石墨烯器件测试结果 (三)化学气相淀积(CVD)石墨烯器件 在铜箔上采用化学气相淀积(CVD)方法制备的大面积石墨烯材料上,实现了晶圆级石墨烯电子器件的规模化制备。测试数据显示,器件整体性能在500MHz以上,最高截止频率达到1.1GHz(图3所示),器件成品率达到80%以上,成为国内首个公开报道的在CVD方法生长石墨烯上制备出截止频率达到GHz以上的团队。 图3....
Nature旗下期刊Scientific Reports(《科学报告》)近日刊发了中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI课题组与超导课题组,采用化学气相淀积法(CVD),在锗衬底上直接制备大面积、均匀的、高质量单层石墨烯的研究成果,文章题目为Direct Growth of Graphene Film on Germanium Substrate(《锗衬底上直接制备石墨烯...
在一些电子材料的生长与衬底的制备、氧化工艺、外延工艺中以及化学气相淀积(CVD)技术中,均要采用氢气作为反应气、还原气或保护气。半导体集成电路生产对气体纯度要求极高,比如氧杂质的允许浓度为10-12等。微量杂质的“掺入”,将会改变半导体的表面特性,甚至使产品成品率降低或造成废品。 在制造非晶体硅太阳能电池中,也需要用到纯度很高的氢气。...
具体内容如下: 采购人名称:中国科学院微电子研究所 采购代理机构全称:东方国际招标有限责任公司 招标编号:OITC-G10032233 采购项目名称:中国科学院微电子研究所2010年仪器设备采购项目(第十一批) 第5包 等离子氮化系统、等离子化学增强气相淀积、硅化物热退火系统、接触与互连溅射台、快速热退火系统、钨化学气相沉积系统 成交金额:983万美元 成交供应商名称...
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