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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜
上一篇 / 下一篇 2021-03-09 15:37:29/ 个人分类：离子源
河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜.
伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:
型号 | RFICP140 |
Discharge | RFICP 射频 |
离子束流 | >600 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 14 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 5-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 24.6 cm |
直径 | 24.6 cm |
中和器 | LFN 2000 |
试验采用射频（RF）磁控溅射沉积方法, 在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.
结果表明:
实验所获样品 IGZO 薄膜为非晶态, 薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm, 根据光学性能测试结果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光区有较强吸收, 在 400～900nm 的可见光波段的透过率为75％～97％.
相比传统的有以下优点：
更小的晶体尺寸, 设备更轻薄；全透明, 对可见光不敏感, 能够大大增加元件的开口率, 提高亮度, 降低功耗的电子迁移率大约为, 比传统材料进步非常明显, 面板比传统面板有了全面的提升.
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