ZH

EN

ES

Окисление металлов

Окисление металлов, Всего: 500 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Окисление металлов, являются: Ингредиенты краски, Полупроводниковые приборы, Электрические аксессуары, Защита зданий и внутри зданий, Изоляция, Сети передачи и распределения электроэнергии, Клапаны, Электротехника в целом, Электронные компоненты в целом, Оптоволоконная связь, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Железнодорожный подвижной состав, Распределительные устройства и устройства управления, Обработка поверхности и покрытие, Оптика и оптические измерения, Электростанции в целом, Резисторы, Аудио, видео и аудиовизуальная техника, Физика. Химия, Защита окружающей среды, Аналитическая химия, Электрические и электронные испытания, Качество воздуха, Полупроводниковые материалы, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Материалы для аэрокосмического строительства, Продукция текстильной промышленности, Компоненты для электрооборудования, Электрические фильтры, Стоматология, Радиосвязь.


US-CFR, Окисление металлов

US-FCR, Окисление металлов

Professional Standard - Chemical Industry, Окисление металлов

  • HG/T 4749-2014 Металлооксидные смешаннофазные пигменты

Defense Logistics Agency, Окисление металлов

  • DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ УРОВНЯ НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ РАБОТЫ ТТЛ-КМОП ИЛИ КМОП-КМОП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA A-A-55564/3 B-2004 РЕЗИСТОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ НАПРЯЖЕНИЮ (ВАРИСТОР), ОКСИД МЕТАЛЛА, РАДИАЛЬНЫЙ ВЫВОД
  • DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 1-2006 РЕЗИСТОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ НАПРЯЖЕНИЮ (ВАРИСТОР, ОКСИД МЕТАЛЛА), ЧИП
  • DLA A-A-55562 A-2001 РЕЗИСТОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ НАПРЯЖЕНИЮ (ВАРИСТОР, ОКСИД МЕТАЛЛА), ЧИП
  • DLA A-A-55562 A VALID NOTICE 2-2011 Резистор, чувствительный к напряжению (варистор, оксид металла), чип
  • DLA A-A-55564/2 B-2012 РЕЗИСТОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ НАПРЯЖЕНИЮ (ВАРИСТОР), ОКСИД МЕТАЛЛА, ВЫСОКОЙ ЭНЕРГИИ
  • DLA SMD-5962-96736-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, КМОП, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ 8-БИТНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЕЙ ИНТЕРФЕЙСА CMOS/TTL, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA MIL-PRF-83530 C-2008 РЕЗИСТОРЫ НАПРЯЖЕННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ (ВАРИСТОРНЫЕ, МЕТАЛЛОКИСДНЫЕ), ОБЩИЕ СПЕЦИФИКАЦИИ
  • DLA A-A-55562/1 A VALID NOTICE 2-2011 Резистор, чувствительный к напряжению (варистор, оксид металла), чип, тип 0603
  • DLA A-A-55562/2 A VALID NOTICE 2-2011 Резистор, чувствительный к напряжению (варистор, оксид металла), чип, тип 0805
  • DLA A-A-55562/3 A VALID NOTICE 2-2011 Резистор, чувствительный к напряжению (варистор, оксид металла), чип, тип 1206
  • DLA A-A-55562/4 A VALID NOTICE 2-2011 Резистор, чувствительный к напряжению (варистор, оксид металла), чип, тип 1210
  • DLA A-A-55562/5 VALID NOTICE 2-2011 Резистор, чувствительный к напряжению (варистор, оксид металла), чип, тип 0402
  • DLA A-A-55564/3 C-2012 РЕЗИСТОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ НАПРЯЖЕНИЮ (ВАРИСТОР), ОКСИД МЕТАЛЛА, РАДИАЛЬНЫЙ ВЫВОД
  • DLA A-A-55562/2 A-2001 РЕЗИСТОР, ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ НА НАПРЯЖЕНИЕ (ВАРИСТОР, ОКИСЛ МЕТАЛЛА), ЧИП, ТИПА 0805
  • DLA QPL-83530-7-2004 РЕЗИСТОРЫ НАПРЯЖЕННО-ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЕ (ВАРИСТОРНЫЕ, МЕТАЛЛОКИСДНЫЕ), ОБЩИЕ СПЕЦИФИКАЦИИ
  • DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, Умножитель 16 Х 16, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86873 REV B-1993 МИКРОСХЕМА ЦИФРОВАЯ, КМОП 16 Х 16 УМНОЖИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 МИКРОСХЕМА, NMOS, КОНТРОЛЛЕР ШИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, ДРАЙВЕРЫ МОП-ЧАСОВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЧАСЫ РЕАЛЬНОГО ВРЕМЕНИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94745-1995 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 256К Х 1-БИТ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ КОНФИГУРАЦИИ, ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ГЕНЕРАТОР ПРЕРЫВАНИЯ NMOS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, Умножитель 8 Х 8, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, НОР-ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90997-1991 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КОНТРОЛЛЕР ШИНЫ CHMOS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92026-1992 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОЦЕССОР С ФИКСИРОВАННОЙ ТОЧКОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94709-1994 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР БЭНГ-БЭНГ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87744-1987 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, 1М (64К Х 16) БИТ, NMOS, УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92103-1992 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОЦЕССОР С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СИГНАЛЬНЫЙ ПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-85528-1986 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ШИННЫЙ АРБИТР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, Умножитель 8 Х 8, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, CMOS ARINC-ШИННЫЙ ИНТЕРФЕЙС, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ТАЙМЕРЫ ТОЧНОСТИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 МИКРОсхема, УНИВЕРСАЛЬНЫЙ КОНТРОЛЛЕР ПРЕРЫВАНИЯ, N-КАНАЛЬНЫЙ МОП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 МИКРОСХЕМА, ВЫСОКОЭФФЕКТИВНЫЕ CMOS-ШИННЫЕ БУФЕРЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, МУЛЬТИПЛЕКСОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92106-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, АДРЕСНЫЙ ПРОЦЕССОР 2, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 16-БИТЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, NMOS, ПРОЦЕССОР ЧИСЛОВЫХ ДАННЫХ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88599-1988 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, БЛОК ГРМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 16-БИТЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ЧЕТЫРЕХАНАЛОГОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ВЕНТИЛЯ И-НЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ИЛИ ЗАТИЛЬНАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 МИКРОСХЕМА ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП И ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96803-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЙ ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ КМОП-ИНВЕРТОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, NMOS, 16-БИТНЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91513-1993 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ КМОП, И/ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЕ ВЕНТИЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ГРАФИЧЕСКИЙ СИСТЕМНЫЙ ПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНАЯ, КМОП, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94688 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ КМОП, ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ МОП-транзисторов, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ СРАВНИТЕЛЬ ИДЕНТИЧНОСТИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88568-1988 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, NMOS, ОДНОКОМПОНЕНТНЫЕ, 8-битный МИКРОКОМПЬЮТЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВ 4000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА ПРОЦЕССОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, HCMOS, СОПРОЦЕССОР С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УДАЛЕННЫЙ ТЕРМИНАЛ, МУЛЬТИПРОТОКОЛЬНАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88653-1989 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, БУФЕРНЫЙ ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86032 REV H-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, HCMOS, 32-БИТНЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, 8-БИТНЫЕ CMOS FLASH АЦП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86846 REV C-2001 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП 64 Х 5 ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88758-1991 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ КМОП, ЧЕТЫРЕХДВУСТОРОННИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86864-1988 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ СТИРАЕМЫЕ КМОП-ПРОГРАММИРУЕМЫЕ ЛОГИЧЕСКИЕ УСТРОЙСТВА
