ASTM F1892-12(2018)
半导体器件电离辐射（总剂量）效应试验标准指南

Standard Guide for Ionizing Radiation (Total Dose) Effects Testing of Semiconductor Devices

标准号

ASTM F1892-12(2018)

发布

2018年

发布单位

美国材料与试验协会

当前最新

ASTM F1892-12(2018)

 

 

引用标准

ASTM E1249 ASTM E1250 ASTM E170 ASTM E666 ASTM E668 ASTM F1467 ASTM F996 ISO/ASTM 51275 MIL-HDBK-814 MIL-STD-750 MIL-STD-883

适用范围

1.1 本指南介绍了建立适当的测试顺序和数据分析程序的背景和指南，以确定剂量率低于 300 rd(SiO2)/s 的微电子器件的电离辐射（总剂量）硬度。这些测试和分析将有助于确定被测设备满足特定硬度要求的能力，或评估在一系列辐射环境中使用的部件。
1.2 所提出的方法和指南将适用于硅基 MOS 和双极分立器件和集成电路的表征、鉴定和批量验收。它们适用于治疗电子和光子照射的影响。
1.3 本指南提供了一个框架，用于根据待测零件的一般特性以及这些零件的辐射硬度要求或目标来选择测试顺序。
1.4 本指南提供了最小化测试方法的保守性和最小化所需测试工作之间的权衡。
1.5 确定有效且经济的硬度测试通常需要多种决策。通常必须做出的决策的部分列举如下：
1.5.1 确定是否需要执行器件表征——对于某些情况，采用某种不需要器件表征的最坏情况测试方案可能更合适。对于其他情况，确定剂量率对设备辐射灵敏度的影响可能是最有效的。必要时，还必须确定这种特征的适当详细程度。
1.5.2 确定最小化辐射剂量率对测试结果影响的有效策略——某些类型的设备的辐射测试结果对测试中施加的辐射剂量率相对不敏感。相比之下，许多 MOS 器件和一些双极器件对剂量率具有显着的敏感性。将讨论管理测试结果的剂量率敏感性的几种不同策略。
1.5.3 有效测试方法的选择——将讨论有效测试方法的选择。
1.6 低剂量要求——当所需硬度为 100 rd(SiO2) 或更低时，无需出于鉴定或批次验收目的对 MOS 和双极微电子器件进行硬度测试。
1.7 源——本指南将涵盖使用光子源（例如 60 Co γ 辐照器、137 Cs γ 辐照器和低能量（约 10 keV）X 射线源）辐照的设备测试所产生的影响。其他测试辐射源，如 1 本指南由 ASTM 电子委员会 F01 管辖，并由核与空间辐射效应小组委员会 F01.11 直接负责。当前版本于 2018 年 3 月 1 日批准。2018 年 4 月发布。最初于 1998 年批准。上一版本于 2012 年批准为 F1892 – 12。DOI：10.1520/F1892-12R18。版权所有 © ASTM International，100 Barr Harbor Drive，PO Box C700，West Conshohocken，PA 19428-2959。美国 本国际标准是根据世界贸易组织贸易技术壁垒（TBT）委员会发布的《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确立的国际公认的标准化原则制定的。 1 偶尔会使用 linacs、Van de Graaff 源、Dymnamitrons、SEM 和闪光 X 射线源，但不属于本指南的范围。
1.8 位移损坏效应也不属于本指南的讨论范围。
1.9 以 SI 单位表示的数值应被视为标准。
1.10 本国际标准是根据世界贸易组织贸易技术壁垒（TBT）委员会发布的《关于制定国际标准、指南和建议的原则的决定》中确立的国际公认的标准化原则制定的。

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