T/IAWBS 020-2024
碳化硅外延层深能级缺陷的测试 瞬态电容法

Test method for deep level defects of silicon carbide epitaxial layers-Transient capacitance method


 

 

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标准号
T/IAWBS 020-2024
发布
2024年
发布单位
中国团体标准
当前最新
T/IAWBS 020-2024
 
 
适用范围
本文件规定了用瞬态电容技术中的深能级瞬态谱法测量碳化硅（SiC）外延材料中深能级缺陷的方法。 本文件适用于测量碳化硅外延材料层中的杂质、缺陷在半导体禁带中产生的深能级。此方法可得到深能级的激活能、浓度、俘获截面等参数。

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