GB/T 36646-2018
制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备

Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy

GBT36646-2018, GB36646-2018


 

 

非常抱歉,我们暂时无法提供预览,您可以试试: 免费下载 GB/T 36646-2018 前三页,或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准,
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购(由第三方提供)。

 

标准号
GB/T 36646-2018
别名
GBT36646-2018, GB36646-2018
发布
2018年
发布单位
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
当前最新
GB/T 36646-2018
 
 

GB/T 36646-2018相似标准


推荐

氢化物外延(HVPE)

牛总部设在美国马里兰州银泉的TDI是世界领先的发展生产新型化合物半导体,如GaN,AlN,AlGaN ,InN和InGaN的氢化物外延( HVPE )工艺和技术的公司。 这些材料被用于各种应用,最主要的是固态照明,短波长光电子和射频功率电子。...

国内首台48片MOCVD样机研发工作取得重大进展

  在中国科学院和广东省共同支持下,由中科院半导体研究所负责研制开发的国内首台48片MOCVD样机取得重大进展。   样机不仅经过了真空、压力、温度、旋转、自动传输等一系列设备性能指标实验考核,还进行了氮化镓以及氮化物LED的外延工艺考核。所外延氮化物材料分别由山东华光、杭州士兰明芯、武汉迪源、上海蓝宝、扬州中科等国内主流芯片公司进行了性能测试和氮化物LED芯片制作。...

半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展

研究人员提出一种纳米柱辅助的范德华外延方法,利用金属有机化学沉积(MOCVD),首次在玻璃衬底上成功外延出连续平整的准单晶氮化镓(GaN)薄膜,并制备出蓝光发光二极管(LED)。  研究人员在非晶玻璃衬底上插入石墨烯层,为后续氮化物的生长提供外延取向关系。在生长初期通过石墨烯层有效引导氮化物的晶格排列,避免了非晶衬底上氮化物生长通常呈现的、杂乱无序的多晶结构。...

牛津仪器TDI收购FOX 集团的知识产权

  TDI,牛津仪器的全资子公司,在氢化物外延(HVPE)新型化合物半导体,如GaN、AlN、AlGaN、InN、InGaN等方面处于世界领先地位,刚与FOX集团签订了许可协议。这项协议是收购FOX集团知识产权,牛津仪器可以直接提供LED的硬件和流程和P型掺杂物,除此之外还提供III-V族氮化物外延生长工艺和设备。  ...


GB/T 36646-2018 中可能用到的仪器设备





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号