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DE반도체 고주파 특성
모두 483항목의 반도체 고주파 특성와 관련된 표준이 있다.
국제 분류에서 반도체 고주파 특성와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 반도체 개별 장치, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 열역학 및 온도 측정, 도체 재료, 정류기, 변환기, 조정된 전원 공급 장치, 전자기 호환성(EMC), 전선 및 케이블, 광전자공학, 레이저 장비, 비철금속 제품, 기계, 설비 및 장비의 특성 및 설계, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 전기 및 전자 테스트, 플라스틱, 소방, 기계 안전, 인간 공학, 금속 재료 테스트, 광섬유 통신, 무선 통신, 세라믹, 환경 테스트, 판막, 전자 장비용 기계 부품, 통합 서비스 디지털 네트워크(ISDN), 통신 장비용 부품 및 액세서리, 주파수 제어 및 선택을 위한 압전 및 유전체 장치, 회사(기업)의 조직 및 관리, 종합 전자 부품, 항공우주 전기 장비 및 시스템, 항공우주 제조용 재료, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 전기 장치, 윤활 시스템, 배터리 및 축전지.
Professional Standard - Electron, 반도체 고주파 특성
Defense Logistics Agency, 반도체 고주파 특성
- DLA MIL-PRF-19500/27 E NOTICE 2-1999 2N384형 고주파 게르마늄 PNP 트랜지스터 반도체 장치
- DLA MIL-S-19500/9 B VALID NOTICE 3-2011 반도체 장치, 트랜지스터, PNP, 게르마늄, 고주파수, 25mW, 유형 JAN-2N128
- DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 2-2008 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고주파 유형 2N6603 및 2N6604 JAN, JANTX 및 JANTXV
- DLA MIL-PRF-19500/522 A VALID NOTICE 3-2013 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고주파 유형 2N6603 및 2N6604 JAN, JANTX 및 JANTXV
- DLA MIL-S-19500/341 B VALID NOTICE 3-2011 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고주파, 전력 유형 2N3375, 2N3553 및 2N4440 JAN, JANTX 및 JANTXV
- DLA MIL-S-19500/341B-1968 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고주파, 전력 유형 2N3375, 2N3553 및 2N4440 JAN, JANTX 및 JANTXV
- DLA QPL-28830-QPD-2011 케이블, 무선 주파수, 동축, 반경질, 주름진 외부 도체, 일반 사양
- DLA QPL-28830-2013 케이블, 무선 주파수, 동축, 반경질, 주름진 외부 도체, 일반 사양
- DLA MIL-PRF-19500/398 J-2010 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고주파, 유형 2N3866, 2N3866A, 2N3866UB, 2N3866AUB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
- DLA MIL-DTL-28830 D-2005 주름진 외부 도체가 있는 반경질 동축 무선 주파수 케이블에 대한 일반 조항
- DLA QPL-28830-13 NOTICE 1-2008 주름진 외부 도체가 있는 반경질 동축 무선 주파수 케이블에 대한 일반 사양
- DLA QPL-28830-13-2007 주름진 외부 도체가 있는 반경질 무선 RF 동축 케이블의 일반 사양
- DLA SMD-5962-85133-1986 실리콘 모놀리식 80비트 확장 디지털 프로세서, 고성능 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA DSCC-DWG-89100 REV B-2002 고정 필름 시트 플랜지 마운트 단일 채널 TAB 고출력 10W 반도체 장치
- DLA SMD-5962-87668 REV C-1991 실리콘 모놀리식 보완형 고성능 금속 산화물 반도체 구조, 32비트 마이크로프로세서 디지털 마이크로회로
- DLA MIL-PRF-19500/453 F-2011 반도체 장치, 트랜지스터, NPN, 실리콘, 고주파 유형 2N5109 및 2N5109UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKC JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG 및 JANSH
- DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 실리콘 모놀리식, 고성능 마이크로컨트롤러, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 실리콘 모놀리식, 비디오 멀티플렉서/스피커, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-84070 REV D-2005 실리콘 모놀리식 듀얼 2비트 투명 래치, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-84100 REV E-2005 실리콘 모놀리식 듀얼 4비트 바이너리 카운터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-86824 REV A-1987 실리콘 모놀리식 4비트 카운터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-90997-1991 실리콘 모놀리식 보완형 고성능 금속 산화물 반도체 구조, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 실리콘 모놀리식, 8비트 비디오 DC/AC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-84091 REV F-2002 실리콘 모놀리식 6비트 반전 슈미트 트리거 회로, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 실리콘 모놀리식 고성능 상보성 금속 산화물 반도체 버스 버퍼, 마이크로회로
- DLA SMD-5962-04210-2004 고급 산화물 반도체용 실리콘 모놀리식 3상태 출력 16비트 버퍼/드라이버 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 실리콘 모놀리식 4비트 크기 비교기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 실리콘 모놀리식 8비트 시프트 레지스터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 실리콘 모놀리식 8비트 시프트 레지스터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 실리콘 모놀리식 8비트 크기 비교기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 실리콘 모놀리식 8비트 크기 비교기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 실리콘 모놀리식 8비트 크기 비교기, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-86077 REV C-2005 실리콘 모놀리식 9비트 패리티 생성기 또는 효과기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 실리콘 모놀리식, 12비트 고속 AC/DC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 실리콘 모놀리식 4양 스위치 고속 상보형 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-89508-1989 실리콘 모놀리식 1/4 디코더 고속 상보형 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-94556 REV B-2004 실리콘 모놀리식, 산화물 반도체 RF/비디오 신호 증배기/신호 분배기, 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-04211-2004 Advanced Oxide Semiconductor의 실리콘 모놀리식 3상태 출력 16비트 버스 트랜시버 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-85519 REV C-2005 실리콘 모놀리식 8비트 주소 지정 가능 래치, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-86854-1987 실리콘 모놀리식 4비트 바이너리 카운터 고속 상보성 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-89845 REV C-2002 실리콘 모놀리식, 듀얼 2입력 NAND 게이트 슈미트 트리거, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-81006 REV J-2005 실리콘 모놀리식 드라이버 장착 고급 아날로그 스위치, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-87713 REV A-1991 실리콘 모놀리식 시리즈 컨트롤러 다중 프로토콜 고성능 금속 산화물 반도체, 디지털 미세 회로
- DLA SMD-5962-89971-1992 실리콘 모놀리식, 원격 범용 주변 장치 인터페이스, 고성능 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-86076 REV D-2002 실리콘 모놀리식 4비트 동기식 바이너리 카운터, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 실리콘 모놀리식 8비트 허용 크기 비교기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA DSCC-DWG-07021-2007 50Ω, 일반적으로 1.625인치 직경의 저유전 손실, 반강성 주름 외부 도체 동축 무선 주파수 케이블로 알려져 있음
- DLA SMD-5962-90512-1992 실리콘 모놀리식, 8비트 마이크로컴퓨터, 고성능 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 실리콘 모놀리식 고성능 패리티 버스 트랜시버 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-84162 REV D-2002 실리콘 모놀리식 8비트 시리즈 입력 병렬 출력 시프트 레지스터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-87624 REV C-2007 실리콘 모놀리식 슈미트 트리거, 16진수 변환기, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-86826 REV C-2005 실리콘 모놀리식 4비트 양방향 범용 시프트 레지스터 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-84075 REV E-2002 실리콘 모놀리식 칩에는 동기식 리셋 기능이 있는 4비트 동기식 바이너리 카운터와 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로가 장착되어 있습니다.
