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양극성 몰리브덴 텔루라이드

모두 11항목의 양극성 몰리브덴 텔루라이드와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 양극성 몰리브덴 텔루라이드와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 전기 장치, 항공우주 제조용 패스너, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 물리학, 화학, 반도체 개별 장치, 전기공학종합.

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, 양극성 몰리브덴 텔루라이드

• REPORT M.2175-2010 MSS 시스템을 위한 디지털 교차 편파 상쇄를 이용한 동시 이중선형 편파 전송 기술

Defense Logistics Agency, 양극성 몰리브덴 텔루라이드

• DLA DSCC-DWG-87109 REV C-2002 커넥터,소켓,전기,래치 하우징,분극성,이중 행 베이스,.025POSTS
• DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 실리콘 모놀리식 포지티브 NAND 채널 저전력 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로 회로 구현
• DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 실리콘 모놀리식 포지티브 NAND 채널 저전력 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로 회로 구현

British Standards Institution (BSI), 양극성 몰리브덴 텔루라이드

• BS EN 2870:1996 이황화 몰리브덴 윤활 알루마이트 티타늄 합금 짧은 나사 정밀 공차 표준 나사 표준 이중 육각 머리 볼트 등급: 1100MPa(상온)/315℃
• BS PD IEC/TS 62607-4-1:2014 나노 제조 주요 제어 특성 리튬 이온 배터리용 음극 나노 물질 전기 화학적 특성 분석, 이중 모터 배터리 접근 방식
• 20/30406234 DC BS IEC 63275-2 Ed.1.0 반도체 장치 실리콘 카바이드 개별 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터에 대한 신뢰성 테스트 방법 2부. 바디 다이오드 작동으로 인한 양극성 저하에 대한 테스트 방법

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 양극성 몰리브덴 텔루라이드

• KS C IEC TS 62607-4-1:2019 나노제조의 주요 제어특성 4-1부: 나노전기 에너지 저장 양극 2전극 전지법을 위한 나노재료의 전기화학적 특성 규명

KR-KS, 양극성 몰리브덴 텔루라이드

• KS C IEC TS 62607-4-1-2019 나노제조의 주요 제어특성 4-1부: 나노전기 에너지 저장 양극 2전극 전지법을 위한 나노재료의 전기화학적 특성 규명

International Electrotechnical Commission (IEC), 양극성 몰리브덴 텔루라이드

• IEC 63275-2:2022 반도체 장치 탄화규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 신뢰성 테스트 방법 2부: 바디 다이오드 작동으로 인한 양극성 저하 테스트 방법

AT-OVE/ON, 양극성 몰리브덴 텔루라이드

• OVE EN IEC 63275-2:2021 반도체 장치 - 탄화규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 신뢰성 테스트 방법 - 2부: 바디 다이오드 작동으로 인한 양극성 저하 테스트 방법(IEC 47/2680/CDV)(영어 버전)

기타:   몰리브덴 텔루라이드 바이폴라, 양극성 몰리브덴 텔루라이드.