ASTM F42-93(1997)
足球运动用保护头盔的减震特性的标准试验方法

Standard Test Methods for Conductivity Type of Extrinsic Semiconducting Materials

被代替

标准号

ASTM F42-93(1997)

发布

1993年

发布单位

美国材料与试验协会

替代标准

ASTM F42-02

当前最新

ASTM F42-02

 

 

引用标准

ASTM D1125 ASTM F43 ASTM F76 ASTM F84

适用范围

1.1 这些测试方法涵盖非本征半导体导电类型的测定。虽然给出了锗和硅的明确细节，但包含砷化镓和锑化铟等其他外来材料应该是可行的。然而，对于后一种化合物，其适用性尚未通过循环测试得到正式验证。可以对均质散装材料进行最可靠的测定，但这些测试方法也可用于绘制不均质样本表面上不同导电类型的区域。这些测试方法尚未在层状结构（例如外延层）上进行测试。对这些结构的测量可能会给出错误的导电类型指示。
1.2 描述了四种测试方法：
1.2.1 测试方法 A - 热探针热 EMF 传导型测试。
1.2.2 测试方法 B - 冷探针热 EMF 传导型测试。
1.2.3 测试方法 C 点接触整流电导率型测试。
1.2.4 测试方法D-类型-所有系统以两种模式运行：
1.2.4.1 整流电导率-类型测试。
1.2.4.2 热电动势传导型测试。
1.3 经验表明，测试方法A（热探针）在室温电阻率高达1000Ωcm的n型和p型硅中给出了可靠的结果。注 1：锗样品的电阻率可根据测试方法 F43 测量，硅片的电阻率可根据测试方法 F43 或测试方法 F84 测量。
1.4 测试方法 B（冷探针）对于室温电阻率等于或小于 20Ωcm 的 n 型和 p 型锗以及电阻率高达 20Ωcm 的 n 型和 p 型硅给出了可靠的结果。至 1000 Ω[dot]cm（注 1）。该技术相对于热探针测试方法的优点在于，可以通过在两个探针之间产生更大的温差来增加信号幅度。
1.5 测试方法C（整流）是一种简单方便的技术，对于室温电阻率在1 和1000 Ω·cm 之间的n 型和p 型硅给出了可靠的结果。不建议对锗使用此测试方法（注 1）。
1.6 测试方法 D（全类型整流模式）适用于室温电阻率在 0.1 至 1000 Ωcm（含）之间的 n 型和 p 型硅（注 1）。
1.7 测试方法 D（全类型热电动势模式）适用于室温电阻率在 0.002 至 0.1 Ωcm（含）之间的 n 型和 p 型硅（注 1）。
1.8 这些测试方法可能适用于上述限制之外，但它们在这些限制之外的适用性尚未经过实验验证。
1.9 如果使用这些测试方法无法获得满意的结果，建议按照测试方法 F76 中所述通过霍尔效应测量来确定电导率类型。注 2-DIN 50432 涵盖了这些测试方法的测试方法 A 和 C 的技术等效项，但不包括测试方法 B 和 D。
1.10 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有） 。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

ASTM F42-93(1997)相似标准

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