L 40 标准查询与下载
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GaN HEMT RF device trap effect test method
- ICS
- 31.08
- CCS
- L 40
- 发布
- 2023-05-06
- 实施
- 2023-06-06
Rapid defect screening method for GaN HEMT RF power devices based on high temperature reverse bias test
- ICS
- 31.08
- CCS
- L 40
- 发布
- 2023-05-06
- 实施
- 2023-06-06
本文件规定了大功率半导体分立器件（以下简称器件）间歇寿命试验的术语和定义、试验系统、试 验程序、失效判据及试验报告的要求。 本文件适用于大功率双极型晶体管、场效应晶体管、绝缘栅场效应晶体管、二极管等半导体分立器 件的间歇寿命试验。
Intermittent life test procedures for high-power semiconductor discrete devices
- ICS
- 31.08
- CCS
- L 40
- 发布
- 2021-03-22
- 实施
- 2021-04-22
Transient test method for junction-case thermal resistance of semiconductor devices
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L 40
- 发布
- 2016-04-01
- 实施
- 2016-10-01
Semiconductor Current Regulator
- ICS
- 31.080.01
- CCS
- L 40
- 发布
- 2013-10-16
- 实施
- 2013-12-01
