同时,与目前常用的磁控溅射法制备的ZnO:V薄膜相比,采用该研究提出的方法能使薄膜成分分布更加均匀,且掺杂更加充分,因此能更大程度地提高薄膜的压电性能(目前已有的研究成果中,磁控溅射掺钒氧化锌压电薄膜的压电系数最高为170pm/V)。...
“关于压电薄膜的研究有着悠久的历史,但基于硬式基质的薄膜存在着来自基质的局限性。”论文作者之一、宾夕法尼亚大学教授Thomas N. Jackson介绍说,最新研究为研制减少对基质依赖性的薄膜压电材料打开了新领域。 研究人员在拥有氧化锌释放层的硅衬底上生长出多晶PZT薄膜。他们还在衬底上添加了一薄层聚酰亚胺,并在随后利用醋酸腐蚀掉氧化锌,从而将拥有聚亚胺层的1微米厚PZT薄膜从硅衬底中释放出来。...
经过十多年持续的攻关研究,人们对ZnO半导体的光、电、磁及压电等特性的理解和研究不断深入。ZnO半导体在太阳能电池、发电机、传感器、探测器、发光二极管和激光器等领域的应用成果不断涌现,特别是ZnO透明导电膜、薄膜晶体管等方面的大规模工业应用已迅速展开。目前,ZnO的研究已进入功能扩展与综合利用的新阶段,有着巨大的潜在应用前景。 ...
这种纳米发电机由平放在弹性高分子薄膜衬底上的氧化锌纳米线和两端的电极构成。由于衬底的厚度远大于氧化锌线的直径,因此弹性衬底的弯曲变形会导致氧化锌纳米线沿轴向被拉伸或被压缩。在压电效应的作用下,压电电场沿着氧化锌线轴向建立并在线的两端形成电势差。由于纳米线的一端存在肖特基势垒,氧化锌线的来回弯曲使得此压电电势差驱动电子在外电路中的往复流动,因此可以为外接器件提供交变电能。...
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