对于导电性能不好的样品如半导体材料,绝缘体薄膜,在电子束的作用下,其表面会产生一定的负电荷积累,这就是俄歇电子能谱中的荷电效应.样品表面荷电相当于给表面自由的俄歇电子增加了一定的额外电压, 使得测得的俄歇动能比正常的要高.在俄歇电子能谱中,由于电子束的束流密度很高,样品荷电是一个很严重的问题.有些导电性不好的样品,经常因为荷电严重而不能获得俄歇谱.但由于高能电子的穿透能力以及样品表面二次电子的发射作用...
俄歇电子效应对表面微量元素有很高的灵敏度,能探测周期表中氦以后的所有元素,而且分析速度快。应用俄歇电子谱可以对材料进行成分定性、定量分析。虽然X射线、离子等激发源也可用来激发俄歇电子,但由于电子便于产生高束流、容易聚焦和偏转,故通常采用电子束作为俄歇电子的激发源。为了激发俄歇跃迁,在常规AES中产生初始电离所需的入射电子能量在1~30 keV。...
①俄歇电子的能量是靶物质所特有的,与入射电子束的能量无关。右图是一些主要的俄歇电子能量。可见对于Z=3-14的元素,最突出的 俄歇效应是由KLL跃迁形成的,对Z=14-40的元素是LMM跃迁,对Z=40-79的元素是MNN跃迁。大多数元素和一些化合物的俄歇电子能量可以从手册中查到。 ②俄歇电子只能从20埃以内的表层深度中逃逸出来,因而带有表层物质的信息,即对表面成份非常敏感。...
①俄歇电子的能量是靶物质所特有的,与入射电子束的能量无关。右图是一些主要的俄歇电子能量。可见对于Z=3-14的元素,最突出的俄歇效应是由KLL跃迁形成的,对Z=14-40的元素是LMM跃迁,对Z=40-79的元素是MNN跃迁。大多数元素和一些化合物的俄歇电子能量可以从手册中查到。②俄歇电子只能从20埃以内的表层深度中逃逸出来,因而带有表层物质的信息,即对表面成份非常敏感。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号