- DLA SMD-5962-84095 REV C-2002 실리콘 모놀리식, 8비트 병렬 입력 및 직렬 출력 시프트 레지스터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-91606 REV A-2006 3상태 출력, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 10비트 D 버퍼
- DLA SMD-5962-06234-2007 실리콘 모놀리식 3상태 출력 슈미트 16비트 양방향 다목적 기록 트랜시버, 고급 산화물 반도체 방사선 방지 디지털 마이크로 회로 다목적
- DLA SMD-5962-93254 REV C-2006 실리콘 모놀리식, 고정 출력 10W 부스트 스위칭 조정기, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-91576 REV C-2006 8비트 삭제 가능 및 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 보완 고성능 금속 산화물 반도체 구조 마이크로컨트롤러
- DLA SMD-5962-91533 REV A-1994 실리콘 모놀리식 고성능 이중 스위치 커패시터 필터, 상보성 금속 산화물 반도체, 선형 미세 회로
- DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 8진 슈미트 트리거 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-91697 REV D-2003 32K 비트의 삭제 가능 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리, 보완적인 고성능 금속 산화물 반도체 구조 단일 칩, 디지털 마이크로회로를 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 마이크로컨트롤러
- DLA SMD-5962-88516 REV D-2002 실리콘 모놀리식 10 초광폭 버스 인터페이스 카운터 고성능 보완 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-88620-1988 실리콘 모놀리식 2 입력 포지티브 게이트 오픈 드레인 출력 고속 상보성 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-95719 REV C-2004 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체 육각형 반전 슈미트 트리거 회로 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-90976-1992 랜덤 액세스 메모리 칩 데이터를 갖춘 실리콘 모놀리식 8비트 마이크로컨트롤러, 보완적인 고성능 금속 산화물 반도체 구조 모놀리식 칩, 마이크로회로
- DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 실리콘 모놀리식 3상태 출력 8비트 시프트 레지스터/스토리지 레코더, 고급 산화물 반도체 방사선 내성 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-90720 REV A-1992 3상태 출력 8비트 인터페이스 D형 래치 회로, 고급 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로를 갖춘 실리콘 모놀리스
- DLA SMD-5962-95681 REV B-2000 고속 방사선 하드 보완 금속 산화물 반도체 16진수 반전 슈미트 트리거 회로 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-95726 REV B-2000 비슈미트 트리거 실리콘 모놀리식 선형 마이크로회로를 갖춘 고속 방사선 하드 상보형 금속 산화물 반도체 4중 2입력
- DLA SMD-5962-95739 REV B-2000 슈미트 트리거가 아닌 고속 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체 4중 2입력, 트랜지스터 호환 입력 실리콘 모놀리식 회로 라인 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 드라이버, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 드라이버, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 출력을 갖춘 16비트 버스 수신기, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-06243 REV A-2007 실리콘 모놀리식 3상태 출력 TTL 호환 입력 및 출력, 16비트 버퍼/라인 드라이버, 내방사선 고급 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-06244 REV A-2007 실리콘 모놀리식 3상태 출력 TTL 호환 입력 및 출력, 16비트 양방향 트랜시버, 내방사선 고급 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-87603 REV B-1992 실리콘 모놀리식 고성능 상보형 금속 산화물 반도체 9폭 및 10폭 버스 연결 장비 래치 라인, 마이크로 회로
- DLA MIL STD 750 5 F-2012 반도체 장치에 대한 표준 테스트 방법 고신뢰성 공간 애플리케이션 테스트 방법 파트 5: 테스트 방법 5000 ~ 5999
YU-JUS, 반도체 고주파 특성
RU-GOST R, 반도체 고주파 특성
British Standards Institution (BSI), 반도체 고주파 특성
- BS IEC 62951-5:2019 반도체소자 유연 및 신축성 반도체소자 유연재료 열특성 시험방법
- BS EN IEC 61788-7:2020 초전도 전자 특성 마이크로파 주파수에서 고온 초전도체의 표면 저항 측정
- BS IEC 62951-3:2018 반도체 소자 확대에 따른 유연기판의 박막 트랜지스터 특성에 대한 반도체 소자 유연성 및 신축성 평가 원문보기 KCI 원문보기 인용
- BS EN 13604:2013 구리 및 구리 합금 고전도성 구리 반도체 장치, 전자 진공 제품
- BS IEC 60747-18-4:2023 반도체 소자, 반도체 바이오센서, 무렌즈 CMOS 포토닉 어레이 센서의 잡음 특성 평가 방법
- BS EN 61788-7:2002 초전도성 전자 특성 측정 마이크로파 주파수에서 초전도체의 표면 저항
- BS EN 61788-7:2007 초전도 전자 특성 마이크로파 주파수에서 초전도체의 표면 저항 측정
- BS EN 62007-1:2000 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 기본 등급 및 특성
- BS EN 61788-16:2013 초전도성전자 특성 측정마이크로파 주파수에서 초전도체의 동적 표면 저항
- BS EN 61788-15:2011 초전도성 전자 특성 측정 마이크로파 주파수에서 초전도막의 고유 표면 임피던스.
