K46 电力半导体器件、部件 标准查询与下载
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이 규격은 100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 정류 다이오드(애벌란시 정류 다이오드 포
Semiconductor devices－Discrete devices－Part 2：Rectifier diodes－Section one：Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche rectifier diodes),ambient and case-rated, up to 100 A
- ICS
- 31.080.10;31.080
- CCS
- K46
- 发布
- 2006-12-11
- 实施
- 2006-12-11
이 규격은 고주파 증폭용 케이스 정격 바이폴러 트랜지스터 개별 규격 지침에 대하여 규정한다
Semiconductor devices－Discrete devices－Part 7：Bipolar transistors－Section Four：Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification
- ICS
- 31.080.30
- CCS
- K46
- 发布
- 2006-12-11
- 实施
- 2006-12-11
이 규격은 스위칭용 바이폴러 트랜지스터 개별 규격 지침에 대하여 규정한다.
Semiconductor devices－Discrete devices－Part 7：Bipolar transistors－Section three：Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications
- ICS
- 31.080.30
- CCS
- K46
- 发布
- 2006-12-11
- 实施
- 2006-12-11
이 규격은 저주파 증폭용 케이스 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침에 대하여 규정한
Semiconductor devices－Discrete devices－Part 7：Bipolar transistors－Section Two：Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplification
- ICS
- 31.080.30
- CCS
- K46
- 发布
- 2006-12-11
- 实施
- 2006-12-11
이 규격은 고주파, 저주파 증폭용 주위 정격 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침에 대하여
Semiconductor devices－Discrete devices－Part 7：Bipolar transistors－Section One：Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high-frequency amplification
- ICS
- 31.080.30
- CCS
- K46
- 发布
- 2006-12-11
- 实施
- 2006-12-11
이 규격은 반도체 소자 중 다음과 같은 바이폴러 트랜지스터에 대한 표준을 제공한다.-저
Semiconductor devices－Discrete devices－Part 7：Bipolar transistors
- ICS
- 31.080.30
- CCS
- K46
- 发布
- 2006-12-11
- 实施
- 2006-12-11
이 규격은 100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터 개별 규격
Semiconductor devices－Discrete devices－Part 6：Thyristors－Section three：Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A
- ICS
- CCS
- K46
- 发布
- 2006-12-11
- 实施
- 2006-12-11
이 규격은 100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격
Semiconductor devices－Discrete devices－Part 6：Thyristors－Section one：Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient or case-rated, up to 100 A
- ICS
- 31.080.20
- CCS
- K46
- 发布
- 2006-12-11
- 实施
- 2006-12-11
이 규격은 다음과 같은 반도체 개별 소자에 관한 표준을 규정한다.-가변 커패시턴스 다이
Semiconductor devices－Discrete devices－Part 4：Microwave diodes and transistors
- ICS
- 31.080.10;31.080.30;31.080.99
- CCS
- K46
- 发布
- 2006-12-11
- 实施
- 2006-12-11
이 규격은 반도체 소자 중 다음과 같은 정류 다이오드에 관한 표준을 제공한다.-애벌란시
Semiconductor devices－Discrete devices and integrated circuits－Part 2：Rectifier diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- K46
- 发布
- 2006-12-11
- 实施
- 2006-12-11
이 규격은 신호 다이오드, 스위칭 다이오드 및 제어 애벌란시 다이오드의 개별 규격 지침에
Semiconductor devices－Discrete devices－Part 3：Signal (including switching) and regulator diodes－Section one：Blank detail specification for signal diodes, switching diodes and controlled-avalanche diodes
- ICS
- 31.080.10
- CCS
- K46
- 发布
- 2006-12-11
- 实施
- 2006-12-11
本标准规定了火电厂风机水泵用高压变频器的技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输与贮存。 本标准适用于火电厂风机水泵类负载的高压交流变频调速系统或类似负载的高压交流变频调速系统的制造和安装，本标准不适用改变频率和电压来控制交流高压电动机速度以外的高压变频器。 本标准包含的高压变频器额定输出电压范围为交流1kV～10kV，输出电压为交流0kV～10kV；额定输入功率为50Hz或60Hz、输出频率为0Hz～50/60Hz。
High voltage variable frequency drive used in draft fan and pump of power plant
- ICS
- 29.240.99
- CCS
- K46
- 发布
- 2006-05-06
- 实施
- 2006-10-01
Applies to the use of electronic equipment (EE) in power installations where a uniform technical level with respect to safety and reliability is necessary.
Electronic equipment for use in power installations
- ICS
- 31.020
- CCS
- K46
- 发布
- 2005-10-07
- 实施
이 규격은 10 mm 이하의 방출 지름을 가지는 LED 광원의 광도, 광속 및 수명의 성능
Standard of measuring the performance of light emitting diodes
- ICS
- 31.12
- CCS
- K46
- 发布
- 2005-07-29
- 实施
- 2005-07-29
이 규격은 OLED 모듈의 필수 정격 및 특성을 기술한다.
Organic Light Emitting Diode(OLED) display－Essential ratings and characteristics
- ICS
- 31.120
- CCS
- K46
- 发布
- 2005-06-30
- 实施
- 2005-06-30
本标准规定了电力半导体器件用门极组合件的型号、尺寸、技术要求、检验规则和包装、运输、贮存、标志等要求。 本标准适用于电力半导体器件用门极组合件(以下称组合件)。
Components of gate terminal for power semiconductor devices
- ICS
- 31.220.01
- CCS
- K46
- 发布
- 2005-03-19
- 实施
- 2005-09-01
本标准规定了电力半导体器件用管壳瓷件(以下简称瓷件)的型号、尺寸、技术要求、检验规则、标志和包装等。 本标准适用于电力半导体器件的平板形管壳和KL16型以上螺栓形管壳的瓷件。
Ceramic parts of case for power semiconductor devices
- ICS
- 31.220.99
- CCS
- K46
- 发布
- 2005-03-19
- 实施
- 2005-09-01
本标准规定了电力半导体器件用管芯定位环的型号、尺寸、技术要求、检验规则和包装、运输、贮存、标志等要求。 本标准适用于电力半导体器件用管芯定位环(以下简称定位环)。
Rings of dies of semiconductor devices
- ICS
- 31.220.01
- CCS
- K46
- 发布
- 2005-03-19
- 实施
- 2005-09-01
本标准规定了电力半导体器件用接插件的型号、尺寸、技术要求、检验规则和包装、运输、贮存、标志等要求。 本标准适用于电力半导体器件辅助阴极和门极用接插件。
Connectors for power semiconductor devices
- ICS
- 31.220.10
- CCS
- K46
- 发布
- 2005-03-19
- 实施
- 2005-09-01
이 규격은 인터페이스용 집적 회로의 다음 범주 또는 하위 범주에 관한 요건을 제시한다.
Semiconductor devices－Integrated circuits－Part 4：Interface integrated circuits
- ICS
- 31.200
- CCS
- K46
- 发布
- 2004-11-30
- 实施
- 2004-11-30
