SJ 3249.2-1989
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
Methods of measurement for Carbon concentration of semi-insulation Gallicem arsenide single crystal by infra-red absorption
2010-02
- 标准号
- SJ 3249.2-1989
- 发布
- 1989年
- 发布单位
- 行业标准-电子
- 当前最新
- SJ 3249.2-1989
- 适用范围
- 本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳含量的红外吸收测量原理，仪器设备，样品制备，测量步骤，结果计算和精度。 本标准适用于测定半绝缘砷化镓单晶中替位碳含量，其最低检测限为4.0×10^(14)cm^(-3)
SJ 3249.2-1989相似标准
推荐
浅析适用于射频微波等高频电路的半导体材料及工艺 -1
这种通过高温退火工艺所制备的半绝缘晶片既保持了传统原生掺铁衬底的高阻特性，同时铁浓度大幅降低，电学性质、均匀性和一致性显著提高。目前半绝缘类型 InP 衬底的生产质量亟待改善和提高。 原生半绝缘 InP 是通过在单晶生长过程中掺入铁原子来制备的。为了达到半绝缘化的目的，铁原子的掺杂浓度较高，高浓度的铁很可能会随着外延及器件工艺过程发生扩散。...
砷化镓材料的研究进展
砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。...