  • DLA SMD-5962-89506 REV A-1993 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ДРАЙВЕР ШИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89507 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХДВУСТОРОННИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89508-1989 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ДЕКОДЕР 1 ИЗ 4, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96607 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ГЕНЕРАТОР ПЕРЕДНЕГО НЕСУЩЕГО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ/МОС-ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНАЯ ШИНА/МОС-ДРАЙВЕР ПАМЯТИ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91532 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ДВОЙНАЯ, МАЛОЙ МОЩНОСТИ, КОМПАРАТОР НАПРЯЖЕНИЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87653 REV A-1991 МИКРОСХЕМА, МИКРОПРОЦЕССОР, СОВМЕСТИМЫЕ ЧАСЫ РЕАЛЬНОГО ВРЕМЕНИ, CMOS МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, ДРАЙВЕР MOSFET, ДВОЙНОЕ ПИТАНИЕ
  • DLA SMD-5962-87685-1987 МИКРОСХЕМЫ, 8-БИТНЫЙ МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ ЦП, NMOS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92009 REV B-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, CMOS, КОНТРОЛЛЕР АДРЕСОВ VMEBUS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92010 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, CMOS, КОНТРОЛЛЕР ИНТЕРФЕЙСА VMEBUS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87723-1987 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ КМОП, 13 ВХОДОВ И-НЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92093 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ЧЕТЫРЕЧНАЯ, КМОП, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92104-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, АДРЕСНЫЙ ПРОЦЕССОР 1, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95557 REV A-1997 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕМЕНЯЕМАЯ ФЛЕШ-ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ УСТРОЙСТВА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87805 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ МУЛЬТИВИБРАТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88566 REV C-1994 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ДВОЙНОЙ АСИНХРОННЫЙ ПРИЕМНИК/ПЕРЕДАТЧИК NMOS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86809 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, NMOS, 16-БИТНЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР С 8 КБ БАЙТ EPROM-ПАМЯТИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88740 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ 2K X 8, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86824 REV A-1987 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ КМОП, СЧЕТЧИК, СИНХРОННАЯ ДЕКАДНАЯ, 4-БИТНЫЕ, МОНОЛИТНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ
  • DLA SMD-5962-90864 REV A-1993 МИКРОСХЕМА ЦИФРОВАЯ, HCMOS МНОГОФУНКЦИОНАЛЬНАЯ ПЕРИФЕРИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 16-битный микропроцессор, монолитный кремний.
  • DLA SMD-5962-89546-1989 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМЫЙ СИНХРОННЫЙ МАШИНА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96664 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, МИКРОЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ ФАЗОВАЯ АВТОМАТИКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96683-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, 4-БИТНАЯ АРИФМЕТИКО-ЛОГИЧЕСКАЯ БЛОК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96691 REV D-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, SRAM, 128K X 8-бит, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95834 REV J-2006 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, LVDS, ЧЕТЫРЕХКМОП, ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ЛИНЕЙНЫЙ ПРИЕМНИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87735 REV B-1998 МИКРОСХЕМА, КМОП, МИКРОПРОЦЕССОР, ОПТИМИЗИРОВАННЫЙ ДЛЯ ЦИФРОВОЙ ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91605-1992 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ РЕГИСТР D С РАЗРЕШЕНИЕМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87611 REV D-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ ТРИ ВХОДА И ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87614 REV G-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЯЧНАЯ, ДВУХВХОДНАЯ ИЛИ ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87615 REV E-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЯЧНАЯ, С ДВУМЯ ВХОДАМИ И ЗАТВОРАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87623 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ДЕКОДЕР 1-ИЗ-4, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95629 REV A-2001 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ДВОЙНОЙ АНАЛОГОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ SPST, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87713 REV A-1991 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, HMOS, МУЛЬТИПРОТОКОЛЬНЫЕ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ КОНТРОЛЛЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87722 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ ИЛИ ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87734 REV B-1992 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ТАКТОВЫЙ ГЕНЕРАТОР И ГОТОВЫЙ ИНТЕРФЕЙС, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92057-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, CMOS, 1K X 18 ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92101 REV A-1995 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, CMOS, 512 X 18 ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89971-1992 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, HMOS, УДАЛЕННЫЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ПЕРИФЕРИЧЕСКИЙ ИНТЕРФЕЙС, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94734-1995 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 16 МЕГ Х 1 ДРАМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88574 REV A-1994 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, HCMOS, 8 ВХОДОВ, ЗАТВОР ИЛИ/ИЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88576 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4 ВХОДА И ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, NMOS, 256 X 4 СТАТИЧЕСКОЕ ОЗУ (SRAM) МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88628 REV E-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР ШИНЫ, УДАЛЕННЫЙ КЛЕММ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88635 REV A-1993 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-СТИРАЕМОЕ, ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО
  • DLA SMD-5962-86009 REV C-1991 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ КМОП ДВОЙНОЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86012 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 7-СТАДИЙНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88713 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, ОДИНОЧНЫЙ МОЩНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90901-1992 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, КМОП, ВОСЬМЕРИЧНО-РЕГИСТРОВАННЫЕ ТРАНСИВЕРЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86862 REV B-1989 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, БЫСТРЫЕ КМОП, УНИВЕРСАЛЬНЫЙ РЕГИСТР СДВИГА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89481 REV A-2004 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, 12-БИТ, УМНОЖИТЕЛЬНЫЙ ЦАП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89497 REV B-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, ВИДЕООЗУ 256К Х 4, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 56-битный цифровой процессор сигналов, монолитный кремний
