ZH
EN
ES

емкостный полевой транзистор

емкостный полевой транзистор, Всего: 77 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к емкостный полевой транзистор, являются: Полупроводниковые приборы, Механические конструкции электронного оборудования.

RU-GOST R, емкостный полевой транзистор

GOST 20398.5-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения входной передачи и выходной емкости
GOST 20398.6-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения тока утечки затвора
GOST 20398.11-1980 Полевые транзисторы. Методика измерения входного шумового напряжения, эквивалентного короткому замыканию
GOST 20398.0-1983 Полевые транзисторы. Общие требования к измерению электрических параметров
GOST 20398.8-1974 Полевые транзисторы. Ток стока для метода измерения V(Gs)=0
GOST 20398.13-1980 Полевые транзисторы. Методика измерения сопротивления источника стока
GOST 20398.12-1980 Полевые транзисторы. Методика измерения остаточного тока стока
GOST 17466-1980 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
GOST 20398.2-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения коэффициента шума
GOST 20398.3-1974 Полевые транзисторы. Метод измерения прямой крутизны
GOST 20398.7-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения порогового напряжения и напряжения отсечки
GOST 20398.10-1980 Полевые транзисторы. Ток стока для импульсного метода измерения Vgs=0

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, емкостный полевой транзистор

JEDEC JES2-1992 Транзистор, силовой полевой транзистор на основе арсенида галлия, общие характеристики

CZ-CSN, емкостный полевой транзистор

CSN 35 8803-1983 Полевые транзисторы. Электрический параметр. Методы измерения
CSN 35 8797 Cast.8 IEC 747-8 ZA1+A2:1996 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8: Полевой транзистор

PL-PKN, емкостный полевой транзистор

PN T01505 ArkusZ06-1974 Полевые эффекты? Транзисторы Метод измерения Ga?? текущий Icdo
PN T01505-17-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Выходная емкость короткого замыкания с общим истоком C22SS
PN T01505-16-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Входная емкость короткого замыкания с общим источником CnM
PN T01505 ArkusZ11-1974 Полевые датчики Метод измерения Разрушение источника стока yol?age U
PN T01505 ArkusZ01-1974 Полевой эффект? транзисторы Измерительный ме?ход Затвор-исток отсечка yol?aoe Ugs (Offi
PN T01505 ArkusZ10-1974 Полевые транзисторы Метод измерения напряжения пробоя Ga?e-источника U(8R) GSS
PN T01505-18-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Обратно-переходная емкость с общей цепью с короткозамкнутым входом Cl2j.s
PN T01505 ArkusZ09-1974 Полевые транзисторы Метод измерения Напряжение пробоя сток-исток U(BR) DSS
PN T01505 ArkusZ12-1974 Полевые транзисторы? Метод измерения по схеме Шорфа? общий источник проводимости inpof 9uss
PN T01501 ArkusZ4-1973 Полупроводниковые символы deyictj Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов
PN T01505 ArkusZ02-1974 Полевые транзисторы
PN T01505 ArkusZ14-1974 Полевой эффект? транзистор Метод измерения Переносная проводимость короткого замыкания с общим источником g,,?
PN T01505-19-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Коэффициент шума F и эквивалентное входное шумовое напряжение U?

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), емкостный полевой транзистор

KS C 5202-1980(2000) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
KS C 5202-2004 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
KS C IEC 60747-8:2002 Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
KS C IEC 60747-8:2020 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.

YU-JUS, емкостный полевой транзистор

JUS N.R1.353-1979 Буквенный символ полупроводниковых приборов. Биполярные и полевые транзисторы.
JUS N.R1.323-1979 Термины и определения полупроводниковых приборов. Биполярные и полевые транзисторы.
JUS N.R1.451-1982 Полевой транзистор. Общие принципы методов измерения
JUS N.R1.330-1979 иполярные транзисторы. Определения параметров рассеяния
JUS N.R1.373-1980 Полупроводниковые иоды. Основные характеристики и характеристики. Сигнальные диоды малой мощности
JUS N.R1.390-1979 Биполярное расстройство. Основные номиналы и характеристики: сигнальные транзисторы bw-power
JUS N.R1.391-1979 Бвполярные транзисторы. Основные номиналы и характеристики: силовые транзисторы

Professional Standard - Electron, емкостный полевой транзистор

SJ/T 11824-2022 Метод испытания эквивалентной емкости и скорости изменения напряжения металлооксидно-полупроводникового полевого транзистора (MOSFET)

