Klemm等[12]利用LAICPMS监测碳化硅晶体在生长过程中元素Al, V, W和Ta的含量变化。Hoffmann等[13]向碳化硅粉末中加标准溶液,以碳为粘合剂,制备成标准样品作为校准曲线,测定了碳化硅单晶中Al, Ti, V, Mn, Fe和Cu含量,不同剥蚀坑各元素浓度相差17%~30%。 ...
高纯铜靶材分析辉光放电质谱法(GDMS)是进行高纯铜中痕量杂质元素含量的标准方法。YS/T 922-2013规定的73种痕量杂质元素中,K Zn Ge As Se Br Ru Rh等均存在基体相关的质谱干扰,是高纯铜分析的难点。以Rh为例说明Element GD Plus在高纯材料检测中的优势。...
-2010高纯钛化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会北京有色金属研究总院 49YSFFZT3974-2010高纯钽化学分析方法 痕量杂质元素的测定 电感耦合等离子体质谱法推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会北京有色金属研究总院 50YSFFZT3975-2010高纯钽化学分析方法 痕量杂质元素的测定 辉光放电质谱法推荐制定...
北京有色金属研究总院 胡芳菲同学 来自北京有色金属研究总院的胡芳菲同学带来报告《直流辉光放电质谱法测定氧化铝中杂质元素》。 报告中,胡芳菲同学重点介绍了这项研究是为了探究直流辉光放电质谱法(dc-GDMS)测定非导体样品中杂质含量,建立了dc-GDMS法测定α型Al2O3粉末中杂质元素的方法。以Cu粉作为导电介质,与α-Al2O3粉末混合均匀,压片。...
Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号