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伯东公司供应KRI 霍尔离子源 eH 400

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参考报价: 面议 型号: eH 400
品牌: Atonarp 产地: 美国
关注度: 10 信息完整度:
样本: 典型用户: 暂无
供应商性质总代理产地类别进口
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发布时间:2023年03月

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准

KRI 霍尔离子源 eH 400

美国 KRI 霍尔离子源 eH 400
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 3.7“  高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

KRI 霍尔离子源 eH 400 特性
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统
• 高效的等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:

型号

eH 400 / eH 400 LEHO

供电

DC magnetic confinement

  - 电压

40-300 V VDC

 - 离子源直径

~ 4 cm

 - 阳极结构

模块化

电源控制

eHx-3005A

配置

-

  - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

  - 阳极

标准或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移动或快接法兰

  - 高度

3.0'

  - 直径

3.7'

  - 加工材料

金属
电介质
半导体

  - 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安装距离

6-30”

  - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:
• 离子辅助镀膜 IAD
• 预清洁 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源 Gridded 和霍尔离子源 Gridless. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射沉积 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源 (离子枪) 中国总代理.

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn                    www.hakuto-vacuum.com.tw

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注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途

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