British Standards Institution (BSI), емкостный полевой транзистор

BS IEC 60747-8:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Полевые транзисторы. Дополнительные номиналы и характеристики и поправки в методах измерения мощности коммутации полевых транзисторов.
BS IEC 60747-8:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Полевые транзисторы
BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства - Полевые транзисторы
BS QC 750114:1996 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Полевые транзисторы. Пустая подробная спецификация полевых транзисторов с номинальным корпусом для коммутационных приложений

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), емкостный полевой транзистор

JIS C 7214:1978 Гарантированная надежность полевых транзисторов

IET - Institution of Engineering and Technology, емкостный полевой транзистор

MICROW FLD-EFFE TRANSIS-1994 СВЧ полевые транзисторы: теория, конструкция и применение

International Electrotechnical Commission (IEC), емкостный полевой транзистор

IEC 60747-8:2000 Полупроводниковые приборы. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8-1:1987 Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Бланковая подробная спецификация однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц.
IEC 60747-8-3:1995 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел 3. Пустая подробная спецификация для корпусных полевых транзисторов для коммутационных приложений.
IEC 60747-8-2:1993 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 8: полевые транзисторы; раздел 2: пустая подробная спецификация полевых транзисторов для усилителей мощности с номинальным корпусом
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8:1984 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.

Defense Logistics Agency, емкостный полевой транзистор

DLA SMD-5962-89659-1990 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, БУФЕРНЫЙ ПОЛЕТОВЫЙ МОДЕЛЬ, ГИБРИДНАЯ
DLA SMD-5962-01504 REV B-2007 МИКРОсхема, ГИБРИДНАЯ, ЗАКАЗНАЯ, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, 500 ВОЛЬТ, С ЗАЩИТОЙ ЗАТВОРА
DLA SMD-5962-01504 REV D-2011 МИКРОсхема, ГИБРИДНАЯ, ЗАКАЗНАЯ, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, 500 ВОЛЬТ, С ЗАЩИТОЙ ЗАТВОРА
DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, BI-FET ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-01503 REV A-2005 МИКРОСХЕМЫ, ГИБРИДНЫЕ, ЗАКАЗНЫЕ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, 600 ВОЛЬТ ИЛИ 500 ВОЛЬТ, С ЗАЩИТОЙ ЗАТВОРА

RO-ASRO, емкостный полевой транзистор

STAS 12389-1985 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Предельные значения и номенклатура основных электрических параметров
STAS SR CEI 747-8-1993 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 8. Полевые транзисторы
STAS 12124/3-1983 Полупроводниковые приборы FIFL D-EFFECT TRANZISTORS Методы измерения электрических статических параметров
STAS 12124/4-1983 Полупроводниковые приборы ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Методы измерения электрических статических параметров
STAS 7128/8-1986 БУКВЕННЫЕ СИМВОЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ. Символы полевых транзисторов.

European Standard for Electrical and Electronic Components, емкостный полевой транзистор

EN 150012:1991 Пустая подробная спецификация: полевые транзисторы с одним затвором

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, емкостный полевой транзистор

GB/T 15450-1995 Пустая подробная спецификация кремниевых полевых транзисторов с двойным выходом
GB/T 6219-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц.
GB/T 4586-1994 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы
GB/T 15449-1995 Подробная спецификация Biank для полевых транзисторов для применения в режиме выборки

Professional Standard - Aerospace, емкостный полевой транзистор

QJ 2617-1994 Спецификация приемки корпуса полевого СВЧ-транзистора (микроволнового полевого транзистора)

TH-TISI, емкостный полевой транзистор

TIS 2124-2002 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел третий: пустая подробная спецификация для полевых транзисторов с номинальным корпусом для коммутационных приложений.
TIS 2122-2002 Полупроводниковые приборы.дискретные устройства.часть 8: полевые транзисторы. раздел первый: пустая подробная спецификация для однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц.
TIS 2121-2002 Полупроводниковые приборы.Дискретные устройства.часть 8: Полевые транзисторы.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, емкостный полевой транзистор

EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)

KR-KS, емкостный полевой транзистор

KS C IEC 60747-8-2020 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, емкостный полевой транзистор

GJB/Z 41.4-1993 Военные полупроводниковые дискретные устройства, полевой транзистор со спектром