JEDEC JESD90-2004
为测量P路 MOSFET负偏压温度不稳定性的规程

A Procedure for Measuring P-Channel MOSFET Negative Bias Temperature Instabilities

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标准号

JEDEC JESD90-2004

发布

2004年

发布单位

(美国)固态技术协会,隶属EIA

 

 

适用范围

沟道 MOSFET 随着时间的推移所经历的负偏压温度不稳定性 (NBTI) 是现代微电路中一个重要的可靠性问题。 NBTI 损伤的物理性质尚不完全清楚。据信，NBTI 损伤是通过电化学反应控制的，其中 P-MOSFET 反向沟道中的空穴与 Si-SiO2 界面处的 Si 化合物（Si-H、Si-D 等）相互作用，产生施主型界面状态和可能的正固定电荷。界面态生成和正固定电荷形成的相对贡献对该技术中使用的栅极氧化工艺非常敏感。电化学反应强烈依赖于栅极垂直电场和应力下的温度。因此，有必要使用技术允许的最小氧化物厚度。界面态的产生和正固定电荷的形成可能导致P-MOSFET参数的显着变化，特别是阈值电压(VT)的增加。 VT 是跟踪 P-MOSFET 退化最常用的器件参数（与跨导或任何漏极电流相比）。这种失效机制被发现是强烈热激活的，可能会严重影响 PMOS 器件的可靠性，特别是对于匹配问题至关重要的模拟模块/设计。

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