- BS EN 61788-7:2006 초전도성 3부: 전자 특성 측정 마이크로파 주파수에서의 초전도체 표면 저항
- BS IEC 60747-18-3:2019 반도체 장치 반도체 바이오 센서 유체 시스템을 갖춘 무렌즈 CMOS 광 어레이 센서 패키지 모듈의 유체 흐름 특성
- BS EN 1005-5:2007 기계 안전, 인체 특성, 고주파 반복 작업의 위험성 평가
- 17/30347337 DC BS EN 63059 멀티미디어 진동 오디오 시스템에서 귓바퀴 전도를 이용한 오디오 액추에이터의 오디오 특성을 측정하는 방법
- 21/30432234 DC BS IEC 60747-18-4 반도체 장치 Part 18-4 반도체 바이오센서 렌즈리스 CMOS 광배열 센서 잡음 특성 평가 방법
- BS IEC 60747-18-5:2023 반도체 소자, 반도체 바이오센서, 광입사각을 통한 무렌즈 CMOS 포토닉 어레이 센서 패키지 모듈의 광응답 특성 평가 방법
- BS EN 62007-1:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿
- BS EN 62007-1:2015 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿
- BS IEC 62047-30:2017 반도체 장치 미세 전자기계 장치 MEMS 압전 필름 전기 기계 변환 특성 측정 방법
- BS ISO 19635:2016 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 반도체 광촉매 소재의 조류 억제 활성 시험방법
- 18/30361905 DC BS EN 60747-18-3 반도체 장치 파트 18-3 반도체 바이오센서 유체 시스템을 갖춘 무렌즈 CMOS 광 어레이 센서 패키지 모듈의 유체 흐름 특성
- BS IEC 62047-35:2019 반도체소자, 미세전자기계소자, 굴곡변형을 받는 유연전기기계소자의 전기적 특성 시험방법
- 18/30370111 DC BS EN 61788-7 초전도성 파트 7: 전자 특성 마이크로파 주파수에서 초전도체의 표면 저항 측정
- BS IEC 62047-42:2022 반도체소자 미세전자기계소자 압전 MEMS 캔틸레버빔 전기기계 변환특성 측정방법
- BS EN IEC 61169-64:2019 고주파 커넥터 단면 사양 외부 도체 내경 0.8mm의 고주파 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(0.8형)
- BS EN IEC 61169-71:2022 외부 도체 내경 5mm, 특성 임피던스 50ohm의 무선 주파수 동축 커넥터 단면적 사양 NEX10?
- BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 광섬유 시스템 응용 분야용 반도체 광전자 장치의 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿
- 19/30382640 DC BS IEC 61169-65 무선 주파수 커넥터 65부: 외부 도체 내경 1.35mm, 나사 결합, 50ohm 특성 임피던스 및 90GHz의 최대 작동 주파수를 갖춘 무선 주파수 동축 커넥터 사양
- BS QC 221200:1997 고주파 커넥터로 외부 도체의 내경은 6.5mm(0.256in)이고 베이요넷락의 특성 임피던스는 50Ω입니다.(BNC형)
- BS EN IEC 61169-65:2021 나사형 커플링 외부 도체 내경이 1.35mm이고 무선 주파수 커넥터의 특성 임피던스가 50Ω인 무선 주파수 동축 커넥터 사양
- BS ISO 18061:2014 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 반도체 광촉매 소재의 항바이러스 활성 측정 박테리오파지 Q-β를 이용한 시험방법
- BS ISO 22197-4:2013 파인 세라믹스(어드밴스드 세라믹스, 어드밴스드 크래프트 세라믹스) 반도체 광촉매 소재의 공기 정화 성능 시험 방법 포름알데히드 제거
- BS ISO 22197-2:2011 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 반도체 광촉매 소재의 공기정화 성능 시험방법 아세트알데히드 제거
- BS QC 222100:1997 RF 커넥터 외부 도체의 내경은 7mm(0.276in)이고 나사 연결의 특성 임피던스는 50Ω, 75Ω RF 동축 커넥터(N형)
- BS IEC 60747-8:2001 개별 반도체 장치 및 집적 회로 전계 효과 트랜지스터 전력 변환 전계 효과 트랜지스터 측정 방법의 추가 전력, 특성 및 기술.
