共找到 227 条与 半导体发光器件 相关的标准,共 16 页
本空白详细规范是SJ/T 10729-1996《交流粉末电致发光玻璃显示器件总规范》的补充性文件,它规定了详细规范所采用的格式和包括的内容。
Blank detail specification for a.c.powder electro luminescent display devices
この規格は,光源として使用する光伝送用半導体レーザ〔電子回路内蔵型を除く。ただし.必要に応じモニタ用フォトダィオードを含む。以下,半導体レーザという。)の測定方法について規定する。
Measuring methods of laser diodes for fiber optic transmission
この規格は,光源として使用する光伝送用半導体レーザ(電子回路内蔵形を除く。以下,半導体レーザという。)の用語,分類,最大定格,性能などの一般的共通事項について規定する。
General rules of laser diodes for fiber optic transmission
この規格は,光源として使用する再生及び記録用半導体レーザ〔電子回路内蔵形及び光学素子内蔵形を除く。以下,半導体レーザという。)の用語,記号.分類,最大定格,性能などの一般的共通事項について規定する。
General rules of laser diodes used for recording and playback
この規格は,光源として使用する光伝送用発光ダィオード(電子回路内蔵形を除く。以下,発光ダイオードという。)の用語.記号.分類.最大定格,性能などの一般的共通事項について規定する。
General rules of light emitting diodes for fiber optic transmission
この規格は,光源として使用する光伝送用発光ダィオード(電子回路内蔵形を除く。以下,発光グイオードという。)の測定方法について規定する。
Measuring methods of light emitting diodes for fiber optic transmission
この規格は,光源として使用する再生及び記録用半導体レーザ(電子回路内蔵形を除く。以下,半導体レーザという。)の測定方法について規定する。
Measuring methods of laser diodes used for recording and playback
本标准规定了厚度为0.4~2.0mm的半绝缘砷化镓晶片中碳、EL2、铬和硅浓度的微区测量方法。 本标准适用于半绝缘砷化镓晶片中主要剩余杂质碳、EL2、铬和硅浓度的测定。
Test method for residual impurities concentration in microzone of semi-insulating gallium arsenide
Semiconductor optoelectronic devices.Detail specification for red light emitting diode for type GF116
Semiconductor devices - Part 12-5: Optoelectronic devices - Blank detail specification of pin-photodiodes with/without pigtail, for fibre optic systems or subsystems
The following details shall be specified t hine applicable procurement document
Steady-State Temperature Humidity Bias Life Test
Specifies quality assessment procedures,test methods and terminology required in the preparation of detailed specifications for optoelectronic and liquid crystal devices.
Harmonized system of quality assessment for electronic components. General specification: semiconductor optoelectronic and liquid crystal devices
Semiconductor optoelectronic devices.Delail specification for type GT16 Si.NPN phototransistor
本规范规定了交流粉末电致发光玻璃显示器件的通用要求和质量评定的程序。并给出了光电参数、机械、环境和耐久性的测试及试验方法。 本规范适用于交流粉末电致发光玻璃显示器件,本规范由空白详细规范进一步补充。
General specification for a.c.powder electro luminescent glass display devices
Semiconductor optoelectronic devices.Detail specification for o/G double colour light emitting diode for type GF511
Specification for Cadmium-Zine Telluride Slice for use Mercury-Cadmium Telluride film
Semiconductor optoelectronic device Detail specification for green light emitting diode for type GF413
Detail specification for type GH30 semiconductor high speed optocoupler
The document contains the document CECC 20001, which is a blank detail specification within the CECC-quality assessment system for electronic components.#,,#
Blank detail specification: light emitting diodes, light emitting diode arrays, light emitting diode displays without internal logic and resistor; German version EN 120001:1992
The EM1 control program exists like an insurance policy, to replace unknown (and potentially large) program performance, schedule and budget impacts with a predictable level of effort which may be factored into the cost and schedule of the program. I
Historical Rationale for Military EMI Limits Best Copy Available
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