YS/T 1600-2023
碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法

Determination of trace impurity elements in silicon carbide single crystal —Glow discharge mass spectrometry

YST1600-2023, YS1600-2023


YS/T 1600-2023 发布历史

YS/T 1600-2023由行业标准-有色金属 CN-YS 发布于 2023-05-22,并于 2023-11-01 实施。

YS/T 1600-2023 在中国标准分类中归属于: H17 半金属及半导体材料分析方法,在国际标准分类中归属于: 77.040.30 金属材料化学分析。

YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法的最新版本是哪一版?

最新版本是 YS/T 1600-2023

YS/T 1600-2023的历代版本如下:

  • 2023年 YS/T 1600-2023 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法

 

标准号
YS/T 1600-2023
别名
YST1600-2023
YS1600-2023
发布
2023年
发布单位
行业标准-有色金属
当前最新
YS/T 1600-2023
 
 

YS/T 1600-2023相似标准


推荐

LA-ICP-MS法测定碳化硅器件杂质元素

Klemm等[12]利用LAICPMS监测碳化硅晶体在生长过程中元素Al, V, W和Ta含量变化。Hoffmann等[13]向碳化硅粉末中加标准溶液,以碳为粘合剂,制备成标准样品作为校准曲线,测定碳化硅单晶Al, Ti, V, Mn, Fe和Cu含量,不同剥蚀坑各元素浓度相差17%~30%。   ...

701项有色金属、化工石化等行业标准将制修订

-2010高纯钛化学分析方法 痕量杂质元素测定 辉光放电质谱法推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会北京有色金属研究总院 49YSFFZT3974-2010高纯钽化学分析方法 痕量杂质元素测定 电感耦合等离子体质谱法推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会北京有色金属研究总院 50YSFFZT3975-2010高纯钽化学分析方法 痕量杂质元素测定 辉光放电质谱法推荐制定...

2013年全国无机及同位素质谱学学术会议分会报告(一)

北京有色金属研究总院 胡芳菲同学  来自北京有色金属研究总院胡芳菲同学带来报告《直流辉光放电质谱法测定氧化铝杂质元素》。   报告,胡芳菲同学重点介绍了这项研究是为了探究直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定非导体样品杂质含量,建立了dc-GDMS法测定α型Al2O3粉末杂质元素方法。以Cu粉作为导电介质,与α-Al2O3粉末混合均匀,压片。...

辉光放电质谱仪应用范围

    辉光放电质谱法作为一种固体样品直接分析方法,被认为是目前为止唯一同时具有最广泛分析元素范围和足够灵敏度元素分析方法,已成为固体材料多元素分析尤其是高纯材料分析强有力工具。直接对固体进行分析避免了将固体转化成溶液时因在溶解、稀释等过程造成玷污和灵敏度降低,而且该方法对样品分析面积大,所得数据结果有好代表性。   ...





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号