光谱应用在激发光能量不是非常大的情况下,PL测试是一种无损的测试方法,可以快速、便捷地表征半导体材料的缺陷、杂质以及材料的发光性能。1、组分测定;对三元系或四元系合金,如InxGa1-xN等,通过PL峰位确定半导体材料的禁带宽度,进而确定材料组分x。2、杂质识别;通过光谱中的特征谱线位置,可以识别材料中的杂质元素。3、杂质浓度测定。4、变温Pl可以测试材料/器件的发光效率。...
将文献中EgGaInP =1.91eV[2]以及表1中的带隙值到公式(2)可得到黄色和红色LED的x值分别为0.30和0.10。表1. 四种LED的发射波长,带隙以及组成结论FS5光谱仪通过耦合电致发光附件成功测试了4种III-V LEDs的发光性能。FS5软件可根据电致发光光谱中的发射峰位置以及半高宽计算LED的色度坐标。此外,通过发射波长也可计算得到半导体带隙以及组成。...
ZnO和GaN同为稳定的六角纤锌矿结构,室温下的禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60meV,即使在室温甚至高于室温下也能实现高效的激子发射。因而,ZnO成为制备紫外发光器件(LEDs)、紫外激光器(LDs)等短波长光发射器件的主要候选材料。...
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,拥有优良的光电性质,化学性质非常稳定,可在高温、酸碱、辐射环境下使用,并且禁带宽度大,因此在大功率的电子器件方面颇具吸引力,已引起了国内外众多研究者的兴趣。...
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