- 21/30432238 DC BS EN IEC 60747-18-5 반도체 장치 파트 18-5 반도체 바이오 센서 광 입사각에 따른 무렌즈 CMOS 광배열 센서 패키지 모듈의 광응답 특성을 평가하는 방법
- BS ISO 22197-5:2013 파인 세라믹스(어드밴스드 세라믹스, 어드밴스드 크래프트 세라믹스) 반도체 광촉매 소재의 공기 정화 성능 시험 방법 메틸메르캅탄 제거
- BS ISO 27448:2009 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 반도체 광촉매 소재의 자가세정성 시험방법 물접촉각 측정
- BS ISO 17094:2014 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 실내 조명 환경에서 반도체 광촉매 소재의 항균활성 시험방법
- 19/30382644 DC BS IEC 61169-66 무선 주파수 커넥터 파트 66: 외부 도체 내경이 5mm이고 나사 및 스냅 커플링이 있고 특성 임피던스가 50ohm이고 최대 작동 주파수가 6GHz인 무선 주파수 동축 커넥터, 하위 사양 2, 2-5형
- BS EN 61169-14:2011 외부 도체 내부 직경이 12mm인 나사 연결 샤프트가 있는 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 75Ω(유형 3,5/12)
- BS EN 61169-14:2010 무선 주파수 커넥터 외부 도체 내부 직경이 12mm이고 나사 연결 샤프트가 있는 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 75Ω(유형 3,5/12)
- BS EN IEC 61169-4:2022 RF 커넥터 RF 동축 커넥터 외부 도체 내경 16mm(0.63인치), 나사 잠금 특성 임피던스 50Ω(유형 7-16)
- BS ISO 10676:2011 파인 세라믹스(첨단 세라믹, 첨단 산업용 세라믹) 활성 산소종 형성 능력에 따른 반도체 광촉매 소재의 수질 정화 성능을 측정하는 시험 방법
- BS ISO 22197-1:2008 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 반도체 광촉매 소재의 공기정화 성능 시험방법 산화질소 제거
- BS ISO 19722:2017 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 용존산소소모법을 이용한 반도체 광촉매 소재의 광촉매 활성 측정 시험방법
- BS QC 222000:1996 RF 커넥터 RF 동축 커넥터(외부 도체 내경 6.5mm(0.256인치)) 나사 커플링 특성 임피던스 50Ω(TNC 유형)
- BS QC 221400:1997 RF 커넥터 RF 동축 커넥터, 외부 도체 내경 3mm(0.12인치), 나사 결합 특성 임피던스 50Ω(SMC 유형)
- BS QC 221300:1997 RF 커넥터 RF 동축 커넥터 외부 도체 내경 3mm(0.12인치) 스냅온 커플링 특성 임피던스 50Ω(SMB 유형)
- BS QC 221100:1997 RF 커넥터 RF 동축 커넥터, 외부 도체 내경 4.13mm(0.163인치), 나사 결합 특성 임피던스 50옴(SMA 유형)
- BS 3041-7:1996 RF 커넥터 RF 동축 커넥터는 총검 잠금 장치가 있는 9.5mm(0.374인치)의 출력 컨덕터 내경과 50Ω의 특성 임피던스(유형 C)를 갖습니다.
- BS EN 61169-32:2000 RF 커넥터 RF 동축 커넥터(외부 도체 내경 1.85mm, 나사 커플링 특성 임피던스 50Ω(유형 1.85))
- BS EN 61169-31:2000 RF 커넥터 RF 동축 커넥터, 외부 도체 내경 1.0mm(0.039인치), 나사 결합 특성 임피던스 50옴(유형 1,0)
Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 고주파 특성
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체 고주파 특성
National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, 반도체 고주파 특성
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 반도체 고주파 특성
工业和信息化部, 반도체 고주파 특성
International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체 고주파 특성
- IEC 62951-5:2019 반도체 장치 유연하고 신축성이 있는 반도체 장치 5부: 유연한 재료의 열적 특성 테스트 방법
- IEC 61788-7:2020 RLV 초전도성 7부: 마이크로파 주파수에서 고온 초전도체 표면 저항의 전자 특성 측정
- IEC 61788-7:2020 초전도성 7부: 전자 특성 측정 마이크로파 주파수에서 고온 초전도체의 표면 저항
- IEC 62951-3:2018 반도체 소자 - 플렉서블 및 신축성 반도체 소자 - 3부: 돌출된 유연한 기판의 박막 트랜지스터 특성 평가
- CISPR 11-2015+AMD1-2016+AMD2-2019 CSV SPC(반도체 전력 변환기) 요구 사항/1~18GHz 주파수 범위에서 측정 반복성 개선
- CISPR 11:2015+AMD1:2016+AMD2:2019 CSV SPC(반도체 전력 변환기) 요구 사항/1~18GHz 주파수 범위에서 측정 반복성 개선
- IEC 61788-7:2002 초전도성 7부: 전기적 특성 측정 마이크로파 주파수에서 초전도체의 표면 저항
- IEC 61788-7:2006 초전도성 7부: 전기적 특성 측정 마이크로파 주파수에서 초전도체의 표면 저항
- CISPR 11:2015/AMD2:2019 수정 사항 2. 반도체 전력 변환기(SPC)에 대한 요구 사항/1~18GHz 주파수 범위에서 측정 반복성 개선
- CISPR 11-2015/AMD2-2019 수정 사항 2. 반도체 전력 변환기(SPC)에 대한 요구 사항/1~18GHz 주파수 범위에서 측정 반복성 개선
- IEC 60747-18-4:2023 반도체 장치 18-4부: 반도체 바이오센서 무렌즈 CMOS 광배열 센서의 잡음 특성을 평가하는 방법
- IEC 60747-7-1:1989 반도체 장치 디스크리트 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 1: 저주파 및 고주파 증폭 환경 정격 바이폴라 트랜지스터 공백 상세 사양
- IEC 60747-18-3:2019 반도체 장치 18-3부: 반도체 바이오센서 유체 시스템을 갖춘 무렌즈 CMOS 광 어레이 센서 부품의 유체 흐름 특성
- IEC 62007-1:1999 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성.
- IEC 62007-1:1997 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성
- IEC 60747-7-4:1991 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 4: 고주파 증폭기 인클로저 정격 바이폴라 트랜지스터 공백 상세 사양
- IEC 60147-1:1972 반도체 소자의 기본정격 및 특성, 측정방법의 일반원리 제1부: 기본정격 및 특성
- IEC 62007-1/AMD1:1998 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성 수정 1
- IEC 60747-18-5:2023 반도체 소자 18-5부: 반도체 바이오센서 빛의 입사각에 따른 무렌즈 CMOS 광배열 센서 패키지 모듈의 광응답 특성을 평가하는 방법
- IEC 62047-35:2019 반도체 장치 마이크로 전자 기계 장치 파트 35: 유연한 전기 기계 장치의 굽힘 변형의 전기적 특성에 대한 테스트 방법.
- IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 1부: 기본 정격 및 특성에 대한 사양 템플릿
- IEC 60747-5-2:2009 개별 반도체 장치 및 집적 회로 5-2부: 광전자 부품 기본 등급 및 특성
- IEC 60747-5-2:1997/AMD1:2002 반도체 개별 장치 및 집적 회로 파트 5-2: 광전자 장치 기본 등급 및 특성
- IEC 60747-5-2:1997+AMD1:2002 CSV 이산 반도체 장치 및 집적 회로 5-2부: 광전자 장치 기본 정격 및 특성
- IEC 62047-30:2017 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 - 파트 30: MEMS 압전 필름의 전기 기계 변환 특성 측정 방법
- IEC 60747-5-2:1997 반도체 개별 장치 및 집적 회로 5-2부: 광전자 장치의 기본 정격 및 특성
- IEC 62007-1:2015 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 1부: 기본 정격 및 특성에 대한 사양 템플릿
- IEC 62007-1:2008 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 1부: 기본 정격 및 특성에 대한 사양 템플릿
- IEC 60147-4:1976 반도체 소자의 기본 정격과 특성, 측정 방법의 일반 원리 제4부: 수용도와 신뢰성
- IEC 107/126/PAS:2010 IEC/PAS 62686-1, Ed. 1: 고신뢰성 부품에 대한 일반 요구 사항 파트 1: 집적 회로 및 개별 반도체 부품
- IEC 60169-19/COR1:1995 무선 주파수 커넥터 부품 19: 외부 도체 내부 직경이 2.08mm(0.082in)인 스냅온 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(SSMB 유형)
- IEC 61169-71:2022 무선 주파수 커넥터 파트 71: 외부 도체 내경이 5.0mm이고 지정된 특성 임피던스가 50Ω인 무선 주파수 동축 커넥터(NEX10 유형)
- IEC 62047-42:2022 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 파트 42: 압전 MEMS 캔틸레버 빔의 전기 기계 변환 특성 측정 방법
- IEC 62047-8:2011 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치 8부: 박막의 인장 특성을 측정하기 위한 스트립 굽힘 테스트 방법.
- IEC 61169-32:1999 무선 주파수 커넥터 파트 32: 외부 도체 내부 직경이 1.85mm(0.072인치), 특성 임피던스가 50Ω(유형 1.85)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터
- IEC 61169-31:1999 무선 주파수 커넥터 파트 31: 외부 도체 내부 직경이 1.0mm(0.039인치), 특성 임피던스가 50Ω(유형 1.0)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터
- IEC 60169-9:1978 무선 주파수 커넥터 파트 9: 외부 도체 내부 직경이 3mm(0.12인치), 특성 임피던스가 50Ω(SMC 유형)인 나사형 무선 주파수 동축 커넥터
- IEC 60169-15:1979 무선 주파수 커넥터 파트 15: 외부 도체 내경 4.13mm(0.163인치), 특성 임피던스 50Ω(SMA 유형)이 있는 나사형 무선 주파수 동축 커넥터
- IEC 60169-18:1985 무선 주파수 커넥터 부품 18: 외부 도체 내경 2.79mm(0.110인치) 특성 임피던스 50Ω(SSMA 유형)이 있는 나사형 무선 주파수 동축 커넥터
- IEC 60169-19:1985 무선 주파수 커넥터 부품 19: 외부 도체 내부 직경이 2.08mm(0.082인치), 특성 임피던스가 50Ω인 스냅온 무선 주파수 동축 커넥터(SSMB 유형)
- IEC 60169-20:1985 무선 주파수 커넥터 파트 20: 외부 도체 내경 2.08mm(0.082인치) 특성 임피던스 50Ω(SSMC 유형)이 있는 나사형 무선 주파수 동축 커넥터
- IEC 60169-7:1975 무선 주파수 커넥터 7부: 외부 도체 내부 직경이 9.5mm(0.374인치), 특성 임피던스가 50Ω(유형 C)인 총검 잠금형 무선 주파수 동축 커넥터
- IEC 60169-8:1978 무선 주파수 커넥터 파트 8: 외부 도체 내경이 6.5mm(0.256인치)이고 특성 임피던스가 50Ω(BNC 유형)인 총검 잠금형 무선 주파수 동축 커넥터
- IEC 60169-17:1980 무선 주파수 커넥터 부품 17: 외부 도체 내경 6.5mm(0.256인치) 특성 임피던스 50Ω(TNC 유형)이 있는 나사식 무선 주파수 동축 커넥터
- IEC 60169-13:1976 무선 주파수 커넥터 13부: 외부 도체 내경이 5.6mm(0.22인치)이고 특성 임피던스가 75Ω(유형 1.6/5.6)인 무선 주파수 동축 커넥터 동일한 결합 치수 특성 임피던스 50Ω(유형 1.8/5.6)
- IEC 61169-4:2008 무선 주파수 커넥터 4부: 외부 도체 내경이 16mm(0.63인치)인 나사형 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(유형 7-16)
- IEC 60169-4:1975 무선 주파수 커넥터 4부: 외부 도체 내경 16mm(0.63인치) 특성 임피던스 50Ω(유형 7-16)을 갖춘 나사식 무선 주파수 동축 커넥터
- IEC 60169-11:1977 무선 주파수 커넥터 파트 11: 외부 도체 내부 직경이 9.5mm(0.374인치) 특성 임피던스 50Ω(유형 4.1/9.5)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터
- IEC 60169-14:1977 무선 주파수 커넥터 파트 14: 외부 도체 내경 12mm(0.472인치) 특성 임피던스 75Ω(유형 3.5/12)을 갖춘 나사형 무선 주파수 동축 커넥터
- IEC 60169-16:1982 무선 주파수 커넥터 부품 16: 외부 도체 내부 직경이 7mm(0.276인치), 특성 임피던스가 50Ω(75Ω)인 나사형 무선 주파수 동축 커넥터(유형 N)
- IEC 60147-0:1966 반도체 소자의 기본정격과 특성, 측정방법의 일반원리 제0부 : 일반원리와 용어
- IEC 61169-51:2015 무선 주파수 커넥터 부품 51: 외부 도체의 내경은 13.5mm입니다. 총검 잠금 장치가 있는 무선 주파수 동축 커넥터는 50Ω의 지정된 특성 임피던스를 갖습니다(QLI 유형).
