ASTM F996-11(2018)
用亚阈电流–将电离辐射引起的MOSFET阈值电压偏移分离为由于氧化物陷阱空穴和界面状态引起的元件的标准试验方法；电压特性
Standard Test Method for Separating an Ionizing Radiation-Induced MOSFET Threshold Voltage Shift Into Components Due to Oxide Trapped Holes and Interface States Using the Subthreshold Current–V
- 标准号
- ASTM F996-11(2018)
- 发布
- 2018年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 当前最新
- ASTM F996-11(2018)
- 引用标准
- ASTM E1249 ASTM E1894 ASTM E666 ASTM E668
- 适用范围
- 1.1 本测试方法涵盖使用亚阈值电荷分离技术来分析金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 中的栅极电介质和寄生 MOSFET 中的隔离电介质的电离辐射退化。2,3,4亚阈值技术用于将电离辐射引起的反转电压偏移 ΔVINV 分离为由于氧化物捕获电荷 ΔVot 和界面陷阱 ΔV it 引起的电压偏移。该技术利用 MOSFET 亚阈值区域中辐照前和辐照后的漏源电流与栅极电压特性。
1.2 给出了测量 MOSFET 亚阈值电流-电压特性和计算结果的程序。
1.3 本测试方法的应用要求MOSFET具有衬底（体）接触。
1.4 辐照前和辐照后 MOSFET 亚阈值源极或漏极曲线必须遵循对栅极电压的指数依赖关系（至少 20 个电流）。
1.5 以 SI 单位表示的值应被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。
1.6 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任建立适当的安全、健康和环境实践，并在使用前确定监管限制的适用性。
1.7 本国际标准是根据世界贸易组织贸易技术壁垒（TBT）委员会发布的《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确立的国际公认的标准化原则制定的。