텍스트는

British Standards Institution (BSI), 8개의 유효한 상태

  • BS EN 50317:2002+A2:2007 철도 운송 전류 수집 시스템 극과 가공 통신선 사이의 동적 접촉 측정에 대한 유효성 요구 사항
  • BS EN 50318:2002 철도 운송, 현재 수집 시스템, 팬터그래프와 머리 위 접촉 선 사이의 동적 상호 작용 간의 시뮬레이션 유효성.
  • 23/30462550 DC BS EN 17927 사물 인터넷 플랫폼에 대한 보안 평가 표준(SESIP) 연결된 제품을 평가하고 재사용하기 위해 사이버 보안을 적용하는 효과적인 방법

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), 8개의 유효한 상태

  • EN 50318:2002 철도 운송, 현재 수집 시스템, 팬터그래프와 머리 위 접촉 선 사이의 동적 상호 작용 간의 시뮬레이션 유효성.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 8개의 유효한 상태

  • EN 50318:2018 철도 운송, 현재 수집 시스템, 팬터그래프와 머리 위 접촉 선 사이의 동적 상호 작용 간의 시뮬레이션 유효성.

Danish Standards Foundation, 8개의 유효한 상태

  • DS/EN 15433-3:2008 동적 기계 부하의 운송 부하 측정 및 평가 3부: 데이터 유효성 확인 및 평가 데이터 편집
  • DS/ISO 19703:2010 화재 시 유독가스 발생 및 분석 실험 화재에서 종 수율, 당량비 및 연소 효율 계산

Lithuanian Standards Office , 8개의 유효한 상태

  • LST EN 15433-3-2008 동적 기계 부하의 운송 부하 측정 및 평가 3부: 데이터 유효성 확인 및 평가 데이터 편집

AENOR, 8개의 유효한 상태

  • UNE-EN 15433-3:2008 동적 기계 부하의 운송 부하 측정 및 평가 3부: 데이터 유효성 확인 및 평가 데이터 편집

US-CFR-file, 8개의 유효한 상태

  • CFR 5-831.1722-2014 임원 파트 831: 퇴직 하위 파트 Q: 단계적 퇴직 섹션 831.1722: 단계적 퇴직 상태를 정상 고용 상태로 되돌리기 위한 유효 종료일.
  • CFR 5-848.302-2014 임원 파트 848: 단계적 퇴직 서브파트 C: 일반 고용 상태로 복귀 섹션 848.302: 단계적 퇴직 상태에서 정상 고용 상태로 복귀하기 위한 발효일.

SE-SIS, 8개의 유효한 상태

  • SIS SEN 85 02 00-1973 데이터 처리 정보 교환을 위한 문자 집합 및 인코딩과 다양한 데이터 저장 매체에서의 구현, 국제 권장 사항의 유효성을 갖춘 스웨덴 표준

NL-NEN, 8개의 유효한 상태

  • NEN 6480-1982 물. 황산철(II) 암모늄과 황산디페닐렌디아민을 지시약으로 사용하여 적정법을 사용하여 유리 염소 및 총 유효 염소 측정

National Aeronautics and Space Administration (NASA), 8개의 유효한 상태

  • NASA NACA-RM-L56D05-1956 마하수가 1.41, 1.61 및 2.01일 때 다양한 수직 꼬리를 갖춘 45° 후퇴익 전투기 모델의 정적 측면 안정성 및 제어 특성




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