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消磁机技术

半导体所等关于磁性半导体(ga,mn)as的研究获得进展

最近,《纳米快报》杂志报道了中科院半导体研究所超晶格室赵建华研究员和博士生陈林将磁性半导体(ga,mn)as居里温度提高到200k的研究成果,此项工作是与杨富华研究组以及美国佛罗里达州立大学stephan von molnár教授和熊鹏教授研究组合作完成的。 (ga,mn)as兼具半导体和磁性材料的特征,过去十余年中受到了高度关注,已经成为磁性半导体大家族中的代表性材料,但是较低的居里温度限制了其实际应用。2009年,赵建华研究组曾利用重mn掺杂的方法获得了居里温度为191k的(ga,mn)as薄膜,这是当时的国际最高纪录,相关结果发表在appl. phys. lett. vol 95, 182505, (2009)。 最近,他们又采用重mn掺杂和微纳加工相结合的办法,将居里温度为180k的 (ga,mn)as薄膜加工成纳米尺寸条状结构,再通过低温退火将其居里温......

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消磁机-仪器信息

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