SJ 3249.2-1989
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法已作废

Methods of measurement for Carbon concentration of semi-insulation Gallicem arsenide single crystal by infra-red absorption

SJ 3249.2-1989 发布历史

本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳含量的红外吸收测量原理，仪器设备，样品制备，测量步骤，结果计算和精度。 本标准适用于测定半绝缘砷化镓单晶中替位碳含量，其最低检测限为4.0×10^(14)cm^(-3)

SJ 3249.2-1989由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 1989-03-25，并于 1989-03-25 实施，于 2010-02-25 废止。

SJ 3249.2-1989 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。

SJ 3249.2-1989的历代版本如下：

• 1989年03月25日 SJ 3249.2-1989 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法

标准号

SJ 3249.2-1989

发布日期

1989年03月25日

实施日期

1989年03月25日

废止日期

2010-02-25

中国标准分类号

H83

国际标准分类号

29.045

发布单位

CN-SJ

适用范围

本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳含量的红外吸收测量原理，仪器设备，样品制备，测量步骤，结果计算和精度。 本标准适用于测定半绝缘砷化镓单晶中替位碳含量，其最低检测限为4.0×10^(14)cm^(-3)

SJ 3249.2-1989 中可能用到的仪器设备