GB/T 4326-2006由国家质检总局 CN-GB 发布于 2006-07-18,并于 2006-11-01 实施。
GB/T 4326-2006 在中国标准分类中归属于: H17 半金属及半导体材料分析方法,在国际标准分类中归属于: 77.040.01 金属材料试验综合。
GB/T 4326-2006 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 4326-2006 。
本标准规定的测量方法适用于测量非本征半导体单晶材料的霍尔系数、载流子霍尔迁移率、电阻率和载流子浓度。 本标准规定的测量方法仅在有限的范围内对锗、硅、砷化镓和磷化镓单晶材料进行了实验室测量,但该方法也可适用于其他半导体单晶材料,一般情况下,适用于室温电阻率高达10Ω•cm半导体单晶材料的测试。
此外,随温度变化的霍尔系数表明了低温下的电子关联。研究者认为本研究中提出的有机二维空穴气将成为对OSC中电子状态的基本理解是一个里程式的研究进展,此外,EDL填充的可调谐载流子也对于有机半导体材料实验和理论研究具有重要的促进作用。...
虽然c-BAs已被制备,但样品中广泛分布着不均匀的杂质与缺陷,对其迁移率的测量带来困难。一般可以通过霍尔效应,测定样品的载流子的迁移率,而电极的大小制约其空间分辨能力,并直接影响测试结果。2021年,利用霍尔效应测试的c-BAs单晶的迁移率报道结果仅为22 cm2V-1s-1,与理论预测结果相差甚远。具有更高的空间分辨能力的原位表征方法是确认c-BAs本征迁移率的关键。 ...
这些多晶石墨烯单畴之间的晶界在微观结构上由一些扭曲的六元环以及非六元环(五元环、七元环和八元环)组成,石墨烯的载流子在通过这些缺陷时会引入额外的散射,从而造成电导率、迁移率的降低,制约了石墨烯在电子电路领域的应用。一般来说,人们通常采用两种办法来表征石墨烯晶界的输运特性,一种是利用微加工手段制作霍尔电极,另一种是基于扫描探针显微镜的方法。前者会对石墨烯表面引入污染,进而影响石墨烯的本征性质。...
一方面,由于表征迁移率和复合寿命的手段不同,不同的表征手段可能受到非本征因素的影响;另一方面,即使都是MAPbI3单晶,生长单晶的方法不同也会造成晶体结晶品质的差异,会对载流子迁移率和复合寿命的测试造成影响,从而导致测得载流子的扩散长度相差甚远。例如,Huang研究组报道了MAPbI3单晶的载流子扩散长度大于175 μm;但Bakr研究组提出MAPbI3单晶的载流子扩散距离估算值为~8 μm。...
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