ASTM F84-99
ASTM F84-99

被代替

标准号

ASTM F84-99

发布

1970年

发布单位

/

替代标准

ASTM F84-02

当前最新

ASTM F84-02

 

 

引用标准

ASTM D1193 ASTM E1 ASTM E177 ASTM F42 ASTM F43 ASTM F613

适用范围

1.1 本测试方法 2 涵盖使用直列式四点探针测量硅片的电阻率。硅晶体的电阻率是重要的材料验收要求。该测试方法描述了一种能够对硅晶片的室温电阻率进行实验室间比较的程序。预期的精度取决于晶片的电阻率和晶片的均匀性。已进行循环测试，以确定室温 (23°C) 电阻率在 0.0008 至 2000 V·cm 之间的 p 型晶圆和室温 (23°C) n 型晶圆上的预期测量精度电阻率在 0.0008 至 6000 V·cm 之间。
1.2 本测试方法适用于直径大于 16 毫米（0.625 英寸）、厚度小于 1.6 毫米（0.0625 英寸）的圆形晶片形式的单晶硅。这些测量所需的几何校正因子以表格形式提供。 3 1.3 本测试方法用作确定单晶硅片电阻率的裁判方法，优先于测试方法 F 43。 注 1——该测试方法也适用于其他半导体材料，但没有适当的测量条件。预期的精度也尚未通过实验确定。其他无法获得校正因子的几何形状也可以通过该测试方法进行测量，但在这种情况下只能使用类似的几何条件进行比较测量。注 2——DIN 50431 2 是一种类似但不等效的电阻率测定方法。相当于测试方法F 43。
1.4 以SI 单位表示的值应视为标准。括号中给出的值仅供参考。
1.5 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 8 节。

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