ZH
EN
ES

Обнаружение кристаллического кремния

Обнаружение кристаллического кремния, Всего: 55 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Обнаружение кристаллического кремния, являются: Интегральные схемы. Микроэлектроника, Цветные металлы, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Изоляционные жидкости, Полупроводниковые материалы, Солнечная энергетика, Испытание металлов, Профессиональная безопасность. Промышленная гигиена, Стекло.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Обнаружение кристаллического кремния

JIS H 0609:1999 Методы контроля кристаллических дефектов кремния методами избирательного травления
JIS H 0602:1995 Метод испытания удельного сопротивления кристаллов и кремниевых пластин четырехточечным зондом

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Обнаружение кристаллического кремния

KS C 0256-2002(2017) Метод испытания удельного сопротивления кристаллов и кремниевых пластин четырехточечным зондом
KS C 0256-2002(2022) Метод испытания удельного сопротивления кристаллов и кремниевых пластин четырехточечным зондом
KS D 0258-2012 Методы контроля кристаллических дефектов кремния методами избирательного травления
KS C IEC/TS 62804-1-2016(2021) Фотоэлектрические (PV) модули. Методы испытаний для обнаружения потенциально-индуцированной деградации. Часть 1. Кристаллический кремний.
KS C IEC/TS 62804-1:2016 Фотоэлектрические (PV) модули. Методы испытаний для обнаружения потенциально-индуцированной деградации. Часть 1. Кристаллический кремний.
KS C IEC 61829-2016(2021) Фотоэлектрическая (PV) матрица из кристаллического кремния. Измерение ВАХ на месте.
KS C IEC 61829:2005 Фотоэлектрическая (PV) матрица из кристаллического кремния. Измерение ВАХ на месте.
KS C IEC 61829:2016 Фотоэлектрическая (PV) матрица из кристаллического кремния. Измерение ВАХ на месте.
KS D 0258-2012(2022) Методы контроля кристаллических дефектов кремния методами избирательного травления

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Обнаружение кристаллического кремния

GB/T 14142-1993 Метод испытаний поверхностного сопротивления эпитаксиальных, диффузных и ионно-имплантированных слоев кремния с использованием коллинеарной четырехзондовой установки
GB/T 26066-2010 Практика обнаружения неглубоких ямок травления на кремнии
GB/T 1554-1995 Метод испытания кристаллографического совершенства кремния методами преимущественного травления
GB/T 1554-2009 Метод испытания кристаллографического совершенства кремния методами избирательного травления
GB/T 18210-2000 Фотоэлектрическая (PV) матрица из кристаллического кремния. Измерение ВАХ на месте.
GB/T 1557-1989 Способ определения содержания межузельного кислорода в кремнии по инфракрасному поглощению
GB/T 1557-2006 Способ определения содержания межузельного кислорода в кремнии по инфракрасному поглощению

British Standards Institution (BSI), Обнаружение кристаллического кремния

BS PD IEC/TS 62804-1:2015 Фотоэлектрические (PV) модули. Методы испытаний для обнаружения потенциально вызванной деградации. Кристаллический кремний
PD IEC/TS 62804-1:2015 Фотоэлектрические (PV) модули. Методы испытаний для обнаружения потенциально вызванной деградации. Кристаллический кремний
BS EN IEC 63202-1:2019 Фотоэлектрические элементы. Измерение вызванной светом деградации фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Обнаружение кристаллического кремния

GB/T 37051-2018 Метод испытаний для определения плотности кристаллических дефектов в слитках и пластинах фотоэлектрического кремния
GB/T 1557-2018 Метод испытаний для определения содержания межузельного кислорода в кремнии методом инфракрасного поглощения

Group Standards of the People's Republic of China, Обнаружение кристаллического кремния

T/IMAS 020-2020 Спецификация испытаний наземных солнечных элементов из кристаллического кремния
T/IMAS 019-2020 Спецификация испытаний модулей наземных солнечных батарей из кристаллического кремния
T/CNIA 0018-2019 Эксплуатационные условия проведения ограниченного контроля пожарной безопасности на заводах поликремния
T/CSTM 00465-2022 Метод испытания влажно-тепловой деградации фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния
T/CPIA 0020-2020 Метод электролюминесцентного испытания фотоэлектрических элементов из кристаллического кремния
T/CEC 536-2021 Метод последовательных испытаний фотоэлектрических модулей на основе кристаллического кремния

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Обнаружение кристаллического кремния

