400-6699-117转1000
您好,欢迎您查看分析测试百科网,请问有什么帮助您的?
参考报价: | 面议 | 型号: | KRI |
品牌: | 考夫曼kri离子源 | 产地: | 美国 |
关注度: | 暂无 | 信息完整度: | |
样本: | 典型用户: | 暂无 | |
供应商性质 | 区域代理 | 产地类别 | 进口 |
400-6699-117转1000
发布时间:2023年09月
KRi 离子源常见工艺应用
通过使用上海伯东美国 KRi 离子源可以对材料进行加工, 真空环境下, 实现沉积薄膜, 干式蚀刻和材料表面改性等工艺.
工艺应用 | 简称 |
In-situ substrate preclean 预清洁 | PC |
Ion-beam modification of material and surface properties | IBSM |
- Surface polishing or smoothing 表面抛光 | |
- Surface nanostructures and texturing | |
- Ion figuring and enhancement 离子计算和增强 | |
- Ion trimming and tuning 离子修整和调谐 | |
- Surface-activated bonding 表面激活键合 | SAB |
Ion-beam-assisted deposition 辅助镀膜 | IBAD |
Ion-beam etching 离子蚀刻 | IBE |
- Reactive ion-beam etching 活性离子束蚀刻 | RIBE |
- Chemically assisted ion-beam etching 化学辅助离子束蚀刻 | CAIBE |
Ion-beam sputter deposition 离子溅射 | IBSD |
- Reactive ion-beam sputter deposition 反应离子溅射 | RIBSD |
- Biased target ion-beam sputter deposition | BTIBSD |
Direct deposition 直接沉积 | DD |
- Hard and functional coatings |
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi考夫曼公司离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:
上海伯东: 罗女士 台湾伯东: 王女士
T: +86-21-5046-3511 ext 108 T: +886-03-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-03-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
上海伯东版权所有, 翻拷必究!
美国 KRi 离子源常见工艺应用信息由伯东贸易(深圳)有限公司为您提供,如您想了解更多关于美国 KRi 离子源常见工艺应用报价、型号、参数等信息,欢迎来电或留言咨询。
注:该产品未在中华人民共和国食品药品监督管理部门申请医疗器械注册和备案,不可用于临床诊断或治疗等相关用途