ASTM F1892-04
半导体器件电离辐射(总剂量)效应试验的标准指南

Standard Guide for Ionizing Radiation (Total Dose) Effects Testing of Semiconductor Devices

被代替

标准号

ASTM F1892-04

发布

2004年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F1892-06

当前最新

ASTM F1892-12(2018)

 

 

适用范围

1.1 本指南介绍了建立适当的测试顺序和数据分析程序的背景和指南，以确定剂量率低于 300 rd(SiO2)/s 的微电子器件的电离辐射（总剂量）硬度。这些测试和分析将有助于确定被测设备满足特定硬度要求的能力，或评估在一系列辐射环境中使用的部件。
1.2 所提出的方法和指南将适用于表征硅基 MOS 和双极分立器件和集成电路的质量、鉴定和批量验收。它们适用于处理电子和光子辐照的影响。
1.3 本指南提供了一个框架，用于根据待测零件的一般特性以及这些零件的辐射硬度要求或目标来选择测试序列。
1.4 本指南提供了最小化测试方法的保守性和最小化所需测试工作之间的权衡。
1.5 确定有效且经济的硬度测试通常需要多种决策。通常必须做出的决策的部分列举如下：
1.5.1 确定是否需要执行器件表征 对于某些情况，采用某种不需要器件表征的最坏情况测试方案可能更合适。对于其他情况，确定剂量率对设备辐射灵敏度的影响可能是最有效的。必要时，还必须确定这种表征的适当详细程度。
1.5.2 确定最小化辐射剂量率对测试结果影响的有效策略某些类型设备的辐射测试结果相对不敏感测试中应用的辐射剂量率。相比之下，许多 MOS 器件和一些双极器件对剂量率具有显着的敏感性。将讨论管理测试结果的剂量率敏感性的几种不同策略。
1.5.3 有效测试方法的选择将讨论有效测试方法的选择。
1.6 低剂量要求用于鉴定目的的 MOS 和双极微电子器件的硬度测试或当所需硬度为 100 rd(SiO2) 或更低时，无需进行批次验收。
1.7 光源本指南将涵盖使用光子源（例如 60Co 辐照器、137Cs 辐照器和低能量（约 10 keV）辐射进行设备测试所产生的影响） ) X 射线源。有时会使用其他测试辐射源，例如直线加速器、范德格拉夫源、Dymnamitrons、SEM 和闪光 X 射线源，但不属于本指南的范围。
1.8 位移损伤效应也不属于本指南的范围.1.9 以 SI 单位表示的数值应被视为标准。

ASTM F1892-04相似标准

推荐

谁引用了ASTM F1892-04 更多引用