  • DLA SMD-5962-89514 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП-КОНТРОЛЛЕР ПАРАЛЛЕЛЬНОГО ВВОДА-ВЫВОДА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89532 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ДВОЙНОЙ АСИНХРОННЫЙ ПРИЕМНИК/ПЕРЕДАТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89536 REV F-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 1K X 9 FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89552 REV A-1997 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, ЧЕТЫРЕЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96514 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, НЕ ЗАБОТНАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96522 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНЫЙ И ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96619 REV C-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ПОЛНЫЙ СУММОР С ПАРАЛЛЕЛЬНЫМ ВЫВОДОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96627 REV B-1997 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ЧЕТЫРЕЧНАЯ И/ИЛИ ИЗБИРАТЕЛЬНАЯ ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96638 REV B-1997 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, 8-ВХОДНОЙ ЗАТВОР ИЛИ/ИЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96653 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96727 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР ШИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96742 REV E-2000 МИКРОСХЕМА ЛИНЕЙНАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, МУЛЬТИПЛЕКСОРНАЯ С ЗАЩИТОЙ ОТ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96786-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ CMOS/TTL, 8-БИТНАЯ, ДВУНАПРАВЛЕННАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95715-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ДРАЙВЕР ТАКТОВОГО ГЕНЕРАТОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИИ/МОП-ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРОВАННЫМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90996 REV B-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УМНОЖИТЕЛЬ/АККУМУЛЯТОР 12 Х 12, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91501 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 32-БИТ ИНТЕГРИРОВАННЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91554 REV A-1992 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, БИПОЛЯРНЫЕ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНО-РЕГИСТРОВАННЫЙ ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87549 REV F-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВЕДЕННЫЙ 2-ВХОДНОЙ И-НЕ-ГЭТ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91585 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, CMOS, 1K X 9 ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87610 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНОЙ И-НЕ-ГЭТ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87612 REV E-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, 2-ВХОДНАЯ, НЕ ЗАБОТНАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91639 REV C-2005 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, CMOS ЧЕТЫРЕХДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ЛИНЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91640 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНЫЙ, КМОП-ЧЕТЫРЕХДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ПРИЕМНИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87646 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ УСТРОЙИТЕЛЬ ДРОЗГА КОНТАКТОВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87665 REV E-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 16-БИТ, MIL-STD-1750 МИКРОПРОЦЕССОР МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87680 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 14-СТАДИЙНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87691 REV A-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 8-ВХОДНОЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87704 REV C-1993 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, КМОП, 9 И 10-БИТНЫЕ ШИННЫЕ ТРАНСИВЕРЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94712 REV B-1996 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ КМОП, МАССИВ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ЯЧЕЙОК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ДВОЙНОЙ 12-БИТЫЙ, ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95521 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ НА 10 000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, БЛОК ОБНАРУЖЕНИЯ И ИСПРАВЛЕНИЯ ОШИБОК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90512-1992 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, HMOS, 8-битный микрокомпьютер, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88573 REV C-1992 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ КМОП, ВЫСОКОПРОИЗВОДИТЕЛЬНЫЕ ШИННЫЕ ТРАНСИВЕРЫ ЧЕТНОСТИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95595 REV N-2004 МИКРОсхема, ГИБРИДНАЯ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ ОПЕРАТИВНОГО ДОСТУПА, CMOS, 128K X 32-БИТ
  • DLA SMD-5962-88637 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАТРИЦА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ КОМПАРАТОР ВЕЛИЧИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88655-1989 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ, КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ D-ТИП, ФЛИП-ФЛОП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90704-1990 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 16-битный цифровой процессор сигналов, монолитный кремний
  • DLA SMD-5962-88699-1988 МИКРОСХЕМЫ ЛИНЕЙНЫЕ 16-КАНАЛЬНЫЕ/ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЕ 8-КАНАЛЬНЫЕ КМОП-АНАЛОГОВЫЕ МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ
  • DLA SMD-5962-90715 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS 4K X 9 FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ РЕГИСТР СДВИГА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ РЕГИСТР СДВИГА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ КОМПАРАТОР ВЕЛИЧИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88733 REV D-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УМНОЖИТЕЛЬ 16 Х 16 БИТ, АККУМУЛЯТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90803 REV C-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 8K X 8-БИТ ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86821 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОИЧНО-ДЕСЯТИЧНЫЙ ДЕКОДЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89445 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ПРОГРАММИРУЕМЫЙ СЧЕТЧИК ДЕЛЕНИЯ НА N, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90888-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, МАНЧЕСТЕРСКИЙ ЭНКОДЕР-ДЕКОДЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ КОМПАРАТОР ВЕЛИЧИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89483 REV D-1996 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ЧЕТЫРЕЧНАЯ, УНИВЕРСАЛЬНЫЙ СТРОИТЕЛЬНЫЙ БЛОК ФИЛЬТРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89516-1989 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, КМОП КОНТРОЛЛЕР ДВОЙНОГО ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО ВВОДА/ВЫВОДА МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89518 REV A-2002 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, 8-битная, АЦП с отслеживанием/удержанием, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЕ КМОП, 8-битный КОМПАРАТОР ВЕЛИЧИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87518 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, NMOS, ПРОГРАММИРУЕМЫЙ КОНТРОЛЛЕР ПРЕРЫВАНИЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87519 REV A-1991 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, NMOS, ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, КОНТРОЛЛЕР ИНТЕРФЕЙСНОЙ ШИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89533-1989 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРО, КМОП, 10-битный НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96612 REV B-1997 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, КМОП, ДВОИЧНЫЙ УМНОЖИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96615 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, 8-БИТНАЯ АДРЕСНАЯ ЗАЩЕЛКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96646 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕЧНАЯ ЭКСКЛЮЗИВНАЯ ИЛИ ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96671 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ ПРИОРИТЕТНЫЙ ЭНКОДЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96672 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, ПРОГРАММИРУЕМЫЙ ТАЙМЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96694 REV A-1996 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-ЗАЩИТНАЯ, CMOS/SOS, СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ 4K X 1, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96695 REV A-1996 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-ЗАЩИТНАЯ, CMOS/SOS, СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ 1K X 4, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96701 