BS EN 60749-19:2003
半导体器件.机械和气候试验方法.模剪切强度

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Die shear strength

被代替

BS EN 60749-19:2003 发布历史

BS EN 60749-19:2003由英国标准学会 GB-BSI 发布于 2003-06-20，并于 2003-06-20 实施。

BS EN 60749-19:2003 在中国标准分类中归属于: L40 半导体分立器件综合，在国际标准分类中归属于: 31.080.01 半导体器分立件综合。

BS EN 60749-19:2003的历代版本如下：

• 2003年 BS EN 60749-19:2003+A1:2010 半导体器件.机械和气候试验方法.模剪切强度
• 2003年 BS EN 60749-19:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.模剪切强度

IEC 60749 的这一部分确定（参见注释）用于将半导体芯片连接到封装头或其他基板的材料和程序的完整性（就本测试方法而言，术语“半导体芯片”应包括无源元件） 。 该测试方法通常仅适用于空腔封装或作为过程监控器。 它不适用于大于 10 mm 的芯片区域。 它也不适用于倒装芯片技术或柔性基板。 注：此确定基于对芯片或元件施加的力的测量，如果发生故障，则基于施加力导致的故障类型以及残留芯片连接介质和头部的视觉外观/基材金属化。

标准号

BS EN 60749-19:2003

发布

2003年

发布单位

英国标准学会

替代标准

BS EN 60749-19:2003+A1:2010

当前最新

BS EN 60749-19:2003+A1:2010

 

 

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