- IEC 60169-10:1983 무선 주파수 커넥터 부품 10: 외부 도체 내부 직경이 3mm(0.12인치), 특성 임피던스가 50Ω인 스냅온 무선 주파수 동축 케이블 커넥터(SMB 유형)
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 반도체 고주파 특성
ES-UNE, 반도체 고주파 특성
German Institute for Standardization, 반도체 고주파 특성
- DIN 4000-18:1988-12 반도체 다이오드 제품 특성 표 레이아웃
- DIN 4000-18:1988 파트 18: 반도체 다이오드의 제품 특성표 설계
- DIN 4000-20:1988 파트 20: 광전자 반도체 부품의 물품 특성표 설계
- DIN EN 62779-2:2017 반도체 장치 인체 통신용 반도체 인터페이스 2부: 인터페이스 연결 성능 특성화(IEC 62779-2-2016), 독일어 버전 EN 62779-2-2016
- DIN EN 63059:2017-05 멀티미디어 진동 오디오 시스템에서 귓바퀴 전도를 통한 오디오 액츄에이터의 오디오 특성을 측정하는 방법
- DIN EN 13604:2013 구리 및 구리 합금 고전도성 구리 반도체 장치, 전자 및 진공 제품 독일어 버전 EN 13604-2013
- DIN EN IEC 61788-7:2021 초전도성 7부: 전자 특성 측정 마이크로파 주파수에서 고온 초전도체의 표면 저항(IEC 61788-7-2020), 독일 버전 EN IEC 61788-7-2020
- DIN 41772:1979 정적 전력 변환기반도체 정류기 장비특성 곡선 모양 및 문자 기호
- DIN 41772:1979-02 정전력 변환기, 반도체 정류 장비, 특성 곡선 형상 및 문자 기호
- DIN 41772 Beiblatt 1:1979-02 정적 전력 변환기, 반도체 정류기 장치, 배터리 충전기 특성 곡선의 예
- DIN 41772 Bb.1:1979 정적 전력 변환기, 반도체 정류 장비, 배터리 충전기 특성 곡선의 예
- DIN EN 1005-5:2007 기계 안전, 인체 특성, 5부: 고주파수 반복 취급 위험 평가
- DIN EN 61788-7:2007 초전도성 7부: 전자 특성 측정 마이크로파 주파수에서 초전도체의 표면 저항(IEC 61788-7-2002)
- DIN 41776:1983-01 정적 전력 변환기, 배터리 충전을 위한 I 특성을 갖는 반도체 정류 장치, 요구 사항
- DIN 41776:1983 정적 전력 변환기 배터리 충전을 위한 I 특성 곡선이 있는 반도체 정류기 요구 사항
- DIN EN 60749-33:2004-09 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 33: 가속된 내습성 편견 없는 오토클레이브
- DIN 41772 Beiblatt 2:1979-02 정적 전력 변환기, 반도체 정류기 장치, 배터리와 병렬 작동을 위한 장치 특성 곡선의 예
- DIN 41774:1987 정적 전력 변환기 납축 배터리 충전을 위한 W 특성을 갖춘 반도체 정류기 장비 요구 사항
- DIN IEC 60169-7:1997 무선 주파수 커넥터 파트 7: 외부 도체 내부 직경이 9.5mm(0.374in)이고 총검 잠금 특성 임피던스가 50Ω인 무선 주파수 동축 커넥터(유형 C).
- DIN EN 61169-31:2000 무선 주파수 커넥터 파트 31: 외부 도체 내경이 1,0mm(0,039인치)인 나사형 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(유형 1,0)
- DIN EN 61169-32:2000 무선 주파수 커넥터 부품 32: 외부 도체 내부 직경이 1,85mm(0,072인치)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(유형 1,85)
- DIN EN 61788-16:2013 초전도성 16부 전기적 특성 측정값 마이크로파 주파수에서 초전도체의 전력 의존 표면 저항 (IEC 61788-16-2013) 독일어 버전 EN 61788-16-2013
- DIN 41773-2:1982 정적 전력 변환기 니켈/카드뮴 배터리 충전을 위한 IU 특성 곡선이 있는 반도체 정류기 장치 요구 사항
- DIN 41772 Bb.2:1979 정적 전력 변환기 반도체 정류기 장치 배터리와 병렬로 작동하는 정류기 장치의 특성 곡선 예
- DIN EN 61169-14:2011-10 RF 커넥터 파트 14: 나사 커플링이 있는 RF 동축 커넥터, 내경 12mm, 외부 도체, 특성 임피던스 75ohm(유형 3,5/12)
Professional Standard - Aerospace, 반도체 고주파 특성
RO-ASRO, 반도체 고주파 특성
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 반도체 고주파 특성
CZ-CSN, 반도체 고주파 특성
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 반도체 고주파 특성
- KS C 6111-3-2007(2022) 전자 특성 측정 - 마이크로파 주파수에서 높은 TC 초전도체 필름의 고유 표면 임피던스
- KS C 6562-1996 반도체 압력 센서 부품 등급 및 특성
- KS C 6520-2021 반도체 공정용 부품 및 재료 플라즈마를 이용한 마모 특성 측정
- KS C 6562-1996(2021) 반도체 압력 센서 소자의 기본 정격 및 특성
- KS C 6111-3-2007 초전도 전자특성 측정, 고온초전도막의 고주파 고유 표면임피던스 측정방법
- KS C 6562-1996(2016) 반도체 압력 센서 요소의 기본 정격 및 특성
- KS C 6520-2019 반도체 공정 부품 및 재료 - 플라즈마에 의한 마모 특성 측정
- KS C 6111-4-2007(2017) 마이크로파 주파수에서 대형 고온 초전도체 필름의 표면 저항 균일성
- KS C IEC 60747-7-1:2006 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 1: 저주파 및 고주파 증폭을 위한 환경 친화적인 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.
- KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 양극성 트랜지스터 섹션 1: 저주파수 및 고주파수 증폭을 위한 환경 등급 양극성 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
- KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 양극성 트랜지스터 섹션 1: 저주파수 및 고주파수 증폭을 위한 환경 등급 양극성 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
- KS C IEC 60747-7-4:2006 반도체 장치 디스크리트 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 4: 고주파 증폭 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.