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, СЧЕТВЕРНАЯ, ДВУСТОРОННИЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96816-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ЭКСКЛЮЗИВНАЯ ИЛИ ЗАТВОРА С 2 ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96820 REV B-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И ЗАБОТНЫЙ, 2 ВХОДА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96822-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И-НЕ-ЗАТВОР, С 2 ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96825-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ ИЛИ ЗАТВОРА С ДВУМЯ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95722 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ 16-БИТЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95801 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР С ОТКРЫТЫМ СТОКОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95824-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, 8-БИТНЫЙ МИКРОПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90525 REV C-2008 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УНИВЕРСАЛЬНЫЙ АСИНХРОННЫЙ ПРИЕМНИК-ПЕРЕДАТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-85133-1986 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВОЙ HMOS 80-БИТНЫЙ ЦИФРОВОЙ ПРОЦЕССОР, РАСШИРЕНИЕ МОНОЛИТНОГО КРЕМНИЯ
  • DLA SMD-5962-91603 REV A-1998 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, СОВРЕМЕННЫЕ КМОП, 4-Х СТАДИЙНЫЙ СИНХРОННЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87625 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 4 ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДРАЙВЕРЫ BIMOS II, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91692 REV A-2002 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, 16-БИТ, 20 КГЦ, АЦП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91740-1992 МИКРОсхема, КМОП, 16 БИТ, ЦИФРО-АНАЛОГОВЫЙ УМНОЖИТЕЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-91762 REV B-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 4 Х 8 БИТ МНОГОУРОВНЕВЫЙ КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕГИСТР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92124 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, МАЛОЙ МОЩНОСТИ, ИНВЕРТОРНЫЙ КОММУТАЦИОННЫЙ РЕГУЛЯТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92153 REV M-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 32K X 8 СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ ОПЕРАТИВНОГО ДОСТУПА (SRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95525-1995 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЧЕТЫРЯДНОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСТИРУЕМЫЙ ПРОГРАММИРУЕМЫЙ ПОТЕНЦИОМЕТР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92156 REV J-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАТРИЦА, 8000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95653 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНОЙ И-ЗАБОТ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95657 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И ЗАТВОРНАЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95660 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЭКСКЛЮЗИВНАЯ ИЛИ С ДВУМЯ ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95679 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, 2-ВХОДНАЯ, НЕ ЗАБОТНАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94730 REV D-2002 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94733-1995 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КОНФИГУРИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ CMOS 12000 GATE, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88613 REV B-1991 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 16-БИТНЫЙ БЛОК ОБНАРУЖЕНИЯ И ИСПРАВЛЕНИЯ ОШИБОК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88638 REV C-1996 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ КМОП, МАССИВ ПРОГРАММИРУЕМЫХ ЛОГИЧЕСКИХ ЯЧЕЙОК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-85519 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-БИТНАЯ АДРЕСНАЯ ЗАЩЕЛКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НЕБУФЕРНЫЙ ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86011 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК/ДЕЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88652-1989 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРО, КМОП, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ГЕНЕРАТОР С ПРОИЗВЕДЕНИЕМ ПРОВЕДЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90727 REV A-1993 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВОЙ КМОП-ГРАФИЧЕСКИЙ СИСТЕМНЫЙ ПРОЦЕССОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90731 REV E-2004 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, CMOS QUAD, АНАЛОГОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ SPST, МОНЛИТИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86810 REV A-1988 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, NMOS ДВОЙНОЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ КОНТРОЛЛЕР СВЯЗИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-86854-1987 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ КМОП, ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, ЧЕТЫРЕ БИТА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88775 REV A-1991 МИКРОСХЕМЫ, БЫСТРЫЕ, КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЕ ТРАНСИВЕР/РЕГИСТР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89446-1991 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 8-битные регистры сдвига переменной длины, монолитный кремний.
  • DLA SMD-5962-89463 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, СОПРОЦЕССОР С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89505 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, БЛОК ЗАЩИТЫ БЛОКА УПРАВЛЕНИЯ ПАМЯТЬЮ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90969 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, КВАДРО, МАЛОГО МОЩНОГО КОМПАРАТОРА НАПРЯЖЕНИЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89523 REV C-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 64 X 4 ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89534 REV C-1991 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, РАСШИРЕНИЕ 80-БИТНОГО ЧИСЛЕННОГО ПРОЦЕССОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96526 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНОЙ И-ЗАБОТ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96596 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНЫЙ ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96602 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, РЕГИСТР FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96610 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, 8-ВХОДОВЫЙ И-НЕ/И-ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96611 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, ЧЕТЫРЁДНЫЕ ЭКСКЛЮЗИВНЫЕ ИЛИ И ЭКСКЛЮЗИВНЫЕ ВАЛЮТЫ NOR, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96617 REV B-1997 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, 18-СТУПЕНЧАТЫЙ СТАТИЧЕСКИЙ РЕГИСТР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96625 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, СЧЕТЧИК/ДЕЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96632 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХ ИСТИННЫЙ/ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ БУФЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96669 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, ДВОЙНЫЕ СЧЕТЧИКИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96682 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, МНОГОПОРТОВОЙ РЕГИСТР 4X4, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96684 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, МНОГОПОРТОВОЙ РЕГИСТР 4X4, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96708 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 9-БИТНАЯ ПРОВЕРКА ГЕНЕРАТОРА НЕЧЕТНОЙ/ЧЕТНОСТИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 8-БИТНЫЙ КОМПАРАТОР ВЕЛИЧИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95680 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, 2-ВХОДНАЯ И ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95682 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, 2-ВХОДНАЯ, НЕ ЗАБОТНАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95717-1995 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-95720 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ И ЗАТВОРА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Окисление металлов

