日本国立材料研究所Michiko YOSHITAKE访问新能源所

2010-11-05 12:00 来源: 中国科学院
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  应新能源技术研究所的邀请,日本国立材料研究所(NIMS)Michiko YOSHITAKE高级研究员于10月29日访问新能源所,为新能源所的师生员工分别做了题为Vacuum technology and surface analysis和Interface characterization of a MOS structure by biased X-ray photoelectron spectroscopy的精彩学术报告,并与30余位科研人员和研究生进行了交流。

  在第一场报告中,Michiko YOSHITAKE高级研究员详细介绍了真空技术,薄膜制备技术以及真空分析技术;第二场报告则详细说明如何运用XPS分析表征金属氧化物半导体(MOS)的界面。这两场报告内容生动丰富,引起了在座科研人员和研究生的热烈讨论。

  Michiko YOSHITAKE1987年毕业于日本东京大学,并获得博士学位。她的研究涉及电子设备、传感器和催化领域中金属/超薄氧化铝/金属结构的合成,利用多重技术表面和表面势能以及人工修饰表面分子吸附等。目前已发表期刊论文,综述文章150余篇,并于2008年获得Ohm奖。