- KS C IEC 62007-1:2003 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 파트 2: 기본 등급 및 특성.
- KS C 6111-3-2007(2017) 마이크로파 주파수에서 고온 초전도막의 고유 표면 임피던스의 전자 특성 측정
- KS L ISO 27447-2011(2016) 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 반도체 광촉매 소재의 항균활성 시험방법
- KS L ISO 27447-2011(2021) 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) - 반도체 광촉매 소재의 항균활성 시험방법
- KS C IEC 61788-16:2020 초전도성 - 16부: 전자 특성 측정 - 마이크로파 주파수에서 초전도체의 전력 의존적 표면 저항
- KS C IEC 60747-7-4-2006(2021) 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 양극성 트랜지스터 섹션 4: 고주파 증폭용 케이스 정격 양극성 트랜지스터에 대한 빈칸 상세 사양
- KS C IEC 60747-7-4-2006(2016) 반도체 장치 개별 부품 7: 양극성 트랜지스터 섹션 4: 고주파 증폭용 케이스 정격 양극성 트랜지스터에 대한 공백 상세 사양
- KS C IEC 62007-1-2003(2018) 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 - 1부: 기본 정격 및 특성
- KS L ISO 27447:2011 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 반도체 광촉매 소재의 항균활성 시험방법
- KS C IEC 60747-5-2:2020 이산 반도체 장치 및 집적 회로 - 부품 5-2: 광전자 장치 - 기본 수준 및 특성
- KS L ISO 10676-2012(2022) 파인 세라믹스(Advanced Ceramics, Advanced Industrial Ceramics) - 활성산소 형성 능력을 이용한 반도체 광촉매 소재의 수질 정화 성능을 측정하는 시험 방법
- KS C IEC 60747-5-2:2004 반도체 개별 장치 및 집적 회로 파트 5-2: 광전자 장치 기본 등급 및 특성
- KS C IEC 60169-28:2008 무선 주파수 커넥터 부품 28: 외부 도체 내경이 5.60mm(0.220인치)인 스냅온 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 75Ω
- KS C IEC 60169-7-2007(2013) RF 커넥터 부품 7: 외부 도체 내부 직경 9.5mm(0.374in) 스냅 잠금 RF 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(유형 C)
- KS L ISO 27448-2011(2021) 파인 세라믹스(어드밴스드 세라믹, 어드밴스드 산업용 세라믹) - 반도체 광촉매 소재의 자가세정 성능 시험 방법 - 물 접촉각 측정
- KS L ISO 27448-2011(2016) 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 반도체 광촉매 소재의 자정 성능 시험 방법 물 접촉각 측정
- KS C IEC 60169-15:2014 무선 주파수 커넥터 파트 15: 외부 도체 내경 4.13mm(0.163인치), 특성 임피던스 50Ω(SMA 유형)이 있는 나사형 무선 주파수 동축 커넥터
- KS C IEC 60169-4:2007 무선 주파수 커넥터 4부: 외부 도체 내경이 16mm(0.63인치)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(유형 7.16)
- KS C IEC 60169-7:2007 무선 주파수 커넥터 7부: 외부 도체 내부 직경이 9.5mm(0.374인치)인 총검 잠금형 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(유형 C)
- KS C IEC 60169-18:2008 무선 주파수 커넥터 부품 18: 외부 도체 내경이 2.79mm(0.110인치)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(SSMA 유형)
- KS C IEC 60169-4-2007(2013) RF 커넥터 부품 4: 외부 도체 내부 직경 16mm(0.63in) 나사산 잠금 RF 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(유형 7-16)
- KS C IEC 60169-28:2013 무선 주파수 커넥터 부품 28: 외부 도체 내경이 5 60 mm(0 220 in)인 스냅온 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 75 Ω
- KS C IEC 60747-7-2:2006 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 2: 저주파 증폭을 위한 환경적으로 평가된 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.
- KS L ISO 10676:2012 파인세라믹(어드밴스드 세라믹스, 어드밴스드 크래프트 세라믹스) 활성산소 생성능력을 이용한 반도체 광촉매 소재의 수질정화 성능 측정 시험방법
- KS L ISO 10676-2012(2017) 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹)의 활성산소 형성능 시험법을 이용한 반도체 광촉매 소재의 수질정화 성능 측정 시험방법
- KS L ISO 22197-4:2020 파인 세라믹스(Advanced Ceramics Advanced Technical Ceramics) - 반도체 광촉매 재료의 공기 정화 성능 테스트 방법 - 4부: 포름알데히드 제거
- KS C IEC 60169-11:2008 무선 주파수 커넥터 부품 11: 외부 도체 내경이 9.5mm(0.374인치)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(유형 4.1/9.5)
- KS C IEC 60169-18:2013 무선 주파수 커넥터 부품 18: 외부 도체 내부 직경이 2 79 mm(0 110 in)인 나사형 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50 Ω(SSMA 유형)
- KS C IEC 60169-4:2013 무선 주파수 커넥터 4부: 외부 도체 내부 직경이 16mm(0 63인치) 특성 임피던스 50Ω(유형 7 16)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터
- KS C IEC 60169-7:2013 무선 주파수 커넥터 파트 7: 외부 도체 내경이 9 5 mm(0 374 in)인 총검 잠금 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50 Ω(유형 C)
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 반도체 고주파 특성
PL-PKN, 반도체 고주파 특성
Association Francaise de Normalisation, 반도체 고주파 특성
IX-CISPR, 반도체 고주파 특성
Danish Standards Foundation, 반도체 고주파 특성
IN-BIS, 반도체 고주파 특성
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 반도체 고주파 특성
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 반도체 고주파 특성
AENOR, 반도체 고주파 특성
Group Standards of the People's Republic of China, 반도체 고주파 특성
Underwriters Laboratories (UL), 반도체 고주파 특성