DB61/T 515-2011 Правила проверки фотоэлектрических модулей из кристаллического кремния для наземного использования
DB61/T 513-2011 Правила проверки солнечных элементов из кристаллического кремния для наземного использования
DB61/T 514-2011 Правила проверки сырья для наземных фотоэлектрических модулей из кристаллического кремния

German Institute for Standardization, Обнаружение кристаллического кремния

DIN 50443-1:1988 Испытание материалов для использования в полупроводниковой технике; обнаружение кристаллических дефектов и неоднородностей в монокристаллах кремния методом рентгеновской топографии
DIN 50434:1986 Испытание материалов для полупроводниковой техники; обнаружение кристаллических дефектов в монокристаллическом кремнии методами травления на поверхностях {111} и {100}
DIN V VDE V 0126-18-3:2007 Солнечные пластины. Часть 3. Повреждение пластин кристаллического кремния щелочной коррозией. Метод определения скорости коррозии пластин моно- и мультикристаллического кремния (в виде разреза).
DIN 50453-1:1990 Испытание материалов для полупроводниковой техники; определение скоростей травления травильных смесей; монокристаллы кремния; гравиметрический метод

Association Francaise de Normalisation, Обнаружение кристаллического кремния

NF C57-203*NF EN 50513:2009 Солнечные пластины — технический паспорт и информация о пластинах кристаллического кремния для производства солнечных элементов.

KR-KS, Обнаружение кристаллического кремния

KS C IEC/TS 62804-1-2016 Фотоэлектрические (PV) модули. Методы испытаний для обнаружения потенциально-индуцированной деградации. Часть 1. Кристаллический кремний.
KS C IEC 61829-2016 Фотоэлектрическая (PV) матрица из кристаллического кремния. Измерение ВАХ на месте.

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Обнаружение кристаллического кремния

GB/T 14142-2017 Метод испытаний кристаллографического совершенства эпитаксиальных слоев кремния — метод травления

Inner Mongolia Provincial Standard of the People's Republic of China, Обнаружение кристаллического кремния

DB15/T 1346-2018 Спецификация для проверки модулей солнечных батарей из кристаллического кремния для наземного использования

International Electrotechnical Commission (IEC), Обнаружение кристаллического кремния

IEC TS 62804-1:2015 Фотоэлектрические (PV) модули. Методы испытаний для обнаружения потенциально-индуцированной деградации. Часть 1. Кристаллический кремний
IEC TS 62804-1-1:2020 Фотоэлектрические (PV) модули. Методы испытаний для обнаружения потенциально-индуцированной деградации. Часть 1-1. Кристаллический кремний. Расслаивание
IEC 61829:1995 Фотоэлектрическая (ФЭ) матрица из кристаллического кремния. Измерение ВАХ на месте.

Professional Standard - Electron, Обнаружение кристаллического кремния

SJ/T 11500-2015 Метод испытаний для измерения кристаллографической ориентации монокристаллического карбида кремния
SJ/T 11501-2015 Метод испытаний для определения типа кристалла монокристаллического карбида кремния

YU-JUS, Обнаружение кристаллического кремния

JUS A.A4.303-1990 Табличные схемы характеристик изделий для транзисторов и тиристоров

Danish Standards Foundation, Обнаружение кристаллического кремния

DS/EN 61829:1999 Фотоэлектрическая (ФЭ) матрица из кристаллического кремния. Измерение ВАХ на месте.

Qinghai Provincial Standard of the People's Republic of China, Обнаружение кристаллического кремния

DB63/T 1781-2020 Технические условия на обнаружение рецессивных дефектов модулей солнечных батарей из кристаллического кремния на электростанциях

Xinjiang Provincial Standard of the People's Republic of China, Обнаружение кристаллического кремния

DB65/T 3486-2013 Метод инфракрасной дефектоскопии блока поликремния солнечного качества

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Обнаружение кристаллического кремния

EN 61829:2016 Фотоэлектрическая (PV) батарея – измерение вольт-амперных характеристик на месте

RU-GOST R, Обнаружение кристаллического кремния

GOST 9553-1974 Кварцевое стекло и стеклокристаллические материалы. Определение плотности
GOST R IEC 61829-2013 Кристаллические кремниевые фотоэлектрические батареи. Измерение IV характеристик на месте

GOSTR, Обнаружение кристаллического кремния

GOST 9553-2017 Стекло и стеклянные изделия. Метод определения плотности

HU-MSZT, Обнаружение кристаллического кремния

MSZ KGST 1568-1979 Определение скорости роста кристаллов сосуда из боросиликатного стекла 3,3.