  • GJB 3794-1999 Спецификация на сплавы оксидов металлов на основе серебра для электрического контакта
  • GJB 3794A-2018 Спецификация на обрабатываемые материалы для электрического контакта с оксидами металлов на основе серебра

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Окисление металлов

  • GB/T 13397-2008 Технические условия на электрические контакты металлоксид серебра методом внутреннего оксидирования сплава
  • GB 13397-1992 Технические условия на электрические контакты металлоксид серебра методом внутреннего оксидирования сплава
  • GB 11032-2010 Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока
  • GB/T 11032-2010 Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока
  • GB 11032-2000 Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока
  • GB/T 25083-2010 Металлооксидные разрядники без зазоров для систем сверхвысокого напряжения постоянного тока ±800 кВ
  • GB/T 15652-1995 Типовые технические условия на газовые датчики из металлооксидных полупроводников.
  • GB/T 15653-1995 Методы измерения газовых сенсоров металлооксидных полупроводников
  • GB/T 28547-2012 Рекомендации по выбору и применению металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем электрооборудования.
  • GB/Z 43032-2023 Методы пробоподготовки для определения характеристик нанообъектов металлов и оксидов металлов в пробах нанотехнологической воды
  • GB/T 22389-2008 Рекомендации по использованию металлооксидных разрядников без зазоров для преобразовательных подстанций постоянного тока высокого напряжения
  • GB/T 27746-2011 Технические характеристики металлооксидных варисторов (МОВ), используемых в низковольтной аппаратуре
  • GB/Z 24845-2009 Технические характеристики металлооксидных ограничителей перенапряжения без зазоров для систем переменного тока 1000 кВ
  • GB/T 24845-2018 Технические характеристики металлооксидных ограничителей перенапряжения без зазоров для систем переменного тока напряжением 1000 кВ
  • GB/T 18802.331-2007 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331: Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • GB/T 41917-2022 Нанотехнологии — Электронно-спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами.

Professional Standard - Machinery, Окисление металлов

  • JB/T 9670-1999 Оксид цинка для варисторов металлооксидных ограничителей перенапряжения
  • JB/T 10492-2011 Устройства контроля металлооксидных ограничителей перенапряжения
  • JB/T 9670-2014 Оксид цинка для варисторов металлооксидных ограничителей перенапряжения
  • JB/T 9672.1-1999 Металлооксидные разрядники с последовательными разрядниками для систем постоянного тока
  • JB/T 9672.2-2005 Металлооксидные разрядники с последовательными разрядниками. Часть 2. Металлооксидные разрядники с последовательными разрядниками для систем переменного тока напряжением 35 кВ и ниже.
  • JB/T 9672.1-2013 Металлооксидные ограничители перенапряжения с последовательными разрядниками. Часть 1. Металлооксидные ограничители перенапряжения с последовательными разрядниками для систем постоянного тока напряжением 3 кВ и ниже.
  • JB/T 7617-1994 Разрядник для защиты от перенапряжений металлооксидный емкостной с гексафторидом серы без зазоров
  • JB/T 5894-1991 Используйте руководство для металлооксидного разрядника переменного тока без зазоров.
  • JB/T 10492-2004 Мониторы металлооксидных разрядников без зазоров в системе переменного тока
  • JB/T 8444-2015 Технические условия на электрические контакты серебро-металлоксид методом порошковой металлургии
  • JB/T 8444-1996 Техническая спецификация на контактор электрический серебряно-металлооксидный методом порошковой металлургии
  • JB/T 10496-2005 Металлооксидные разрядники без зазоров комбинированного типа для трехфазных систем переменного тока.
  • JB/T 8952-2005 Металлооксидные разрядники в полимерном корпусе без зазоров для систем переменного тока
  • JB/T 10609-2006 Металлооксидные ограничители перенапряжения комбинированного типа с последовательными разрядниками для трехфазных систем переменного тока.
  • JB/T 6479-2014 Металлооксидные разрядники с последовательными разрядниками для линейных ловушек для систем переменного тока
  • JB/T 56206.2-1999 Классификация качества продукции беззазорных металлооксидных ограничителей перенапряжения переменного тока (для внутреннего использования)
  • JB/T 10497-2005 Ограничители перенапряжения из металлооксида в полимерном корпусе с последовательным зазором для линий электропередачи переменного тока
  • JB/T 8952-1999 Металлооксидные ограничители перенапряжения в полимерном корпусе без искровых разрядников для систем переменного тока напряжением 35 кВ и ниже.
  • JB/T 6479-1992 Металлооксидные ограничители перенапряжения с последовательным зазором для изоляции линий электросистем переменного тока

Group Standards of the People's Republic of China, Окисление металлов

  • T/CECA 35-2019 Металлооксидный полупроводниковый газовый датчик
  • T/CAB 0156-2022 Металлооксидный МЭМС датчик газа для умной бытовой техники
  • T/ZZB 0790-2018 Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока электропоездов
  • T/CECA 27-2017 Общие технические условия на металлооксидные варисторы с характеристиками надежности
  • T/CPCIF 0033-2020 Техническая спецификация для оценки продукции «зеленого» дизайна. Пигменты на основе смешанных оксидов металлов.
  • T/CEC 348-2020 Система переменного тока напряжением 1000 кВ с металлооксидным разрядником без зазора в композитной оболочке
  • T/CEC 221-2019 Общие технические стандарты для металлооксидных резисторов с высоким градиентом и низким остаточным напряжением
  • T/GDC 143-2022 Неорганизованные выбросы. Определение летучих органических соединений методом оксидов металлов.
  • T/CASAS 006-2020 Общие спецификации полевого транзистора из карбида кремния металл-оксид-полупроводник
  • T/QGCML 911-2023 Разрядник для защиты от перенапряжений из оксида металла в композитной оболочке 10 кВ переменного тока без зазоров
  • T/CASAS 015-2022 Метод испытания циклического включения питания карбидокремниевого металлооксидного полупроводникового полевого транзистора (SiC MOSFET)
  • T/CASME 460-2023 Металлооксидный разрядник с фиксированным зазором последовательно с композитной рубашкой для линии электропередачи переменного тока 10 кВ
  • T/CSEE 0001-2015 Спецификация металлооксидных ограничителей перенапряжения в полимерном корпусе с последовательным зазором для линий электропередачи переменного тока напряжением 1000 кВ