AT-OVE/ON, 반도체 고주파 특성
- OVE EN IEC 61788-7:2021 초전도성 7부: 전자 특성 마이크로파 주파수에서 고온 초전도체의 표면 저항 측정((IEC 61788-7:2020) EN IEC 61788-7:2020)(독일어 버전)
International Telecommunication Union (ITU), 반도체 고주파 특성
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 고주파 특성
Lithuanian Standards Office , 반도체 고주파 특성
KR-KS, 반도체 고주파 특성
TH-TISI, 반도체 고주파 특성
- TIS 1865-1999 반도체 장치 디스크리트 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 1: 저주파수 및 고주파수 증폭을 위한 환경 등급 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
- TIS 1868-1999 반도체 장치 - 이산 소자 부품 7: 양극성 트랜지스터 섹션 4: 고주파 증폭용 케이스 정격 양극성 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
- TIS 1639-1998 무선 주파수 커넥터 부품 28: 도체 내부 직경이 5.60mm(0.220인치)인 스냅온 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 75Ω
- TIS 1626-1998 무선 주파수 커넥터 부품 15: 외부 도체 내부 직경이 4.13mm(0.163인치)인 나사형 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 75Ω(SMA 유형)
- TIS 1620-1998 무선 주파수 커넥터 부품 9: 외부 도체 내부 직경이 3mm(0.12인치)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(SMC 유형)
- TIS 1628-1998 무선 주파수 커넥터 부품 17: 외부 도체 내경이 6.5mm(0.256인치)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(TNC 유형)
- TIS 1629-1998 무선 주파수 커넥터 부품 18: 외부 도체 내경이 2.79mm(0.110인치)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(SSMA 유형)
- TIS 1631-1998 무선 주파수 커넥터 20부: 외부 도체 내경이 2.08mm(0.082인치)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(SSMC 유형)
- TIS 1618-1998 무선 주파수 커넥터 7부: 외부 도체 내경이 9.5mm(0.374인치)인 총검 잠금형 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(유형 C)
- TIS 1624-1998 고주파 커넥터 부품 13: 외부 도체 내경과 동일한 연결 치수를 갖는 고주파 동축 커넥터는 5.6mm(0.22in.), 특성 임피던스는 75Ω(1.6/5.6 유형), 특성 임피던스는 50Ω( 1.8/5.6형)
- TIS 1625-1998 무선 주파수 커넥터 부품 14: 외부 도체 내경이 12mm(0.472인치)인 나사형 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 75Ω(유형 3.5/12)
- TIS 1622-1998 무선 주파수 커넥터 11부: 외부 도체 내경이 9.5mm(0.374인치)인 나사식 무선 주파수 동축 커넥터 특성 임피던스 50Ω(유형 4.1/9.5)
- TIS 1621-1998 무선 주파수 커넥터 부품 9: 외부 도체 내경이 3mm(0.12인치)인 스냅온 무선 주파수 동축 케이블 커넥터 특성 임피던스 50Ω(SMB 유형)
- TIS 1630-1998 무선 주파수 커넥터 부품 19: 외부 도체 내경이 2.08mm(0.082인치)인 스냅온 무선 주파수 동축 케이블 커넥터 특성 임피던스 50Ω(SSMB 유형)
- TIS 1615-1998 무선 주파수 커넥터 4부: 외부 도체 내경 16mm(0.63인치), 특성 임피던스 50Ω, 나사산 연결(유형 7-16)이 있는 무선 주파수 동축 커넥터
International Organization for Standardization (ISO), 반도체 고주파 특성
- ISO 19635:2016 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 반도체 광촉매 소재의 조류 억제 활성 시험방법
- ISO 27447:2019 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 반도체 광촉매 소재의 항균활성 시험방법
- ISO 27447:2009 파인 세라믹스(Advanced ceramics, Advanced industry ceramics) 반도체 광촉매 소재의 항균활성 시험방법
- ISO 18061:2014 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 반도체 광촉매 소재의 항바이러스 활성 측정 박테리오파지 Q-β를 이용한 시험방법
- ISO 17094:2014 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 실내 조명 환경에서 반도체 광촉매 소재의 항균활성 시험방법
- ISO 10676:2010 파인 세라믹스(어드밴스드 세라믹스, 어드밴스드 크래프트 세라믹스) 활성산소 형성 능력을 이용한 반도체 광촉매 소재의 수질정화 성능 측정 시험방법
- ISO 19722:2017 파인세라믹(첨단세라믹, 첨단산업세라믹) 용존산소소모법을 이용한 반도체 광촉매 소재의 광촉매 활성 측정 시험방법
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 고주파 특성
Professional Standard - Post and Telecommunication, 반도체 고주파 특성
ITU-T - International Telecommunication Union/ITU Telcommunication Sector, 반도체 고주파 특성
TR-TSE, 반도체 고주파 특성
- TS 2804-1977 RF 커넥터. 외부 도체 내부 직경이 9.5mm인 총검 잠금 RF 동축 커넥터 - 특성 임피던스 50Ω
- TS 2551-1977 반도체소자의 기본정격과 특성, 측정방법의 일반원리를 다룬다. 1부: 기본 정격 및 특성
- TS 2550-1977 반도체소자의 기본정격과 특성, 측정방법의 일반원리를 다룬다. 파트 0: 일반 원칙 및 용어
European Committee for Standardization (CEN), 반도체 고주파 특성
未注明发布机构, 반도체 고주파 특성
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 반도체 고주파 특성
- QC 750102-1989 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 파트 1 저주파 및 고주파 증폭을 위한 환경적으로 평가된 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양(IEC 747-7-1 ED 1)
- QC 750107-1991 반도체 장치 개별 장치 7부: 바이폴라 트랜지스터 섹션 4 고주파 증폭용 케이스 등급 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양(IEC 747-7-4 ED 1)
Standard Association of Australia （SAA）, 반도체 고주파 특성
American Society for Testing and Materials (ASTM), 반도체 고주파 특성
- ASTM D7217-22 고주파 선형 진동(SRV) 시험기를 사용하여 고체 접착 필름의 최대 압력 특성을 결정하기 위한 표준 시험 방법