02攻关宽禁带半导体中的杂质与缺陷难题目前,宽禁带半导体材料的掺杂主要存在以下问题:掺杂剂固溶度受限、双极掺杂困难、原生杂质与本征缺陷的补偿效应限制宽禁带半导体导电性能的提升。...
由这些材料制成的宽禁带或超宽禁带半导体,其关态特性接近于绝缘材料,在高温、高压、高频、大电流等极端工作条件下优势明显,并且损耗小。常见的宽禁带材料包括氮化镓、碳化硅等,禁带宽度超过4个电子伏特的材料被称为超宽禁带半导体材料,包括金刚石、氧化镓、氮化铝等。 与会专家介绍,目前中国应用宽禁带半导体方面已进行了多种尝试。...
此外,另一种宽禁带半导体材料氧化锌具有高的激子束缚能和优异的光学特性,是实现深紫外激光器件的理想材料,将成为铝镓氮在深紫外光电领域应用的重要补充,但其目前发展严重受限于P型掺杂技术。 为此,与会专家认为,突破高质量同质单晶衬底制备和p型掺杂技术,是带动宽禁带半导体紫外发光与激光器件进一步发展的关键。同时,宽禁带半导体的单体点缺陷表征和调控也是亟需解决的关键科学和技术难题。...
近日,记者从中国宽禁带功率半导体产业联盟获悉,国家重大科技成果转化及山东省重点建设项目——山东天岳先进材料科技有限公司功能器材用碳化硅衬底项目顺利完工,标志着我国建成亚洲规模最大的宽禁带碳化硅半导体材料生产基地。 据悉,宽禁带碳化硅半导体材料是第三代半导体核心材料,目前正在逐步取代硅(Si)晶等传统材料,成为新一代高端半导体行业的主要生产材料。...
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