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Окисление металлов

  • GB/T 11032-2020 Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока

Professional Standard - Electricity, Окисление металлов

  • DL/T 1702-2017 Руководство по поддержанию состояния металлооксидных ограничителей перенапряжения
  • DL/T 1703-2017 Методические указания по государственной экспертизе металлооксидных ограничителей перенапряжения
  • DL/T 1156-2012 Металлооксидные варисторы для последовательных батарей конденсаторов
  • DL/T 804-2002 Руководство по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока
  • DL/T 804-2014 Руководство по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока
  • DL/T 815-2012 Металлооксидные ограничители перенапряжения для линий электропередачи переменного тока
  • DL/T 815-2002 Металлооксидные разрядники для линий электропередачи переменного тока
  • DL/T 613-1997 Спецификация и технические требования к импортным беззазорным металлооксидным разрядникам переменного тока
  • DL/T 1294-2013 Руководство по применению металлооксидных разрядников-разъединителей для систем переменного тока
  • DL/T 2623-2023
  • DL/T 2109-2020 Рекомендации по выбору металлооксидных ограничителей перенапряжения с композитными оболочками и наружным последовательным зазором для линий электропередачи постоянного тока

CN-QIYE, Окисление металлов

  • Q/GDW 453-2010 Руководство по поддержанию состояния металлооксидных ограничителей перенапряжения
  • Q/GDW 276-2009 Технические характеристики металлооксидных ограничителей перенапряжения, используемых на преобразовательных подстанциях ±800 кВ
  • Q/GDW 1307-2014 Технические характеристики беззазорных металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока 1000 кВ

Professional Standard - Electron, Окисление металлов

  • SJ 20025-1992 Типовые технические условия на газовые датчики из металлооксидных полупроводников.
  • SJ 20026-1992 Методы измерения газовых сенсоров металлооксидных полупроводников
  • SJ 20079-1992 Методы испытаний газовых сенсоров металлооксидных полупроводников
  • SJ/Z 9177-1995 Технические характеристики для определения металлооксидно-пленочных резисторов мощностью 0,5 Вт, 1 Вт, 3 Вт, используемых в видеомагнитофонах.
  • SJ/T 11824-2022 Метод испытания эквивалентной емкости и скорости изменения напряжения металлооксидно-полупроводникового полевого транзистора (MOSFET)

Professional Standard - Hydroelectric Power, Окисление металлов

  • SD 179-1986 Безщелевые металлооксидные разрядники переменного тока низкого напряжения
  • SD 176-1986 Технические условия на металлооксидные разрядники электросетей переменного тока напряжением 3–500 кВ.
  • SD 177-1986 Руководство по использованию металлооксидных разрядников в энергосистемах переменного тока напряжением 3–500 кВ.

工业和信息化部, Окисление металлов

  • YD/T 2972-2015 Металлооксидный варистор для защиты связи
  • HG/T 5873-2021 Техническая спецификация для оценки продукции «зеленого дизайна» на смешаннофазные пигменты на основе оксидов металлов

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Окисление металлов

  • IEEE Std C62.11-2020 Металлооксидные ограничители перенапряжения для силовых цепей переменного тока
  • IEEE Std C62.11-1999 Металлооксидные ограничители перенапряжения для силовых цепей переменного тока (1 кВ)
  • IEEE Std C62.11-1993 Металлооксидные ограничители перенапряжения для силовых цепей переменного тока
  • IEEE Std C62.22-1997 Руководство IEEE по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения в системах переменного тока
  • IEEE Std C62.22-1991 Руководство по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока
  • IEEE Std C62.11-2005 Металлооксидные ограничители перенапряжения для силовых цепей переменного тока (1 кВ)
  • IEEE Std C62.22-2009 Руководство IEEE по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения в системах переменного тока
  • IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE Std C62.11-2012) Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE PC62.11/D8.0, December 2019 Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE Std C62.11-2012 Стандарт IEEE на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (1 кВ)
  • ANSI/IEEE Std C62.11-1987 Стандарт IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока
  • IEEE Std C62.11-1987 Стандарт IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока
  • IEEE Std C62.33-2016 Стандарт IEEE для методов испытаний и значений характеристик для компонентов защиты от перенапряжения металлооксидных варисторов
  • IEEE PC62.11/D6.0 September 2019 Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE PC62.11/D2.0, January 2018 Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE PC62.11/D12A, August 2012 Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE PC62.11/D11, February 2012 Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE PC62.11/D7.0, November 2019 Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE PC62.11/D9.0 (Feb 4, 2020) (Revision o f IEEE Проект стандарта IEEE для металлооксидных ограничителей перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Окисление металлов

  • KS C 4616-2011(2021) Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока
  • KS C 4616-2011(2016) Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока
  • KS C 4616-2011 Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока
  • KS C IEC 60099-4:2019 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • KS C 4808-2011(2021) Металлооксидные ограничители перенапряжения в полимерном корпусе без зазоров для распределительной линии
  • KS C IEC 60099-4:2012 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • KS C IEC 60099-8-2014(2019) Ограничители перенапряжения. Часть 8. Металлооксидные ограничители перенапряжения с внешним последовательным зазором (EGLA) для воздушных линий
  • KS C 4808-2011(2016) Металлооксидные ограничители перенапряжения в полимерном корпусе без зазоров для распределительной линии
  • KS C IEC 61643-331-A:2014 Компонент для низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • KS C IEC 61643-331-2006(2019) Компоненты для устройств защиты от перенапряжения низкого напряжения. Часть 331: Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • KS C IEC 61643-331-A:2015 Компонент для низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • KS C IEC 61643-331:2006 Компоненты для устройств защиты от перенапряжения низкого напряжения. Часть 331: Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • KS C IEC 60099-4:2021 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.

