ZH
EN
ES

Инфракрасный полупиковый

Инфракрасный полупиковый, Всего: 63 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Инфракрасный полупиковый, являются: Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Полупроводниковые приборы, Полупроводниковые материалы, Черные металлы, Испытание металлов, Аналитическая химия, Неорганические химикаты, Электронные компоненты в целом, Оптическое оборудование.

Professional Standard - Electron, Инфракрасный полупиковый

SJ 2658.12-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пиковой длины волны излучения и полуширины спектра
SJ/T 2658.12-2015 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 12: Пиковая длина волны излучения и спектральная полоса излучения.
SJ 50033/41-1994 Подробная спецификация полупроводникового инфракрасного светодиода типа GR9414
SJ 2658.1-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Общие правила
SJ 3249.3-1989 Методы измерения концентрации хрома в полуизоляции Арсенид галлия по инфракрасному поглощению
SJ 2757-1987 Метод измерения инфракрасным отражением концентрации носителей заряда в сильнолегированных полупроводниках
SJ/T 2658.1-2015 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 1: Общие сведения
SJ/T 2658.4-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 4: Общая емкость.
SJ 20744-1999 Общие правила спектрального анализа инфракрасного поглощения на концентрацию примесей в полупроводниковых материалах
SJ 50033/110-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на инфракрасный светодиод типа GR9413.
SJ 53930/1-2002 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация инфракрасного диода типа GR8813
SJ 3249.2-1989 Методы измерения концентрации углерода в полуизоляционном монокристалле арсенида галлицема методом инфракрасного поглощения
SJ 2658.4-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения емкости
SJ/T 2658.2-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 2: Прямое напряжение
SJ/T 2658.5-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 5: Сопротивление последовательного соединения.
SJ/T 2658.6-2015 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 6: Мощность излучения.
SJ/T 2658.7-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 7: Лучистый поток
SJ/T 2658.8-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 8: Интенсивность излучения.
SJ/T 2658.10-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 10. Полоса модуляции.
SJ/T 2658.11-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 11: Время отклика
SJ 2658.2-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого падения напряжения
SJ 2658.3-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения обратного напряжения
SJ/T 2658.9-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 9. Пространственное распределение силы излучения и угла половинной интенсивности.
SJ 2658.7-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения лучистого потока
SJ 2658.10-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения модулированных широкополосных диодов
SJ 2658.9-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пространственного распределения интенсивности и угла половинной интенсивности излучения
SJ/T 2658.16-2016 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 16: Эффективность фотоэлектрического преобразования.
SJ 2658.6-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения выходной оптической мощности
SJ 2658.8-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения нормальной яркости
SJ 2658.5-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого последовательного сопротивления
SJ 2658.11-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения импульсных характеристик
SJ/T 2658.13-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 13: Температурный коэффициент мощности излучения.
SJ/T 11067-1996 Обычно используемая терминология для полупроводниковых фотоэлектрических материалов и пироэлектрических материалов в материалах для обнаружения инфракрасного излучения.
SJ/T 2658.3-2015 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 3: Обратное напряжение и обратный ток.
SJ 2658.13-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения температурного коэффициента выходной оптической мощности

Yunnan Provincial Standard of the People's Republic of China, Инфракрасный полупиковый

DB5306/T 28-2019 Стандарт внешнего вида сливы Суйцзян Бяньбанхун

RU-GOST R, Инфракрасный полупиковый

GOST 23448-1979 Полупроводниковые инфракрасные диоды. Основные размеры
GOST 19834.4-1979 Полупроводниковые излучающие инфракрасные диоды. Методы измерения мощности излучения
GOST 19834.5-1980 Полупроводниковые диоды, излучающие инфракрасное излучение. Метод измерения времени переключения импульсов излучения

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Инфракрасный полупиковый

GJB 33/15-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводникового инфракрасного диода типа ВТ401.

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Инфракрасный полупиковый

JEDEC JEP78-1969 Относительные кривые спектрального отклика полупроводниковых инфракрасных детекторов

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Инфракрасный полупиковый

KS D ISO 15349-1-2005(2015) Нелегированная сталь – Определение низкого содержания углерода – Часть 1: Метод инфракрасной абсорбции после сжигания в электрической печи сопротивления (путем разделения пиков)
KS D 2717-2008(2018) Оценка соотношения металл/полупроводник в саже одностенных углеродных нанотрубок с использованием УФ-ВИД-БИК-спектроскопии поглощения

工业和信息化部, Инфракрасный полупиковый

SJ/T 2658.15-2016 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 15. Термическое сопротивление
SJ/T 2658.14-2016 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 14. Температура перехода.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Инфракрасный полупиковый

GB/T 19199-2015 Методы определения концентрации акцепторов углерода в полуизолирующих монокристаллах арсенида галлия методом инфракрасной абсорбционной спектроскопии
GB/T 19199-2003 Метод определения концентрации углерода полуизолирующего монокристаллического арсенида галлия методом измерения инфракрасного поглощения
GB/T 17170-2015 Метод определения концентрации глубоких доноров EL2 в полуизолирующих монокристаллах арсенида галлия методом инфракрасной абсорбционной спектроскопии
GB/T 29856-2013 Характеристика полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок с использованием ближней инфракрасной фотолюминесцентной спектроскопии
GB/T 17170-1997 Метод определения концентрации EL2 на глубоком уровне нелегированного полуизолирующего монокристаллического арсенида галлия методом измерения инфракрасного поглощения

RO-ASRO, Инфракрасный полупиковый

STAS 12258/6-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ ЭММ-ДИОДЫ Терминология и существенные характеристики

German Institute for Standardization, Инфракрасный полупиковый

DIN 50437:1979 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; измерение толщины эпитаксиального слоя кремния методом инфракрасной интерференции
DIN 50449-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 2. Бор в арсениде галлия.
DIN 50438-2:1982 Испытание материалов для полупроводниковой техники; определение содержания примесей в кремнии методом инфракрасного поглощения; углерод
DIN 50449-1:1997 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 1. Углерод в арсениде галлия.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Инфракрасный полупиковый

JIS G 1211-4 AMD 1:2013 Железо и сталь.Определение содержания углерода.Часть 4. Метод инфракрасного поглощения после сжигания в печи с предварительным подогревом или разделением пиков (Поправка 1)
JIS G 1211-4 AMD 2:2017 Железо и сталь. Определение содержания углерода. Часть 4. Метод поглощения инфракрасного излучения после сжигания в печи с предварительным подогревом или разделением пиков (поправка 2)
JIS G 1211-4:2011 Железо и сталь. Определение содержания углерода. Часть 4. Метод инфракрасного поглощения после сжигания в печи с предварительным подогревом или разделением пиков.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Инфракрасный полупиковый

ASTM E1791-96(2000) Стандартная практика для стандартов передачи коэффициента отражения для приборов ближнего инфракрасного диапазона, использующих полусферическую геометрию
ASTM E1791-96(2008)e1 Стандартная практика для стандартов передачи коэффициента отражения для приборов ближнего инфракрасного диапазона, использующих полусферическую геометрию
ASTM E1791-96(2021) Стандартная практика для стандартов передачи коэффициента отражения для приборов ближнего инфракрасного диапазона, использующих полусферическую геометрию
ASTM E1791-96(2014) Стандартная практика для стандартов передачи коэффициента отражения для приборов ближнего инфракрасного диапазона, использующих полусферическую геометрию

European Committee for Standardization (CEN), Инфракрасный полупиковый

CWA 17857:2022 Система адаптеров на основе линз для соединения оптоволокна с инфракрасными полупроводниковыми лазерами