GB/T 24581-2009
低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中III、V族杂质含量的测试方法
Test method for low temperature FT-IR analysis of single crystal silicon for Ⅲ-Ⅴ impurities
GBT24581-2009, GB24581-2009
2022-10
- 标准号
- GB/T 24581-2009
- 别名
- GBT24581-2009, GB24581-2009
- 发布
- 2009年
- 采用标准
- SEMI MF 1630-0704 IDT
- 发布单位
- 国家质检总局
- 替代标准
- GB/T 24581-2022
- 当前最新
- GB/T 24581-2022
- 引用标准
- ASTM E131 ASTM E168 ASTM E177 ASTM E275 GB/T 13389 GB/T 14264 GB/T 1558 GB/T 6618 SEMI MF 1723
- 适用范围
- 本标准适用于检测硅单品中的电活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、铝(Al)、锑(Sb)和镓(Ga)的含量。
本标准所适用的硅中每一种电活性元素杂质或掺杂剂浓度范围为(0.01×10
～5.0×1O )a。 每种杂质或掺杂剂的浓度可由比耳定律得到，并给出了对每个元素的校准因子。
GB/T 24581-2009相似标准
推荐
掺氮直拉单晶硅（Nitrogen-doped CZ Silicon, NCZ-Si）中氮的低温远红外测量
T35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法...
明天见 | 布鲁克光谱邀您参加SEMICON CHINA 2024
、量子阱、超晶格；声子光谱、半导体材料带隙，低维异质结构厚度以及电子特性研究；外延层厚度分析：同质外延，异质外延，单层，多层；红外光电探测器器件光谱响应表征：光电流谱；红外发光器件、激光器等电致发光器件中心波长、线宽、带宽表征：ICL，QCL，VCSEL；工业高纯晶体硅质量控制：间隙氧，代位碳，III-V族杂质元素分析；光伏硅晶体质量控制：间隙氧，代位碳，施主，受主元素含量；切割前硅晶棒、硅锭中氧含量轴向分布分析...