由于量子点无法像OLED中有机物那样通过蒸镀法实现像素分离，因此将不同颜色量子点沉积在特定区域，构建红、绿、蓝3色像素矩阵就需要用到光刻胶和光刻技术。 光刻胶又称光致抗蚀剂，是整个光刻工艺中最核心的一类材料。无论在新型显示器的组装还是集成电路或芯片制造工艺中，光刻胶的作用有两种，一是将掩膜板图形转移到基片上，二是保护底层材料不被后续工艺刻蚀。 ...
电子束曝光是用低功率密度的电子束照射电致抗蚀剂，经显影后在抗蚀剂中产生图形的一种微细加工技术。 这种曝光方式分辨率高、掩膜版制作容易、工艺容限大，而且生产效率高，但由于电子束在光刻胶膜内的散射，使得图案的曝光剂量会受到临近图案曝光剂量的影响（即临近效应），造成的结果是，显影后，线宽有所变化或图形畸变。虽然如此，限角度投影式电子束光刻仍是最具前景的非光学光刻。...
●光刻胶高纯试剂 光刻工艺是一种表面加工技术，在半导体电子器件和集成电路制造中占有重要地位。为在表面实现选择性腐蚀，采用一类具有抗蚀作用的感光树脂材料作为抗蚀涂层，称为抗蚀剂，国内通称光刻胶。按照溶解度的不同而将光刻胶分为“正性”光刻胶和“负性”光刻胶，按所用曝光光源和辐射光源的不同，又可将其分为紫外、远紫外、电子束、X 射线等光刻胶。...
光刻技术,顾名思义就是一种用光刻印的技术，广泛应用于半导体制造行业以及许多其他纳米技术应用中。硅晶圆显微镜下的硅晶圆图1 显微镜下的硅晶圆 半导体制造在光刻工艺中，通常首先在硅晶圆上沉积一层光敏性光致抗蚀剂材料（光刻胶）。然后，光束通过光掩模照射到晶圆上，以将掩模图形呈现在光刻胶上，再使用显影剂溶解掉经过曝光的光刻胶区域。最后，选择性地在晶圆表面上的裸露区域内进行蚀刻或填充半导体、导电或绝缘材料。...
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