国家能源局, Окисление металлов

  • NB/T 42153-2018 Бесщелевой металлооксидный разрядник переменного тока
  • NB/T 42152-2018 Общие технические требования к нелинейным металлооксидным резисторам
  • NB/T 10282-2019 Рекомендации по испытаниям безщелевых металлооксидных разрядников переменного тока
  • NB/T 10089-2018 Беззазорный разрядник из оксида металла для железнодорожной системы переменного тока 25 кВ

U.S. Military Regulations and Norms, Окисление металлов

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Окисление металлов

  • IEEE C62.22-1991 Руководство по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока
  • IEEE C62.11-1993 Стандарт на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока
  • IEEE C62.22-1997 Руководство по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока
  • IEEE C62.11-1999 Стандарт на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • IEEE C62.11-1987 СТАНДАРТ НА МЕТАЛЛООКСИДНЫЕ РАЗРЯДНИКИ ДЛЯ СИЛОВЫХ ЦЕПЕЙ ПЕРЕМЕННОГО ТОКА
  • IEEE C62.11-2012 Металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (>1 кВ)
  • IEEE C62.11-2005 Стандарт на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (>1 кВ)
  • IEEE C62.33-2016 Методы испытаний и значения характеристик для компонентов защиты от перенапряжения металлооксидных варисторов
  • IEEE PC62.11/D2.0-2019 Проект стандарта на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (>1 кВ)

American National Standards Institute (ANSI), Окисление металлов

  • ANSI/IEEE C62.11:2005 Стандарт на металлооксидные ограничители перенапряжения для цепей переменного тока (> 1 кВ)
  • ANSI/IEEE C62.22:2009 Руководство по применению металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока

Professional Standard - Energy, Окисление металлов

  • NB/T10282-2019 Рекомендации по испытаниям безщелевых металлооксидных разрядников переменного тока
  • NB/T 42059-2015 Разъединители металлооксидных ограничителей перенапряжения для систем переменного тока
  • DL/T 815-2021 Металлооксидный разрядник с композитной оболочкой для линий электропередачи переменного тока
  • NB/T 42049-2015 Металлооксидные разрядники без зазоров для систем постоянного тока напряжением 3 кВ и ниже

Professional Standard - Military and Civilian Products, Окисление металлов

  • WJ 461-1995 Металлическое покрытие. Технические условия на окислительные покрытия черных металлов оптических приборов

工业和信息化部/国家能源局, Окисление металлов

  • JB/T 8444-2014 Технические характеристики электрических контактов из оксида серебра для порошковой металлургии

International Organization for Standardization (ISO), Окисление металлов

  • ISO/TS 5094:2023 Нанотехнологии — Оценка пероксидазоподобной активности наночастиц металлов и оксидов металлов
  • ISO/TR 20489:2018 Нанотехнологии — Пробоподготовка для определения характеристик металлических и металлооксидных нанообъектов в пробах воды.
  • ISO/TS 25138:2019 Химический анализ поверхности. Анализ пленок оксидов металлов методом оптико-эмиссионной спектрометрии тлеющего разряда.
  • ISO/TS 25138:2010 Химический анализ поверхности. Анализ пленок оксидов металлов методом оптико-эмиссионной спектрометрии тлеющего разряда.
  • ISO 17299-5:2014 Текстиль. Определение дезодорирующих свойств. Часть 5. Метод металлооксидно-полупроводникового сенсора.
  • ISO/TS 18827:2017 Нанотехнологии - Электронный спиновый резонанс (ЭПР) как метод измерения активных форм кислорода (АФК), генерируемых металлооксидными наноматериалами.

British Standards Institution (BSI), Окисление металлов

  • PD ISO/TS 5094:2023 Нанотехнологии. Оценка пероксидазоподобной активности наночастиц металлов и оксидов металлов
  • BS EN 61643-331:2003 Устройства защиты от перенапряжения низкого напряжения. Спецификация металлооксидных варисторов (MOV)
  • BS EN 60099-4:2004+A2:2009 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • BS EN 60099-4:2004 Ограничители перенапряжения - Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока
  • BS EN 60099-4:2014 Ограничители перенапряжения. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока
  • PD ISO/TR 20489:2018 Нанотехнологии. Пробоподготовка для определения характеристик металлических и металлооксидных нанообъектов в пробах воды
  • BS DD ISO/TS 25138:2011 Химический анализ поверхности. Анализ пленок оксидов металлов методом оптико-эмиссионной спектрометрии тлеющего разряда
  • BS EN 60099-9:2014 Ограничители перенапряжения. Металлооксидные разрядники без зазоров для преобразовательных подстанций постоянного тока высокого напряжения
  • BS EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
  • BS EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
  • BS ISO 17299-5:2014 Текстиль. Определение свойств дезодоранта. Метод металлооксидно-полупроводникового сенсора
  • BS EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
  • PD ISO/TS 25138:2019 Отслеживаемые изменения. Химический анализ поверхности. Анализ пленок оксидов металлов методом оптико-эмиссионной спектрометрии тлеющего разряда
  • BS IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) для переключения мощности.
  • BS EN IEC 61643-331:2020 Компоненты для защиты от перенапряжения низкого напряжения. Требования к характеристикам и методы испытаний металлооксидных варисторов (MOV)

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Окисление металлов

  • CNS 12114-1987 Измерение толщины металлических и оксидных покрытий путем микроскопического исследования поперечного сечения
  • CNS 8104-1981 Метод измерения линейного порогового напряжения MOSFET
  • CNS 8106-1981 Метод измерения порогового напряжения насыщения MOSFET

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Окисление металлов

  • EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
  • EN 60099-4:2014 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • EN 60099-9:2014 Ограничители перенапряжения. Часть 9. Металлооксидные разрядники без зазоров для преобразовательных подстанций постоянного тока высокого напряжения.
  • EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Окисление металлов

  • GB/T 34869-2017 Металлооксидный варистор для защиты комплектов конденсаторных батарей последовательной компенсации
  • GB/T 32996-2016 Химический анализ поверхности. Анализ пленок оксидов металлов методом оптической эмиссионной спектрометрии тлеющего разряда.

Standard Association of Australia (SAA), Окисление металлов

  • AS 1307.2:1996(R2015)
  • AS 1307.2:1996 Ограничители перенапряжения - Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока

KR-KS, Окисление металлов

  • KS C IEC 60099-4-2019 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • KS C IEC 61643-331-A-2014 Компонент для низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • KS C IEC 60099-4-2021 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.

