GB/T 13539.4-2009
低压熔断器.第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求

Low-voltage fuses.Part 4:Supplementary requirements for fuse-links for the protection of semiconductor devices

标准号

GB/T 13539.4-2009

发布日期

2009年04月21日

实施日期

2009年11月01日

废止日期

无

中国标准分类号

K31

国际标准分类号

29.120.50

发布单位

CN-GB

引用标准

GB/T 321-2005 GB 13539.1-2008 GB/T 13539.2-2008 GB 13539.3-2008 IEC 60417

被代替标准

GB/T 13539.7-2005 GB/T 13539.4-2005

适用范围

除GB 13539. 1-2008规定外，补充下列要求。 半导体设备保护用的熔断体应符合GB 13539. 1-2008的所有要求，下文中没有另外指明的，也应符合本部分规定的补充要求。 本部分的补充要求适用于安装在具有半导体装置的设备上的熔断体，该熔断体适用于标称电压不超过交流1000 V或直流1 500 V的电路。如适用，还可用于更高的标称电压的电路。 本部分的目的是确定半导体熔断体的特性，从而在相同尺寸的前提下，可以用具有相同特性的其他型式的熔断体替换半导体熔断体。因此，本部分中特别规定了: a)熔断体的下列特性: 1)额定值； 2)正常工作时的温升； 3)耗散功率； 4)时间-电流特性； 5)分断能力； 6)截断电流特性和I²t特性； 7)电弧电压极限值。 b)验证熔断体特性的型式试验； c)熔断体标志； d)应提供的技术数据(见附录B)。

GB/T 13539.4-2009系列标准

GB/T 13539.4-2009 中可能用到的仪器设备

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