半导体探测器的前身可以认为是晶体计数器 。早在1926年就有人发现某些固体电介质在核辐射下产生电导现象。后来,相继出现了氯化银、金刚石等晶体计数器。但是,由于无法克服晶体的极化效应问题,迄今为止只有金刚石探测器可以达到实用水平。半导体探测器发现较晚,1949年开始有人用α 粒子照射锗半导体点接触型二极管时发现有电脉冲输出。到1958年才出现第一个金硅面垒型探测器。...
金硅面垒型探测器1958年首次出现,锂漂移型探测器60年代初研制成功,同轴型高纯锗(HPGe)探测器和高阻硅探测器等主要用于能量测量和时间的探测器陆续投入使用,半导体探测器得到迅速的发展和广泛应用。...
20世纪中期有人在使用α粒子照射锗半导体点接触型二极管时,发现有电脉冲输出。1958年第一个金硅面垒型探测器被设计完成,直到20世纪60年代初期锂漂移型探测器被研制成功后,半导体探测器才得到迅速的发展。 半导体探测器的工作原理如图4所示。将工作电压加在电极K和A上后,固体介质内部会形成很强的电场区。...
扩散结(Diffused Junction)型探测器 采用扩散工艺——高温扩散或离子注入 ;材料一般选用P型高阻硅,电阻率为1000;在电极引出时一定要保证为欧姆接触,以防止形成另外的结。 金硅面垒(Surface Barrier)探测器 一般用N型高阻硅,表面蒸金50~100μg/cm2 氧化形成P型硅,而形成P-N结。工艺成熟、简单、价廉。 ...
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