SE-SIS, Окисление металлов

  • MNC 60-1981 Ферросплавы, мета/с и оксиды - Легирующие материалы
  • MNC 60 E-1981 Ферросплавы, металлы и оксиды. Алюминиевые сплавы. Краткое описание

International Electrotechnical Commission (IEC), Окисление металлов

  • IEC 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
  • IEC 60099-4:1998 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 60099-4:2009 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 60099-4:2004 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 60099-9:2014 Ограничители перенапряжения. Часть 9. Металлооксидные разрядники без зазоров для преобразовательных подстанций постоянного тока высокого напряжения.
  • IEC 60099-4:2014 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
  • IEC 61643-331:2003 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • IEC 60099-4/AMD2:2001 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока; Поправка 2
  • IEC 60099-4:2004+AMD1:2006+AMD2:2009 CSV Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 60099-4:2004+AMD1:2006 CSV Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • IEC 60099-4:2004/AMD1:2006 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока; Поправка 1

Professional Standard - Railway, Окисление металлов

  • TB/T 1844-1987 Технические характеристики беззазорных разрядников из оксида металла для электрифицированных железных дорог переменного тока напряжением 25 кВ

Association Francaise de Normalisation, Окисление металлов

  • NF C65-101/A2:2009 Ограничители перенапряжения. Часть 4: Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • NF C80-203*NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET).
  • NF C96-051*NF EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
  • NF C65-100-4*NF EN 60099-4:2015 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • NF C65-101:2005 Ограничители перенапряжения. Часть 4: Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.
  • NF EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET)
  • NF EN 60099-4:2015 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без искровых разрядников для сетей переменного тока.
  • NF EN 60099-9:2015 Ограничители перенапряжения. Часть 9. Безискровые металлооксидные разрядники для преобразовательных подстанций постоянного тока высокого напряжения.
  • NF C61-743-331:2003 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331: спецификации для металлооксидных варисторов (MOV).
  • NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания движущихся ионов металлооксидно-полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
  • NF C65-100-9*NF EN 60099-9:2015 Ограничители перенапряжения. Часть 9: Металлооксидные разрядники без зазоров для преобразовательных подстанций постоянного тока высокого напряжения.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Окисление металлов

  • EN 60099-4:1993 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока

German Institute for Standardization, Окисление металлов

  • DIN EN 62373:2007 Испытание на температурную стабильность металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006); Немецкая версия EN 62373:2006.
  • DIN EN 61643-331:2004 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV) (IEC 61643-331:2003); Немецкая версия EN 61643-331:2003.
  • DIN EN 62373:2007-01 Испытание на температурную стабильность металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006); Немецкая версия EN 62373:2006.
  • DIN EN 62417:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.
  • DIN EN 60099-4:2010 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока (IEC 60099-4:2004, измененный + A1:2006 + A2:2009); Немецкая версия EN 60099-4:2004 + A1:2006 + A2:2009

AENOR, Окисление металлов

  • UNE-EN 61643-331:2004 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).

Danish Standards Foundation, Окисление металлов

  • DS/EN 61643-331:2007 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV).
  • DS/EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
  • DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
  • DS/EN 60099-4/A2:2009 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • DS/EN 60099-4/A1:2007 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • DS/EN 60099-4:2005 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Окисление металлов

  • ASTM F1153-92(1997) Стандартный метод испытаний для определения характеристик структур металл-оксид-кремний (МОП) путем измерения напряжения-емкости
  • ASTM E2864-13 Стандартный метод испытаний для измерения концентрации переносимых по воздуху наночастиц металлов и оксидов металлов на поверхности поверхности в камерах ингаляционного воздействия с использованием адсорбции газа криптона

CZ-CSN, Окисление металлов

  • CSN 70 0641 Cast.3-1976 Химический анализ стекла. Определение оксидов щелочных металлов. Пламенно-фотометрический метод (с использованием синтетических растворов)
  • CSN 65 1410-1961 Гидроксиды щелочные, ТУ на поставку

International Telecommunication Union (ITU), Окисление металлов

  • ITU-T K.77-2009 Характеристики металлооксидных варисторов для защиты телекоммуникационных установок 5-я Исследовательская комиссия
  • ITU-T K.77 CORR 1-2011 Характеристики металлооксидных варисторов для защиты телекоммуникационных установок Исправление 1

ES-UNE, Окисление металлов

  • UNE-EN 62373:2006 Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Одобрено AENOR в ноябре 2006 г.)
  • UNE-EN 60099-9:2014 Ограничители перенапряжения. Часть 9: Металлооксидные разрядники без зазоров для преобразовательных подстанций постоянного тока высокого напряжения (одобрено AENOR в январе 2015 г.)
  • UNE-EN 60099-4:2016 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока.
  • UNE-EN 62417:2010 Полупроводниковые устройства. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.).

ZA-SANS, Окисление металлов

  • SANS 60099-4:2007 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные разрядники без зазоров для систем переменного тока.

GM North America, Окисление металлов

  • GM GM6078M-1989 Твердопленочные смазочные покрытия на связке смолы MOS2 и PTFE

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Окисление металлов

  • JIS C 5381-331:2006 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331. Спецификации для металлооксидных варисторов (MOV)

NL-NEN, Окисление металлов

  • NEN 10099-4-1993 Ограничители перенапряжения. Часть 4. Металлооксидные ограничители перенапряжения без зазоров для систем переменного тока (IEC 99-4:1991).

Lithuanian Standards Office , Окисление металлов

  • LST EN 61643-331-2004 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 331: Спецификация для металлооксидных варисторов (MOV) (IEC 61643-331:2003)
  • LST EN 62373-2006 Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006)

Military Standards (MIL-STD), Окисление металлов

  • DOD A-A-51838-1987 АССОРТИМЕНТ ПОЛОСОК АБРАЗИВНЫХ СТОМАТОЛОГИЧЕСКИХ (ОКСИД АЛЮМИНИЯ, НА МЕТАЛЛ. ОСНОВЕ)




©2007-2023 ANTPEDIA, Все права защищены.