GB/T 6617-2009
硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
- 标准号
- GB/T 6617-2009
- 发布日期
- 2009年10月30日
- 实施日期
- 2010年06月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 发布单位
- CN-GB
- 引用标准
- GB/T 1550 GB/T 1552 GB/T 1555 GB/T 14847
- 被代替标准
- GB/T 6617-1995
- 适用范围
- 本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。 本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层 的电阻率，测量范围：10-3Ω·cm～102 Ω·cm。