本标准规定了半绝缘砷化镓中铬浓度的红外吸收测量原理、仪器设备、测量步骤、结果计算和精度等。 本标准适用于掺铬水平法生长半绝缘砷化镓中Cr浓度的测定,适于样品厚度2~4mm。不适于铬浓度大于1.5×10^(17)cm^(-3)的试样。
SJ 3249.3-1989由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 1989-03-20,并于 1989-03-25 实施。
SJ 3249.3-1989 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
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