IEC TR 62014-3:2002
电子设计自动化程序库.第3部分:EMI行为模拟用集成电路的模型
Electronic design automation libraries - Part 3: Models of integrated circuits for EMI behavioural simulation
- 标准号
- IEC TR 62014-3:2002
- 发布
- 2002年
- 发布单位
- 国际电工委员会
- 当前最新
- IEC TR 62014-3:2002
- 引用标准
- IEC 61967-1 IEC 61967-4 IEC 61967-6 IEC 62014-1
- 适用范围
- 本组件技术报告 (TR) ICEM（集成电路电气模型）的目标是提出集成电路内部活动的电气建模。该模型将用于评估电子设备的电磁行为和性能。 1 概述 集成电路在硅上集成了越来越多的门，技术也越来越快。为了预测设备的电磁行为，需要对 IC 接口开关及其内部活动进行建模。事实上，IBIS 和 IMIC 模型主要关注界面活动预测（串扰、过冲等）。请参阅 IEC 62014-1。本报告描述了由于 IC 内部活动而产生的 EMI 仿真模型。该模型通过考虑内部活动的影响，更准确地给出电子设备的电磁辐射。该模型提供了可以以不同格式实现的通用数据，例如 IBIS、IMIC、SPICE 等。在利用 IC 的应用程序的设计阶段，使用 CAD 工具预测和预防电磁风险变得非常有用。要在这些仿真工具上运行，需要准确的 IC 建模。 ICEM 模型提出了内部排放活动的三种耦合机制（图 1）： · 通过供应线传导排放； · 通过输入/输出线路传导发射； · 直接辐射发射。本报告提出了一种模型，可以通过单一方法解决这三种类型的耦合。模型的元素将尽可能保持简单，以简化识别和模拟过程。 2 理念 本报告的目的是提供数据，使印刷电路板级 (PCB) 电磁工具能够计算集成电路及其相关 PCB 产生的电磁场。这些数据可以从测量方法中提取（如 IEC 61967 中所述），或从 IC 仿真工具中获得。
2.1 寄生发射的起源 IC 中寄生发射的起源是由于在高到低或低到高转换期间流过所有 IC 栅极（Iv 和 Iv ）的电流，如图 2 所示。栅极会导致非常重要的电流峰值，主要出现在时钟电路的上升沿和下降沿。例如，图 3 绘制了集成 1 000 000 个晶体管的 IC 的门开关数量与时间的关系。因此，芯片内部会产生高电流尖峰，并引起内部参考电压的压降。
2.2 通过电源线的传导发射 由于片上去耦电容，芯片内部产生的电流尖峰部分减少。无论如何，电流尖峰的很大一部分出现在芯片的电源引脚上。该电流可以根据 IEC 61967 或允许具有电源电流的其他方法来测量。
2.3 通过输入/输出线路 (I/O) 的传导发射 电流尖峰产生的内部电压降通过直接连接、寄生电容和电感耦合和/或通过公共阻抗在 I/O 上产生噪声。连接到 I/O 的 PCB 导线可以充当天线并传播电磁辐射。测量设置根据 IEC 61967 进行。
2.4 直接辐射发射 低阻抗回路中流动的内部电流会产生电磁场，可根据 IEC 61967 在近场中测量电磁场。