ZH
EN
ES

Много ли ионов Х-типа во вторичном масс-спектрометре?

Много ли ионов Х-типа во вторичном масс-спектрометре?, Всего: 5 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Много ли ионов Х-типа во вторичном масс-спектрометре?, являются: Аналитическая химия.

International Organization for Standardization (ISO), Много ли ионов Х-типа во вторичном масс-спектрометре?

ISO 17109:2022 Химический анализ поверхности. Профилирование по глубине. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Глубина распыления p
ISO 17109:2015 Химический анализ поверхности. Профилирование по глубине. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Профилирование глубины распыления с использованием однослойных и многослойных тонких пленок.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Много ли ионов Х-типа во вторичном масс-спектрометре?

GB/T 41064-2021 Химический анализ поверхности. Профилирование по глубине. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Профилирование глубины распыления с использованием однослойных и многослойных тонких пленок.

British Standards Institution (BSI), Много ли ионов Х-типа во вторичном масс-спектрометре?

BS ISO 17109:2015 Химический анализ поверхности. Глубинное профилирование. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и вторично-ионной масс-спектрометрии. Профилирование глубины распыления с использованием одно- и многослойных тонких пленок.
BS ISO 17109:2022 Химический анализ поверхности. Глубинное профилирование. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и вторично-ионной масс-спектрометрии, определение профиля глубины распыления с использованием одно- и многослойных тонких…