T/CASAS 002—2021
宽禁带半导体术语

Terminology for wide bandgap semiconductors

T/CASAS 002—2021 发布历史

本文件规定了宽禁带半导体材料的制备与应用相关领域的术语及其定义。 本文件适用于典型的宽禁带半导体材料，如：氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、氧化镓（b-Ga2O3）和金刚石等半导体材料及其应用的研发、生产制造及相关领域的从业者。

T/CASAS 002—2021由中国团体标准 CN-TUANTI 发布于 2021-03-08，并于 2021-03-11 实施。

T/CASAS 002—2021在国际标准分类中归属于: 01.020 术语学(原则和协调配合)。

标准号

T/CASAS 002—2021

发布日期

2021年03月08日

实施日期

2021年03月11日

废止日期

无

中国标准分类号

C398

国际标准分类号

01.020

发布单位

中国团体标准

适用范围

本文件规定了宽禁带半导体材料的制备与应用相关领域的术语及其定义。 本文件适用于典型的宽禁带半导体材料，如：氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、氧化镓（b-Ga2O3）和金刚石等半导体材料及其应用的研发、生产制造及相关领域的从业者。