DB53/T 501-2013
多晶硅用三氯氢硅杂质元素含量测定 电感耦合等离子体质谱法

Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry for Determination of Trichlorosilane Impurity Element Content in Polysilicon

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标准号

DB53/T 501-2013

发布

2013年

发布单位

云南省地方标准

当前最新

DB53/T 501-2013

 

 

本标准规定了电感耦合等离子体质谱法测定多晶硅用三氯氢硅中硼、铁、铝、钙、铜、铬、镍、锑、钴、锌、锡、钛、锰杂质元素含量的方法。本标准适用于改良西门子法生产多晶硅用三氯氢硅中硼、铁、铝、钙、铜、铬、镍、锑、钴、锌、锡、钛、锰杂质元素含量的测定。

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